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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 类型 | 基本产品编号 | 技术 | SIC | 锁相环 | 输入 | 输出 | 电路数量 | 其中 - 输入:输出 | 分数 - 输入:输出 | 频率 - 最大 | 电压 - 电源 | 供应商设备包 | 数据表 | 除法器/乘法器 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 输入/输出数量 | 核心处理器 | 核心尺寸 | 速度 | 连接性 | 周边设备 | 程序内存大小 | 程序存储器类型 | EEPROM大小 | 内存大小 | 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) | 数据转换器 | 振荡器类型 | 时钟频率 | 便捷型 | 宏单元数量 | 延迟T tpd(1) 顶部 | 电源电压 - 内部 | 逻辑元件/块的数量 | 内存类型 | 内存大小 | 访QQT | 内存格式 | 记忆组织 | 内存接口 | 周期写入T - 字、页 | SIC |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CY7C1069BV33-12ZXC | - | ![]() | 7293 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 的积极 | 下载 | 供应商未定义 | REACH 不出行 | 2156-CY7C1069BV33-12ZXC-428 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STK11C68-5C55M | 1.0000 | ![]() | 149 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -55℃~125℃(TA) | 通孔 | 28-CDIP(0.300英寸,7.62毫米) | STK11C68 | NVSRAM(非易失性SRAM) | 4.5V~5.5V | 28-CDIP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 26 | 非活跃性 | 64Kbit | 55纳秒 | 非静态随机仓库 | 8K×8 | 平行线 | 55纳秒 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S25FL256SAGNFV000 | 4.6000 | ![]() | 9797 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | FL-S | 托盘 | 的积极 | -40℃~105℃(TA) | 表面贴装 | 8-WDFN 裸露焊盘 | S25FL256 | 或-NOR | 2.7V~3.6V | 8-WSON (6x8) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2832-S25FL256SAGNFV000 | 第338章 | 133兆赫 | 非活跃性 | 256兆比特 | 闪光 | 32M×8 | SPI——四路I/O | - | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S99ML02G10042 | - | ![]() | 4883 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | SIC停产 | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CG8208AA | - | ![]() | 7178 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | - | 不适用 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1354BV25-166AXC | 6.3800 | ![]() | 第689章 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 100-LQFP | CY7C1354 | SRAM-同步、SDR | 2.375V~2.625V | 100-TQFP (14x20) | 下载 | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 166兆赫 | 易挥发的 | 9兆比特 | 3.5纳秒 | 静态随机存储器 | 256K×36 | 平行线 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1612KV18-300BZXC | - | ![]() | 9889 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 165-LBGA | CY7C1612 | SRAM - 同步,QDR II | 1.7V~1.9V | 165-FBGA (15x17) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 1 | 300兆赫 | 易挥发的 | 144兆比特 | 静态随机存储器 | 8M×18 | 平行线 | - | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY74FCT163H952CPVC | 1.4900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 的积极 | 74FCT163H952 | 下载 | 供应商未定义 | REACH旅行 | 2156-CY74FCT163H952CPVC-428 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C0831AV-167BBC | 68.0100 | ![]() | 380 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 144-LBGA | CY7C0831 | SRAM - 双端口,同步 | 3.135V~3.465V | 144-FBGA (13x13) | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 3(168小时) | REACH旅行 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 167兆赫 | 易挥发的 | 2兆比特 | 静态随机存储器 | 128K×18 | 平行线 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1320JV18-300BZC | 39.2700 | ![]() | 100 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 165-LBGA | CY7C1320 | SRAM-同步、DDR II | 1.7V~1.9V | 165-FBGA (13x15) | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 8 | 300兆赫 | 易挥发的 | 18兆比特 | 静态随机存储器 | 512K×36 | 平行线 | - | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S29GL256P11FAIV20 | 18.6670 | ![]() | 7407 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | GL-P | 托盘 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 64-LBGA | S29GL256 | 或-NOR | 1.65V~3.6V | 64-FBGA (13x11) | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 不适用 | 供应商未定义 | 3A991B1A | 8542.32.0070 | 12 | 非活跃性 | 256兆比特 | 110纳秒 | 闪光 | 32M×8 | 平行线 | 110纳秒 | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| S26KS128SDPBHN020 | 7.4200 | ![]() | 第658章 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | HyperFlash™ KS | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | 24-VBGA | S26KS128 | 或-NOR | 1.7V~1.95V | 24-FBGA (6x8) | 下载 | 100 | 166兆赫 | 非活跃性 | 128Mbit | 96纳秒 | 闪光 | 16M×8 | 平行线 | - | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY2292SI-705 | 3.4000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 的积极 | - | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | EAR99 | 8542.31.