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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | sic可编程 | PLL | 主要目的 | 输入 | 输出 | 电路数 | 比率-输入:输出 | 差分-输入:输出 | 频率 -最大 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 功能 | i/o的数量 | 核心处理器 | 核心大小 | 速度 | 连接性 | 外围设备 | 程序内存大小 | 程序内存类型 | EEPROM大小 | ram大小 | 电压 -电源( -vcc/vdd) | 数据转换器 | 振荡器类型 | 数据速率 | 界面 | 时钟频率 | 控制器系列 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 电流 -供应(最大) | 公共汽车方向 | 扩展类型 | 可编程标志支持 | 重传功能 | fwft支持 | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | sic可编程 |
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![]() | CY14B101K-SP35XC | 20.2300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 48-bessop(0.295英寸,7.50mm宽度) | CY14B101 | NVSRAM(SRAM) | 2.7V〜3.6V | 48-SSOP | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.32.0041 | 15 | 非易失性 | 1Mbit | 35 ns | NVSRAM | 128K x 8 | 平行线 | 35ns | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C188-20VC | - | ![]() | 8710 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 32-bsoj(0.300英寸,7.62mm宽度) | CY7C188 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 32-soj | 下载 | Rohs不合规 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 288kbit | 20 ns | SRAM | 32k x 9 | 平行线 | 20NS | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S26KL128SDABHB020 | 5.9400 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 3(168)) | 到达不受影响 | 2156-S26KL128SDABHB020-428 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY62148DV30L-70BVI | 1.8200 | ![]() | 3647 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MOBL® | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-VFBGA | CY62148 | sram-异步 | 2.2v〜3.6V | 48-VFBGA(6x8) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 4Mbit | 70 ns | SRAM | 512k x 8 | 平行线 | 70NS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C025-35 | 25.7300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | CY7C025 | sram-双端口,异步 | 4.5V〜5.5V | 100-TQFP(14x14) | 下载 | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1,500 | 易挥发的 | 128kbit | 35 ns | SRAM | 8k x 16 | 平行线 | 35ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C25632KV18-550BZXI | 355.5400 | ![]() | 157 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C25632 | sram-同步,QDR II+ | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | 1 | 550 MHz | 易挥发的 | 72Mbit | SRAM | 4m x 18 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
S26KS128SDPBHN020 | 7.4200 | ![]() | 658 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | HyperFlash™KS | 托盘 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 24-vbga | S26KS128 | 闪光灯 -也不 | 1.7V〜1.95V | 24-fbga(6x8) | 下载 | 100 | 166 MHz | 非易失性 | 128mbit | 96 ns | 闪光 | 16m x 8 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1011CV33-15BVC | 4.1400 | ![]() | 860 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 48-VFBGA | CY7C1011 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 48-VFBGA(6x8) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 2Mbit | 15 ns | SRAM | 128K x 16 | 平行线 | 15ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C421-30PC | - | ![]() | 3938 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | CY7C | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C | 通过洞 | 28- 浸(0.300英寸,7.62mm) | 7C421 | 未行业行业经验证 | 4.5 v〜5.5 v | 28-pdip | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 异步 | 25MHz | 512 x 9 | 30ns | 40mA | 单向 | 深度,宽度 | 不 | 是的 | 不 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1565KV18-400BZXC | 202.6000 | ![]() | 67 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1565 | sram-同步,QDR II+ | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | 1 | 400 MHz | 易挥发的 | 72Mbit | SRAM | 2m x 36 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY8CTMA1036BUI-33 | - | ![]() | 7521 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 托盘 | 积极的 | 下载 | 不适用 | 1 | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C037AV-20AXI | 33.8000 | ![]() | 258 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | CY7C037 | sram-双端口,异步 | 3v〜3.6V | 100-TQFP(14x14) | 下载 | rohs3符合条件 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 9 | 易挥发的 | 576kbit | 20 ns | SRAM | 32K x 18 | 平行线 | 20NS | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1515JV18-167BZI | 162.5000 | ![]() | 363 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1515 | Sram-同步,QDR II | 1.7V〜1.9V | 165-fbga(15x17) | 下载 | Rohs不合规 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2 | 167 MHz | 易挥发的 | 72Mbit | SRAM | 2m x 36 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S99ML01G10042 | - | ![]() | 1956年 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 在sic中停产 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY62148CV30LL-55BVI | 2.3100 | ![]() | 927 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MOBL2™ | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 36-vfbga | CY62148 | sram-异步 | 2.7V〜3.3V | 36-vfbga(6x8) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 4Mbit | 55 ns | SRAM | 512k x 8 | 平行线 | 55ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY8C4014SXI7-421 | 23.7400 | ![]() | 136 