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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 类型 | 基本产品编号 | 技术 | SIC | 锁相环 | 主要目的 | 输入 | 输出 | 电路数量 | 其中 - 输入:输出 | 分数 - 输入:输出 | 频率 - 最大 | 电压 - 电源 | 供应商设备包 | 数据表 | 除法器/乘法器 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 功能 | 输入/输出数量 | 核心处理器 | 核心尺寸 | 速度 | 连接性 | 周边设备 | 程序内存大小 | 程序存储器类型 | EEPROM大小 | 内存大小 | 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) | 数据转换器 | 振荡器类型 | 数据速率 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QQT | 电流 - 电源(最大) | 巴士定向 | 扩展型 | 最小标志支持 | 重传能力 | FWFT支持 | 内存格式 | 记忆组织 | 内存接口 | 周期写入T - 字、页 | SIC |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CY7C1019B-12ZXCT | 1.1200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 32-SOIC(0.400英寸,10.16毫米宽) | CY7C1019 | SRAM - 异步 | 4.5V~5.5V | 32-TSOP II | 下载 | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1,000 | 易挥发的 | 1兆比特 | 12纳秒 | 静态随机存储器 | 128K×8 | 平行线 | 12纳秒 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY62128EV30LL-45ZXA | 3.9200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MoBL® | 大部分 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 32-TFSOP(0.724英寸,18.40毫米宽) | CY62128 | SRAM - 异步 | 2.2V~3.6V | 32-TSOP I | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.32.0041 | 77 | 易挥发的 | 1兆比特 | 45纳秒 | 静态随机存储器 | 128K×8 | 平行线 | 45纳秒 | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1021DV33-10BVXIKB | 1.9100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 的积极 | 下载 | 供应商未定义 | REACH 不出行 | 2156-CY7C1021DV33-10BVXIKB-428 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C4271V-10JXC | - | ![]() | 3309 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | CY7C | 托盘 | 过时的 | 0℃~70℃ | 表面贴装 | 32-LCC(J导联) | 7C4271 | 3V~3.6V | 32-PLCC (11.43x13.97) | 下载 | 符合ROHS3标准 | EAR99 | 8542.32.0071 | 30 | 同步化 | 100兆赫兹 | 288K(32K x 9) | 8纳秒 | 25毫安 | 单向 | 深度、宽度 | 是的 | 不 | 不 | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1380F-167BGC | 34.8100 | ![]() | 第555章 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 119-BGA | CY7C1380 | SRAM-同步、SDR | 3.135V~3.6V | 119-PBGA (14x22) | 下载 | 不符合RoHS标准 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 9 | 167兆赫 | 易挥发的 | 18兆比特 | 3.4纳秒 | 静态随机存储器 | 512K×36 | 平行线 | - | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C429-15VC | 4.6300 | ![]() | 8740 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | CY7C | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃ | 表面贴装 | 28-BSOJ(0.300英寸,7.62毫米宽) | 7C429 | 未验证 | 4.5V~5.5V | 28-SOJ | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | 阿里 | 40兆赫兹 | 2K×9 | 15纳秒 | 65毫安 | 单向 | 深度、宽度 | 不 | 是的 | 不 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY25423FSXI | 4.1600 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 的积极 | 下载 | 供应商未定义 | REACH 不出行 | 2156-CY25423FSXI-428 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S34ML02G100TFA003 | - | ![]() | 7310 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | ML-1 | 卷带式 (TR) | SIC停产 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 48-TFSOP(0.724英寸,18.40毫米宽) | S34ML02 | NAND-NAND | 2.7V~3.6V | 48-TSOP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非活跃性 | 2Gbit | 闪光 | 256M×8 | 平行线 | 25纳秒 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY28381OC | 2.1300 | ![]() | 第971章 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 48-BSSOP(0.295英寸,7.50毫米宽) | 时钟合成器 | 是的 | 时钟、水晶 | 钟 | 1 | 1:19 | 否/是 | 24兆赫、48兆赫 | 3.135V~3.465V | 48-SSOP | 下载 | 是/否 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FM25V01-G | - | ![]() | 2267 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | F-RAM™ | 管子 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | FM25V01 | FRAM(铁电RAM) | 2V~3.6V | 8-SOIC | 下载 | 不符合RoHS标准 | 不适用 | 供应商未定义 | 2832-FM25V01-G | 1 | 40兆赫 | 非活跃性 | 128Kbit | 铁电存储器 | 16K×8 | SPI | - | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1011CV33-10ZI | 8.8100 | ![]() | 69 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 32-SOIC(0.400英寸,10.16毫米宽) | CY7C1011 | SRAM - 异步 | 3V~3.6V | 32-TSOP II | 下载 | 不符合RoHS标准 | 3(168小时) | REACH旅行 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 