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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 类型 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 - 输入 | SIC | 锁相环 | 输入 | 输出 | 电路数量 | 其中 - 输入:输出 | 分数 - 输入:输出 | 频率 - 最大 | 电压 - 电源 | 供应商设备包 | 数据表 | 除法器/乘法器 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 功能 | 输入/输出数量 | 核心处理器 | 核心尺寸 | 速度 | 连接性 | 周边设备 | 程序内存大小 | 程序存储器类型 | EEPROM大小 | 内存大小 | 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) | 数据转换器 | 振荡器类型 | 数据速率 | 界面 | 时钟频率 | 解析(位) | 便捷型 | 宏单元数量 | 内存类型 | 触摸屏 | 参考电压 | 内存大小 | 访QQT | 电流 - 电源(最大) | 巴士定向 | 扩展型 | 最小标志支持 | 重传能力 | FWFT支持 | 内存格式 | 记忆组织 | 内存接口 | 周期写入T - 字、页 | SIC |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CY8CTMA300E-36LQXIKL | 5.3400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | TrueTouch™ | 大部分 | 的积极 | 未验证 | - | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1315CV18-200BZC | 31.9600 | ![]() | 407 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 165-LBGA | CY7C1315 | SRAM - 同步,QDR II | 1.7V~1.9V | 165-FBGA (13x15) | 下载 | 不符合RoHS标准 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 10 | 200兆赫 | 易挥发的 | 18兆比特 | 静态随机存储器 | 512K×36 | 平行线 | - | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1460AV25-200BZI | 62.5100 | ![]() | 35 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | 诺BL™ | 托盘 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 165-LBGA | CY7C1460 | SRAM-同步、SDR | 2.375V~2.625V | 165-FBGA (15x17) | 下载 | 不符合RoHS标准 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 5 | 200兆赫 | 易挥发的 | 36兆比特 | 3.2纳秒 | 静态随机存储器 | 1M×36 | 平行线 | - | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CYTMA545-48LQI36AC | 4.9100 | ![]() | 199 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 表面贴装 | 48-UFQFN 裸露焊盘 | 1.71V~5.5V、2.65V~5.5V | 48-QFN (6x6) | - | 2156-CYTMA545-48LQI36AC | 62 | I²C、SPI | - | 2线电容式 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S29GL064N90TFI060 | 6.4700 | ![]() | 2548 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | GL-N | 托盘 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 48-TFSOP(0.724英寸,18.40毫米宽) | S29GL064 | 或-NOR | 2.7V~3.6V | 48-TSOP | 下载 | 符合ROHS3标准 | -S29GL064N90TFI060 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 非活跃性 | 64兆比特 | 90纳秒 | 闪光 | 4M×16 | 平行线 | 90纳秒 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PALCE22V10-5PC | 7.0600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | 通孔 | 24-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | 4.75V~5.25V | 24-PDIP | 下载 | 不符合RoHS标准 | 3(168小时) | REACH旅行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 5纳秒 | 朋友 | 10 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CY7C1350G-166AXCB | 5.4700 | ![]() | 第359章 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | 诺BL™ | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 100-LQFP | CY7C1350 | SRAM-同步、SDR | 3.135V~3.6V | 100-TQFP (14x20) | 下载 | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 166兆赫 | 易挥发的 | 4.5兆比特 | 3.5纳秒 | 静态随机存储器 | 128K×36 | 平行线 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C106B-20VC | 1.7900 | ![]() | 第322章 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 28-BSOJ(0.300英寸,7.62毫米宽) | CY7C106 | SRAM - 异步 | 4.5V~5.5V | 28-SOJ | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 1兆比特 | 20纳秒 | 静态随机存储器 | 256K×4 | 平行线 | 20纳秒 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CG5978AT | - | ![]() | 5459 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 的积极 | - | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY62256VLL-70ZXIT | - | ![]() | 