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | PSOC®4CY8C4000 | 大部分 | 不适合新设计 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.154英寸,宽度为3.90mm) | CY8C4014 | 16-Soic | - | 不适用 | 供应商不确定 | 根据要求获得可用的信息 | 2832-CY8C4014SXI7-421 | 3A991A3 | 8542.31.0001 | 1 | 13 | ARM®Cortex®-M0 | 32位单核 | 16MHz | i²c | 褐色检测/重置,Por,PWM,WDT | 16KB(16k x 8) | 闪光 | - | 2k x 8 | 1.71V〜5.5V | D/A 1x7b,1x8b | 内部的 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY62148DV30LL-70BVIT | 2.0400 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MOBL® | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-VFBGA | CY62148 | sram-异步 | 2.2v〜3.6V | 48-VFBGA(6x8) | 下载 | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 易挥发的 | 4Mbit | 70 ns | SRAM | 512k x 8 | 平行线 | 70NS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S34MS02G104BHV010 | - | ![]() | 8902 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MS-1 | 托盘 | 在sic中停产 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | S34MS02 | 闪存-NAND | 1.7V〜1.95V | 63-BGA(11x9) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 210 | 非易失性 | 2Gbit | 45 ns | 闪光 | 128m x 16 | 平行线 | 45ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1415KV18-333BZI | 53.9900 | ![]() | 258 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1415 | Sram-同步,QDR II | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | Rohs不合规 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 6 | 333 MHz | 易挥发的 | 36mbit | SRAM | 1m x 36 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1911KV18-300BZC | 32.2500 | ![]() | 85 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1911 | Sram-同步,QDR II | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 10 | 300 MHz | 易挥发的 | 18mbit | SRAM | 2m x 9 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STK17TA8-RF25I | 15.6000 | ![]() | 967 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 供应商不确定 | 到达不受影响 | 2156-STK17TA8-RF25I-428 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY2310ANZPVC-1 | 5.1400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 28SSOP(0.209英寸,宽度为5.30mm) | 未行业行业经验证 | 不 | 英特尔CPU,SRAM SO-DIMMS | lvcmos,lvttl | lvcmos | 1 | 1:10 | 否/否 | 100MHz | 3.135V〜3.465V | 28 sop | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY14B102NS-BA45XC | 24.5400 | ![]() | 419 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 48-TFBGA | CY14B102 | NVSRAM(SRAM) | 2.7V〜3.6V | 48-fbga(6x10) | - | 13 | 非易失性 | 2Mbit | 45 ns | NVSRAM | 128K x 16 | 平行线 | 45ns | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY8C20396-24LQXI | 2.9500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | Capsense®控制器 | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C | 电容感应 | 表面安装 | 24-UFQFN暴露垫 | CY8C20396 | 1.71V〜5.5V | 24 QFN (4x4) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 供应商不确定 | 102 | 19 | M8C | Flash((16KB) | 2k x 8 | I²C,Spi,USB | CY8C20XX6 | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C166-25VCT | 1.7100 | ![]() | 16 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 24-bsoj(0.300英寸,7.62mm宽度) | CY7C166 | sram-标准 | 4.5V〜5.5V | 24-SOJ | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1,000 | 易挥发的 | 64kbit | 25 ns | SRAM | 16k x 4 | 平行线 | 25ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1614KV18-250BZC | 213.1000 | ![]() | 101 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1614 | Sram-同步,QDR II | 1.7V〜1.9V | 165-fbga(15x17) | 下载 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 250 MHz | 易挥发的 | 144Mbit | SRAM | 4m x 36 | 平行线 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY8C21123-24SXI | - | ![]() | 9983 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | PSOC®1CY8C21XXX | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | CY8C21123 | 8-SOIC | 下载 | 1 | 6 | M8C | 8位 | 24MHz | i²c,spi,uart/usart | Por,PWM,WDT | 4KB (4k x 8) | 闪光 | - | 256 x 8 | 2.4V〜5.25V | A/D 8x8b | 内部的 | 经过验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1380C-225AC | 13.7100 | ![]() | 5938 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | CY7C1380 | sram-同步,sdr | 3.135v〜3.6V | 100-TQFP(14x20) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 200 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 3 ns | SRAM | 512k x 36 | 平行线 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MB9AF155NAPMC-G-JNE2 | - | ![]() | 9779 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | FM3 MB9A150RA | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | MB9AF155 | 100-LQFP(14x14) | 下载 | 不适用 | 3A991A2 | 8542.39.0001 | 70 | 83 | ARM®Cortex®-M3 | 32位单核 | 40MHz | CSIO,EBI/EMI,I²C,SPI,UART/USART | DMA,LVD,POR,PWM,WDT | 416KB (416K x 8) | 闪光 | - | 48k x 8 | 1.65V〜3.6V | A/D 24x12b | 内部的 | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1163KV18-450BZC | 37.4700 | ![]() | 494 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1163 | sram-同步,QDR II+ | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | Rohs不合规 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 450 MHz | 易挥发的 | 18mbit | SRAM | 1m x 18 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 |
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