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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 应用领域 | 安装类型 | 包装/箱 | 类型 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 电压 - 输入 | 输出类型 | SIC | 锁相环 | 输入 | 输出 | 其中 - 输入:输出 | 分数 - 输入:输出 | 频率 - 最大 | 电压 - 电源 | 供应商设备包 | 数据表 | 除法器/乘法器 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 逻辑类型 | 元件数量 | 每个要素的补充 | 当前-产出高、低 | 功能 | 输入/输出数量 | 核心处理器 | 核心尺寸 | 速度 | 连接性 | 周边设备 | 程序内存大小 | 程序存储器类型 | EEPROM大小 | 内存大小 | 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) | 数据转换器 | 振荡器类型 | 数据速率 | 界面 | 时钟频率 | 便捷型 | 控制器系列 | 内存类型 | 内存大小 | 访QQT | 电流 - 电源(最大) | 巴士定向 | 扩展型 | 最小标志支持 | 重传能力 | FWFT支持 | 内存格式 | 记忆组织 | 内存接口 | 周期写入T - 字、页 | SIC |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CY2545FI | 4.2600 | ![]() | 20 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 的积极 | - | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY27C256A-90ZC | 2.1900 | ![]() | 5180 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 32-TFSOP(0.724英寸,18.40毫米宽) | CY27C256 | EPROM-OTP | 4.5V~5.5V | 32-TSOP I | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 3(168小时) | REACH旅行 | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | 非活跃性 | 256Kbit | 90纳秒 | EPROM | 32K×8 | 平行线 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1041CV33-15ZXC | 3.9000 | ![]() | 第423章 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 包 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 44-TSOP(0.400英寸,10.16毫米宽) | CY7C1041 | SRAM - 异步 | 3V~3.6V | 44-TSOP II | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 77 | 易挥发的 | 4兆比特 | 15纳秒 | 静态随机存储器 | 256K×16 | 平行线 | 15纳秒 | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STK14D88-RF35 | 5.2700 | ![]() | 109 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 48-BSSOP(0.295英寸,7.50毫米宽) | STK14D88 | NVSRAM(非易失性SRAM) | 2.7V~3.6V | 48-SSOP | 下载 | 符合ROHS3标准 | EAR99 | 8542.32.0041 | 57 | 非活跃性 | 256Kbit | 35纳秒 | 非静态随机仓库 | 32K×8 | 平行线 | 35纳秒 | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY8CLED01D01-56LTXQ | - | ![]() | 9516 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | PowerPSoC® CY8CLED | 大部分 | 过时的 | -40℃~105℃ | 智能LED驱动器 | 表面贴装 | 56-VFQFN 裸露焊盘 | 4.75V~5.25V | 56-QFN (8x8) | 下载 | 8 | 14 | M8C | 边框 (16KB) | 1K×8 | DALI、DMX512、I²C、IrDA、SPI、UART/USART | CY8CLED | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1470V33-200AXC | 148.8400 | ![]() | 38 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | 诺BL™ | 大部分 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 100-LQFP | CY7C1470 | SRAM-同步、SDR | 3.135V~3.6V | 100-TQFP (14x20) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 1 | 200兆赫 | 易挥发的 | 72兆比特 | 3纳秒 | 静态随机存储器 | 2M×36 | 平行线 | - | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PAL16L8-5JC | 7.0000 | ![]() | 71 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | PAL16L8 | 大部分 | 过时的 | 表面贴装 | 20-PLCC | 5V | - | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 5纳秒 | 朋友 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C057V-15AXC | 46.6500 | ![]() | 第735章 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 144-LQFP | CY7C057 | SRAM - 双端口,异步 | 3V~3.6V | 144-TQFP (20x20) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 60 | 易挥发的 | 1.152Mbit | 15纳秒 | 静态随机存储器 | 32K×36 | 平行线 | 15纳秒 | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY74FCT2245ATSOCT | 0.2200 | ![]() | 21 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | 74FCT | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 20-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | 74FCT2245 | - | 三态 | 4.75V~5.25V | 20-SOIC | 下载 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 收发器,同相 | 1 | 8 | 15毫安、12毫安 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C136-25JXI | - | ![]() | 2505 