5190 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MoBL® | 大部分 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 28-TSSOP(0.465英寸,11.80毫米宽) | CY62256 | SRAM - 异步 | 2.7V~3.6V | 28-TSOP I | 下载 | 不适用 | EAR99 | 8542.32.0041 | 1,500人 | 易挥发的 | 256Kbit | 70纳秒 | 静态随机存储器 | 32K×8 | 平行线 | 70纳秒 | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1570KV18-400BZC | 211.8000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 165-LBGA | CY7C1570 | SRAM - 同步、DDR II+ | 1.7V~1.9V | 165-FBGA (13x15) | 下载 | 不符合RoHS标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 1 | 400兆赫 | 易挥发的 | 72兆比特 | 静态随机存储器 | 2M×36 | 平行线 | - | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C09349AV-102AXCKJ | 14.6700 | ![]() | 第396章 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 的积极 | 下载 | 供应商未定义 | REACH 不出行 | 2156-CY7C09349AV-102AXCKJ-428 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C199-20VCTQ | 0.9600 | ![]() | 401 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 28-BSOJ(0.300英寸,7.62毫米宽) | CY7C199 | SRAM - 异步 | 4.5V~5.5V | 28-SOJ | 下载 | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 256Kbit | 20纳秒 | 静态随机存储器 | 32K×8 | 平行线 | 20纳秒 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S34ML01G200TFB000 | - | ![]() | 9255 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | ML-2 | 托盘 | SIC停产 | -40℃~105℃(TA) | 表面贴装 | 48-TFSOP(0.724英寸,18.40毫米宽) | S34ML01 | NAND-NAND | 2.7V~3.6V | 48-TSOP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 非活跃性 | 1Gbit | 闪光 | 128M×8 | 平行线 | 25纳秒 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S70GL02GS12FHIV10 | 24.0000 | ![]() | 第881章 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | GL-S | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 64-FBGA | 或-NOR | 1.65V~3.6V | 64-FBGA (13x11) | - | 3277-S70GL02GS12FHIV10 | 180 | 非活跃性 | 2Gbit | 120纳秒 | 闪光 | 128M×16 | 平行线 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S29GL01GS11TFV020 | 11.8800 | ![]() | 第686章 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | GL-S | 托盘 | 的积极 | -40℃~105℃(TA) | 表面贴装 | 56-TFSOP(0.724英寸,18.40毫米宽) | S29GL01 | 或-NOR | 2.7V~3.6V | 56-TSOP | 下载 | 不符合RoHS标准 | 供应商未定义 | 50 | 非活跃性 | 1Gbit | 110纳秒 | 闪光 | 64米×16 | 平行线 | 60纳秒 | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| S26KS512SDPBHV020 | 12.5200 | ![]() | 250 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | HyperFlash™ KS | 大部分 | 的积极 | -40℃~105℃(TA) | 表面贴装 | 24-VBGA | S26KS512 | 或-NOR | 1.7V~1.95V | 24-FBGA (6x8) | 下载 | 24 | 166兆赫 | 非活跃性 | 512兆比特 | 96纳秒 | 闪光 | 64M×8 | 平行线 | - | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY8C5668AXI-LP034 | 18.2700 | ![]() | 20 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | PSOC® 5 CY8C56LP | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 100-LQFP | CY8C5668 | 100-TQFP (14x14) | 下载 | 20 | 62 | ARM® Cortex®-M3 | 32位单核 | 67兆赫 | I²C、LINbus、SPI、UART/USART、USB | CapSense、DMA、LCD、POR、PWM、WDT | 256KB(256K x 8) | 闪光 | 2K×8 | 64K×8 | 1.71V~5.5V | 模数转换器2x12b;数模4x8b | 内部的 | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S34ML04G200TFV000 | 3.5500 | ![]() | 6428 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | ML-2 | 大部分 | 过时的 | -40℃~105℃(TA) | 表面贴装 | 48-TFSOP(0.724英寸,18.40毫米宽) | S34ML04 | NAND-NAND | 2.7V~3.6V | 48-TSOP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2832-S34ML04G200TFV000 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 非活跃性 | 4G比特 | 闪光 | 512米×8 | 平行线 | 25纳秒 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CG6833AMT | - | ![]() | 3617 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 