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY62146DV30L-70BVI | 1.8200 | ![]() | 193 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MoBL® | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 48-VFBGA | CY62146 | SRAM - 异步 | 2.2V~3.6V | 48-VFBGA (6x8) | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 3(168小时) | REACH旅行 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 4兆比特 | 70纳秒 | 静态随机存储器 | 256K×16 | 平行线 | 70纳秒 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CS6656AA | - | ![]() | 6988 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 的积极 | - | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S25FL128SAGMFI000 | 5.0700 | ![]() | 81 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | FL-S | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | S25FL128 | 或-NOR | 2.7V~3.6V | 16-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2832-S25FL128SAGMFI000 | 100 | 133兆赫 | 非活跃性 | 128Mbit | 闪光 | 16M×8 | SPI——四路I/O | - | 已验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C144E-25AXC | 23.3400 | ![]() | 第1669章 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 64-LQFP | CY7C144 | SRAM - 双端口,异步 | 4.5V~5.5V | 64-TQFP (14x14) | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 2832-CY7C144E-25AXC | EAR99 | 8542.32.0041 | 90 | 易挥发的 | 64Kbit | 25纳秒 | 静态随机存储器 | 8K×8 | 平行线 | 25纳秒 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C373I-100AI | - | ![]() | 8496 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | 超逻辑™ | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 100-LQFP | 未验证 | 100-TQFP (14x14) | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 3(168小时) | REACH旅行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 64 | 系统内部可重编程™ (ISR™) | 64 | 12纳秒 | 4.75V~5.25V | 4 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1020B-15VC | 2.2400 | ![]() | 950 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 44-BSOJ(0.400英寸,10.16毫米宽) | CY7C1020 | SRAM - 异步 | 4.5V~5.5V | 44-SOJ | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 3(168小时) | REACH旅行 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 512Kbit | 15纳秒 | 静态随机存储器 | 32K×16 | 平行线 | 15纳秒 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S34ML01G200TFI000 | - | ![]() | 2682 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | ML-2 | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 48-TFSOP(0.724英寸,18.40毫米宽) | S34ML01 | NAND-NAND | 2.7V~3.6V | 48-TSOP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 192 | 非活跃性 | 1Gbit | 闪光 | 128M×8 | 平行线 | 25纳秒 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S34MS01G200GHI000Z | - | ![]() | 2187 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 的积极 | - | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1514V18-200BZXC | 136.2800 | ![]() | 第371章 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 165-LBGA | CY7C1514 | SRAM - 同步,QDR II | 1.7V~1.9V | 165-FBGA (15x17) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 102 | 200兆赫 | 易挥发的 | 72兆比特 | 静态随机存储器 | 2M×36 | 平行线 | - | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1069BV33-10ZXI | 36.8000 | ![]() | 46 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 的积极 | 下载 | 供应商未定义 | REACH 不出行 | 2156-CY7C1069BV33-10ZXI-428 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY25200-ZXC009B | 1.1100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 16-TSSOP(0.173英寸,4.40毫米宽) | 扩频时钟发生器 | 是,带旁路 | 时钟、水晶 | 钟 | 1 | 1:6 | 否/否 | 200兆赫 | 2.375V~2.625V、3.135V~3.465V | 16-TSSOP | - | 是/否 | 2156-CY25200-ZXC009B | 270 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CYD36S72V18-200BGXC | 447.7900 | ![]() | 213 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 484-FBGA | CYD36S72 | SRAM - 双端口,同步 | 1.42V~1.58V、1.7V~1.9V | 484-PBGA (27x27) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 40 | 200兆赫 | 易挥发的 | 36兆比特 | 3.3纳秒 | 静态随机存储器 | 512K×72 | 平行线 | - | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CG7398AM | - | ![]() | 8292 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | - | 不适用 | 1(无限制) | 供应商未定义 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1460AV25-250BZC | 76.9500 | ![]() | 200 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | 诺BL™ | 托盘 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 165-LBGA | CY7C1460 | SRAM-同步、SDR | 2.375V~2.625V | 165-FBGA (15x17) | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 4 | 250兆赫 | 易挥发的 | 36兆比特 | 2.6纳秒 | 静态随机存储器 | 1M×36 | 平行线 | - | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C60323-PVXC | 1.8700 | ![]() | 28 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | enCoRe™ III CY7C603xx | 大部分 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 28-SSOP(0.209英寸,5.30毫米宽) | CY7C60323 | 28-SSOP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 161 | 24 | M8C | 8号 | 12兆赫兹 | I²C、SPI | LVD、POR、PWM、WDT | 8KB(8K x 8) | 闪光 | - | 512×8 | 2.4V~3.6V | 模数转换器 8x10b | 内部的 | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY8CTMA140-LQI-01 | 4.1600 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 托盘 | 过时的 | 下载 | 不适用 | EAR99 | 8542.31.0001 | 73 | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY8C5688AXI-LP099 | 20.6200 | ![]() | 41 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | PSOC® 5 CY8C56LP | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 100-LQFP | CY8C5688 | 100-TQFP (14x14) | 下载 | 15 | 62 | ARM® Cortex®-M3 | 32位单核 | 80兆赫 | CAN总线、I²C、LIN总线、SPI、UART/USART、USB | CapSense、DMA、LCD、POR、PWM、WDT | 256KB(256K x 8) | 闪光 | 2K×8 | 64K×8 | 1.71V~5.5V | 模数转换器2x12b;数模4x8b | 内部的 | 未验证 |

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