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 52-LCC(J导联) | CY7C136 | SRAM - 双端口,异步 | 4.5V~5.5V | 52-PLCC (19.13x19.13) | 下载 | 符合ROHS3标准 | EAR99 | 8542.32.0041 | 15 | 易挥发的 | 16Kbit | 25纳秒 | 静态随机存储器 | 2K×8 | 平行线 | 25纳秒 | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY2907SL-367T | 0.8400 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 的积极 | 下载 | 供应商未定义 | REACH旅行 | 2156-CY2907SL-367T-428 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C128A-20SCT | 4.0000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | CY7C128A | SRAM - 异步 | 4.5V~5.5V | 下载 | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | EAR99 | 8542.32.0041 | 1,000 | 易挥发的 | 16Kbit | 20纳秒 | 静态随机存储器 | 2K×8 | 平行线 | 20纳秒 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY62128BNLL-70ZAXE | 2.4500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MoBL® | 管子 | 过时的 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | 32-TFSOP(0.465英寸,11.80毫米宽) | CY62128 | SRAM - 异步 | 4.5V~5.5V | 32-sTSOP | 下载 | 符合ROHS3标准 | EAR99 | 8542.32.0041 | 123 | 易挥发的 | 1兆比特 | 70纳秒 | 静态随机存储器 | 128K×8 | 平行线 | 70纳秒 | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY8C28413-24PVXI | - | ![]() | 2428 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | PSOC®1 CY8C28xxx | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 28-SSOP(0.209英寸,5.30毫米宽) | CY8C28413 | 28-SSOP | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 不适用 | 供应商未定义 | EAR99 | 8542.31.0000 | 36 | 24 | M8C | 8号 | 24兆赫 | I²C、IrDA、SPI、UART/USART | LVD、POR、PWM、WDT | 16KB(16K x 8) | 闪光 | - | 1K×8 | 3V~5.25V | 模数转换器4x14b;数模4x9b | 内部的 | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY62126DV30LL-70ZI | 1.3400 | ![]() | 991 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MoBL® | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 44-TSOP(0.400英寸,10.16毫米宽) | CY62126 | SRAM - 异步 | 2.2V~3.6V | 44-TSOP II | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 3(168小时) | REACH旅行 | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 1兆比特 | 70纳秒 | 静态随机存储器 | 64K×16 | 平行线 | 70纳秒 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1415AV18-250BZC | 47.0800 | ![]() | 94 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 165-LBGA | CY7C1415 | SRAM - 同步,QDR II | 1.7V~1.9V | 165-FBGA (15x17) | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 250兆赫 | 易挥发的 | 36兆比特 | 静态随机存储器 | 1M×36 | 平行线 | - | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1414AV18-200BZI | 45.5000 | ![]() | 51 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 165-LBGA | CY7C1414 | SRAM - 同步,QDR II | 1.7V~1.9V | 165-FBGA (15x17) | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 7 | 200兆赫 | 易挥发的 | 36兆比特 | 静态随机存储器 | 1M×36 | 平行线 | - | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1460AV25-167AXCT | 55.8900 | ![]() | 20 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | 诺BL™ | 大部分 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 100-LQFP | CY7C1460 | SRAM-同步、SDR | 2.375V~2.625V | 100-TQFP (14x20) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 750 | 167兆赫 | 易挥发的 | 36兆比特 | 3.4纳秒 | 静态随机存储器 | 1M×36 | 平行线 | - | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP7140AT | - | ![]() | 3047 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 的积极 | - | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY8CTST200A-24LQXI | 2.9100 | ![]() | 19号 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | TrueTouch™ | 托盘 | 过时的 | -40℃~85℃ | 触摸屏控制器 | 表面贴装 | 24-UFQFN 裸露焊盘 | CY8CTST200 | 1.8V | 24-QFN (4x4) | 下载 | 不适用 | EAR99 | 104 | 20 | M8C | 阑 (32kB) | 2K×8 | I²C、SPI、UART/USART、USB | CY8CT | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S25FS064SDSMFV010 | 1.8800 | ![]() | 311 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | FS-S | 大部分 | 过时的 | -40℃~105℃(TA) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.209英寸,5.30毫米宽) | S25FS064 | 或-NOR | 1.7V~2V | 8-SOIC | 下载 | 160 | 80兆赫 | 非活跃性 | 64兆比特 | 闪光 | 8M×8 | SPI——四路I/O | - | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C4225-25AC | 6.0600 | ![]() | 168 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | CY7C | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃ | 表面贴装 | 64-LQFP | 7C4225 | 未验证 | 4.5V~5.5V | 64-TQFP (14x14) | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 3(168小时) | REACH旅行 | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | 同步化 | 40兆赫 | 2K×9 | 15纳秒 | 45毫安 | 单向 | 深度、宽度 | 是的 | 不 | 不 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S29GL01GS11FHIV13 | 7.8700 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | GL-S | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 64-LBGA | S29GL01 | 或-NOR | 1.65V~3.6V | 64-FBGA (13x11) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2832-S29GL01GS11FHIV13-TR | 64 | 非活跃性 | 1Gbit | 110纳秒 | 闪光 | 64米×16 | 平行线 | 60纳秒 | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CYISM530AZXC | 2.3300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 表面贴装 | 20-TSSOP(0.173英寸,4.40毫米宽) | - | CYISM | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.31.0001 | 129 | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY62147DV30L-70ZSXI | 2.3100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MoBL® | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 44-TSOP(0.400英寸,10.16毫米宽) | CY62147 | SRAM - 异步 | 2.2V~3.6V | 44-TSOP II | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | 供应商未定义 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 4兆比特 | 70纳秒 | 静态随机存储器 | 256K×16 | 平行线 | 70纳秒 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY8C4014SXI7-421 | 23.7400 | ![]() | 136 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | PSOC® 4 CY8C4000 | 大部分 | 不适合新设计 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 16-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | CY8C4014 | 16-SOIC | - | 不适用 | 供应商未定义 | 可根据要求提供REACH信息 | 2832-CY8C4014SXI7-421 | 3A991A3 | 8542.31.0001 | 1 | 13 | ARM® Cortex®-M0 | 32位单核 | 16兆赫 | I²C | 欠压检测/复位、POR、PWM、WDT | 16KB(16K x 8) | 闪光 | - | 2K×8 | 1.71V~5.5V | 数模1x7b、1x8b | 内部的 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| S26KS256SDGBHV030A | 8.6600 | ![]() | 第840章 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | HyperFlash™ KS | 大部分 | 的积极 | -40℃~105℃(TA) | 表面贴装 | 24-VBGA | S26KS256 | 或-NOR | 1.7V~1.95V | 24-FBGA (6x8) | 下载 | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 133兆赫 | 非活跃性 | 256兆比特 | 96纳秒 | 闪光 | 32M×8 | 平行线 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY14B104LA-BA45XI | 24.5800 | ![]() | 57 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 48-TFBGA | CY14B104 | NVSRAM(非易失性SRAM) | 2.7V~3.6V | 48-FBGA (6x10) | 下载 | 13 | 非活跃性 | 4兆比特 | 45纳秒 | 非静态随机仓库 | 512K×8 | 平行线 | 45纳秒 | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STK14C88-5K35M | 2.0000 | ![]() | 4049 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -55℃~125℃(TA) | 通孔 | 32-CDIP(0.300英寸,7.62毫米) | STK14C88 | NVSRAM(非易失性SRAM) | 4.5V~5.5V | 32-CDIP | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 2832-STK14C88-5K35M | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 1 | 非活跃性 | 256Kbit | 35纳秒 | 非静态随机仓库 | 32K×8 | 平行线 | 35纳秒 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S34ML02G104BHB013 | 3.2000年 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | 汽车、AEC-Q100、ML-1 | 卷带式 (TR) | 过时的 | -40℃~105℃(TA) | 表面贴装 | 63-VFBGA | S34ML02 | NAND-NAND | 2.7V~3.6V | 63-BGA (11x9) | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 2832-S34ML02G104BHB013-TR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 157 | 非活跃性 | 2Gbit | 闪光 | 128米×16 | 平行线 | 25纳秒 |

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