的积极 | - | 不适用 | 1(无限制) | 供应商未定义 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C433-20JC | 6.2700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | CY7C | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃ | 表面贴装 | 32-LCC(J导联) | 7C433 | 未验证 | 4.5V~5.5V | 32-PLCC (11.43x13.97) | 下载 | 不符合RoHS标准 | 3(168小时) | REACH旅行 | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | 同步化 | 33.3兆赫 | 64×9 | 20纳秒 | 55毫安 | 单向 | 深度、宽度 | 是的 | 不 | 不 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S29GL032N90BFI030 | 14.0000 | ![]() | 9639 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | GL-N | 托盘 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 48-VFBGA | S29GL032 | 或-NOR | 2.7V~3.6V | 48-FBGA (8.15x6.15) | 下载 | 不符合RoHS标准 | 不适用 | 供应商未定义 | 2832-S29GL032N90BFI030 | 3A991B1A | 8542.32.0050 | 5 | 非活跃性 | 32兆比特 | 90纳秒 | 闪光 | 4M×8、2M×16 | 平行线 | 90纳秒 | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY2302SXC-1KA | 3.1700 | ![]() | 第455章 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 倍频器、零延迟故障 | 是的 | LVCMOS、LVTTL | LVCMOS | 1 | 1:2 | 否/否 | 133兆赫 | 3.135V~3.465V、4.5V~5.5V | 8-SOIC | - | 是/是 | 2156-CY2302SXC-1KA | 95 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CS7226AAT | - | ![]() | 8059 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 的积极 | - | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C037V-15AXC | 35.6400 | ![]() | 57 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 包 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 100-LQFP | CY7C037 | SRAM - 双端口,异步 | 3V~3.6V | 100-TQFP (14x14) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 9 | 易挥发的 | 576Kbit | 15纳秒 | 静态随机存储器 | 32K×18 | 平行线 | 15纳秒 | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1518V18-250BZC | 136.3600 | ![]() | 第267章 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 165-LBGA | CY7C1518 | SRAM-同步、DDR II | 1.7V~1.9V | 165-FBGA (15x17) | 下载 | 不符合RoHS标准 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 250兆赫 | 易挥发的 | 72兆比特 | 静态随机存储器 | 4M×18 | 平行线 | - | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY8C21223-24SXIKP | - | ![]() | 4561 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | PSOC®1 CY8C21xxx | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 16-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | CY8C21223 | 16-SOIC | - | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | EAR99 | 8542.31.0001 | 1 | 12 | M8C | 8号 | 24兆赫 | I²C、SPI、UART/USART | 上电复位、脉宽调制、看门狗定时器 | 4KB(4K x 8) | 闪光 | - | 256×8 | 2.4V~5.25V | 模数转换器 8x8b | 内部的 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CS4542AM | - | ![]() | 8734 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 的积极 | - | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY8C24794-24LTXIKA | - | ![]() | 2613 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | PSOC®1 CY8C24xxx | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 56-VFQFN 裸露焊盘 | CY8C24794 | 56 锯切 QFN (8x8) | - | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | 0000.00.0000 | 1 | 50 | M8C | 8号 | 24兆赫 | I²C、SPI、UART/USART、USB | 上电复位、脉宽调制、看门狗定时器 | 16KB(16K x 8) | 闪光 | - | 1K×8 | 3V~5.25V | 模数转换器48x14b;数模2x9b | 内部的 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1018BV33-12VCT | 1.0800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 32-BSOJ(0.300英寸,7.62毫米宽) | CY7C1018 | SRAM - 异步 | 3V~3.6V | 32-SOJ | 下载 | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1,000 | 易挥发的 | 1兆比特 | 12纳秒 | 静态随机存储器 | 128K×8 | 平行线 | 12纳秒 |

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