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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 技术 | 输出类型 | sic可编程 | PLL | 输入 | 输出 | 电路数 | 比率-输入:输出 | 差分-输入:输出 | 频率 -最大 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | 分隔线/乘数 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 逻辑类型 | 电流 -输出高,低,低 | i/o的数量 | 大门数量 | 核心处理器 | 核心大小 | 速度 | 连接性 | 外围设备 | 程序内存大小 | 程序内存类型 | EEPROM大小 | ram大小 | 电压 -电源( -vcc/vdd) | 数据转换器 | 振荡器类型 | 时钟频率 | 可编程类型 | 宏观小球的数量 | ttpd(1)(1) | 电压电源 -内部 | 逻辑元素/块的数量 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 电路 | 独立电路 | t -t -传播 | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | sic可编程 |
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![]() | S25FL256SDPMFIG00 | 3.7900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | fl-s | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | S25FL256 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 16-Soic | 下载 | 80 | 66 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 闪光 | 32m x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1470V33-200AXC | 148.8400 | ![]() | 38 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | NOBL™ | 大部分 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | CY7C1470 | sram-同步,sdr | 3.135v〜3.6V | 100-TQFP(14x20) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 1 | 200 MHz | 易挥发的 | 72Mbit | 3 ns | SRAM | 2m x 36 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C168A-35PC | 4.6100 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 通过洞 | 20 DIP(0.300英寸,7.62mm) | CY7C168 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 20浸 | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 16kbit | 35 ns | SRAM | 4K x 4 | 平行线 | 35ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C15632KV18-500BZXC | 263.2600 | ![]() | 258 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C15632 | sram-同步,QDR II+ | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | rohs3符合条件 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 500 MHz | 易挥发的 | 72Mbit | SRAM | 4m x 18 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1383BV25-117BGC | 21.4700 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 119-BGA | CY7C1383 | sram-同步,sdr | 2.375V〜2.625V | 119-PBGA(14x22) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 117 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 7.5 ns | SRAM | 1m x 18 | 平行线 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1049G-10ZSXI | 5.3400 | ![]() | 59 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | CY7C1049 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 44-TSOP II | 下载 | Rohs不合规 | 供应商不确定 | 2156-CY7C1049G-10ZSXI | 59 | 易挥发的 | 4Mbit | 10 ns | SRAM | 512k x 8 | 平行线 | 10NS | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1425KV18-300BZXC | 46.4900 | ![]() | 124 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1425 | Sram-同步,QDR II | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | 7 | 300 MHz | 易挥发的 | 36mbit | SRAM | 4m x 9 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1347G-133BGXC | 7.2500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 119-BGA | CY7C1347 | sram-同步,sdr | 3.15v〜3.6V | 119-PBGA(14x22) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 42 | 133 MHz | 易挥发的 | 4.5mbit | 4 ns | SRAM | 128K x 36 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1021BNL-15VXCT | 2.9100 | ![]() | 500 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 44-bsoj(0.400英寸,10.16mm宽度) | CY7C1021 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 44-SOJ | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 104 | 易挥发的 | 1Mbit | 15 ns | SRAM | 64k x 16 | 平行线 | 15ns | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C11681KV18-450BZC | 48.1000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C11681 | sram-同步,DDR II+ | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | Rohs不合规 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 450 MHz | 易挥发的 | 18mbit | SRAM | 1m x 18 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C037V-15AXC | 35.6400 | ![]() | 57 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 包 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | CY7C037 | sram-双端口,异步 | 3v〜3.6V | 100-TQFP(14x14) | 下载 | rohs3符合条件 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 9 | 易挥发的 | 576kbit | 15 ns | SRAM | 32K x 18 | 平行线 | 15ns | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY62157EV30LL-55SXE | - | ![]() | 2891 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MOBL® | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | - | - | CY62157 | sram-异步 | 2.2v〜3.6V | - | 下载 | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 8mbit | 55 ns | SRAM | 512k x 16 | 平行线 | 55ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S34ML02G104BHA010 | 3.7400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | ML-1 | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | S34ML02 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 63-BGA(11x9) | 下载 | Rohs不合规 | 2832-S34ML02G104BHA010-TR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 非易失性 | 2Gbit | 闪光 | 128m x 16 | 平行线 | 25ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY2309ZXI-1HKA | 9.4600 | ![]() | 196 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 16-TSSOP (0.173“,4.40mm宽度) | 零延迟缓冲区 | 是的旁路 | lvcmos,lvttl | lvcmos | 1 | 1:9 | 否/否 | 133.33MHz | 3v〜3.6V | 16-TSSOP | - | 否/否 | 2156-CY2309ZXI-1HKA | 32 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7B994V-2AXC | 42.4400 | ![]() | 557 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | Roboclock™ | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C | 表面安装 | 100-LQFP | 时钟缓冲区,扇形发行 | CY7B994 | 是的 | lvpecl,lvttl | lvttl | 1 | 4:18 | 否/否 | 200MHz | 2.97v〜3.63V | 100-TQFP(14x14) | 下载 | 是/是 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 1 | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY62157EV18LL-55BVXI | - | ![]() | 9475 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MOBL® | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-VFBGA | CY62157 | sram-异步 | 1.65V〜2.25V | 48-VFBGA(6x8) | 下载 | 41 | 易挥发的 | 8mbit | 55 ns | SRAM | 512k x 16 | 平行线 | 55ns | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY8C24094-24BVXI | 14.4500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | PSOC®1CY8C24XXX | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-VFBGA | CY8C24094 | 100-vfbga(6x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.31.0001 | 21 | 56 | M8C | 8位 | 24MHz | i²c,spi,uart/usart,USB | Por,PWM,WDT | 16KB(16k x 8) | 闪光 | - | 1k x 8 | 3v〜5.25V | A/D 48x14b; D/A 2x9b | 内部的 | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY39100V208B-200NTC | 84.4600 | ![]() | 7592 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | Delta 39K™ISR™ | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 208-BFQFP | 未行业行业经验证 | 208-PQFP(28x28) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 136 | 144000 | 系统内重编程™ISR™) | 1536年 | 7.5 ns | 2.3v〜2.7V,3v〜3.6 | 192 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1360C-200AJXC | - | ![]() | 5086 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | CY7C1360 | sram-同步,sdr | 3.135v〜3.6V | 100-TQFP(14x20) | 下载 | 1 | 200 MHz | 易挥发的 | 9Mbit | 3 ns | SRAM | 256K x 36 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY62126DV30L-55BVXE | 0.9600 | ![]() | 860 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MOBL® | 托盘 | 过时的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 48-VFBGA | CY62126 | sram-异步 | 2.2v〜3.6V | 48-VFBGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.32.0041 | 314 | 易挥发的 | 1Mbit | 55 ns | SRAM | 64k x 16 | 平行线 | 55ns | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY27C256A-70WI | - | ![]() | 6369 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 通过洞 | 28-CDIP (0.600英寸,15.24毫米) | CY27C256 | EPROM -UV | 4.5V〜5.5V | 28-Cerdip | 下载 | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.32.0061 | 1 | 非易失性 | 256kbit | 70 ns | EPROM | 32K x 8 | 平行线 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1021CV33-15VI | 0.9300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-bsoj(0.400英寸,10.16mm宽度) | CY7C1021 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 44-SOJ | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达受影响 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 1Mbit | 15 ns | SRAM | 64k x 16 | 平行线 | 15ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CG7792AA | 1.0000 | ![]() | 6659 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 不适用 | 1 | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PY2292F | - | ![]() | 7824 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 积极的 | 未行业行业经验证 | - | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1564XV18-366BZC | 214.1800 | ![]() | 348 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1564 | sram-同步,QDR II+ | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | Rohs不合规 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 366 MHz | 易挥发的 | 72Mbit | SRAM | 2m x 36 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY74FCT573ATQCT | 0.3700 | ![]() | 21 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | 74fct | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C | 表面安装 | 20ssop (0.154英寸,3.90mm) | 74FCT573 | 三州 | 4.75V〜5.25V | 20-SSOP/QSOP | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | D | 32mA,64mA | 8:8 | 1 | 2NS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | W48S87-72H | 2.2400 | ![]() | 4490 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 48-bessop(0.295英寸,7.50mm宽度) | 频率生成器 | 是的 | 水晶 | 钟 | 2 | 1:24 | 否/否 | 14.318MHz,24MHz,48MHz | 2.375v〜2.625v,3.135V〜3.465V | 48-SSOP | 下载 | 否/否 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CS7277AT | - | ![]() | 6512 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 2,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1514AV18-200BZXI | 173.0800 | ![]() | 348 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1514 | Sram-同步,QDR II | 1.7V〜1.9V | 165-fbga(15x17) | 下载 | rohs3符合条件 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 200 MHz | 易挥发的 | 72Mbit | SRAM | 2m x 36 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1021CV26-15XEKJ | 3.8100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 供应商不确定 | 到达不受影响 | 2156-CY7C1021CV26-15XEKJ-428 | 1 |
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