2兆比特 | 10纳秒 | 静态随机存储器 | 128K×16 | 平行线 | 10纳秒 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1041BV33L-20ZI | 16.0000 | ![]() | 第479章 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 44-TSOP(0.400英寸,10.16毫米宽) | CY7C1041 | SRAM - 异步 | 3V~3.6V | 44-TSOP II | 下载 | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 4兆比特 | 20纳秒 | 静态随机存储器 | 256K×16 | 平行线 | 20纳秒 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY2318ANZPVC-11 | 5.5600 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | 0℃~70℃ | 表面贴装 | 48-BSSOP(0.295英寸,7.50毫米宽) | CY2318 | 不 | 英特尔CPU、内存、SRAM DIMM | LVCMOS、LVTTL | LVCMOS | 1 | 1:18 | 否/否 | 100兆赫兹 | 3.135V~3.465V | 48-SSOP | 下载 | 不符合RoHS标准 | EAR99 | 8542.39.0001 | 54 | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY2309SXC-1HKP | 4.0000 | ![]() | 150 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 16-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 零延迟故障 | 是,带旁路 | LVCMOS、LVTTL | LVCMOS | 1 | 1:9 | 否/否 | 133.33兆赫 | 3V~3.6V | 16-SOIC | - | 否/否 | 2156-CY2309SXC-1HKP | 75 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S34ML02G200BHI503 | - | ![]() | 3550 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | ML-2 | 卷带式 (TR) | SIC停产 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 63-VFBGA | S34ML02 | NAND-NAND | 2.7V~3.6V | 63-BGA (11x9) | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,300 | 非活跃性 | 2Gbit | 闪光 | 256M×8 | 平行线 | 25纳秒 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY2304SXI-1KA | 9.5200 | ![]() | 208 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 的积极 | - | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | EAR99 | 8542.39.0001 | 32 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY8C5488LTI-LP093 | 6.9800 | ![]() | 70 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | PSOC® 5 CY8C54LP | 大部分 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 68-VFQFN 裸露焊盘 | CY8C5488 | 68-QFN (8x8) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 43 | 38 | ARM® Cortex®-M3 | 32位单核 | 80兆赫 | I²C、LINbus、SPI、UART/USART、USB | CapSense、DMA、LCD、POR、PWM、WDT | 256KB(256K x 8) | 闪光 | 2K×8 | 64K×8 | 1.71V~5.5V | 模数转换器1x12b;数模2x8b | 内部的 | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY25404ZXI012KO | 8.8200 | ![]() | 第428章 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 20-TSSOP(0.173英寸,4.40毫米宽) | 扩频时钟发生器 | 是的 | 时钟、水晶 | 钟 | 1 | 1:9 | 否/否 | 166兆赫 | 2.25V~3.6V | 20-TSSOP | - | 是/否 | 2156-CY25404ZXI012KO | 35 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY8C21434B-24LQXI | - | ![]() | 1221 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | PSOC®1 CY8C21xxx | 大部分 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 32-XFQFN 裸露焊盘 | CY8C21434 | 32-QFN (5x5) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 1 | 28 | M8C | 8号 | 24兆赫 | I²C、SPI、UART/USART | 上电复位、脉宽调制、看门狗定时器 | 8KB(8K x 8) | 闪光 | - | 512×8 | 2.4V~5.25V | 模数28x8b | 内部的 | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S29GL01GT10FAI030 | 19.6700 | ![]() | 160 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | 汽车、AEC-Q100、GL-T | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 64-LBGA | S29GL01 | 或-NOR | 2.7V~3.6V | 64-FBGA (13x11) | 下载 | 不符合RoHS标准 | 不适用 | 供应商未定义 | 2832-S29GL01GT10FAI030 | 3A991B1A | 8542.32.0070 | 26 | 非活跃性 | 1Gbit | 100纳秒 | 闪光 | 128M×8 | 平行线 | 60纳秒 | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C425-10PC | 6.2400 | ![]() | 311 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | CY7C | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃ | 通孔 | 28-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | 7C425 | 未验证 | 4.5V~5.5V | 28-PDIP | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | 同步化 | 50兆赫 | 8K×9 | 10纳秒 | 85毫安 | 单向 | 深度、宽度 | 是的 | 不 | 不 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY62256LL-70ZRIT | 1.1400 | ![]() | 16 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MoBL® | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 28-TSSOP(0.465英寸,11.80毫米宽) | CY62256 | SRAM - 异步 | 4.5V~5.5V | 28-TSOP I | 下载 | 不符合RoHS标准 | 3(168小时) | 供应商未定义 | EAR99 | 8542.32.0041 | 1,500人 | 易挥发的 | 256Kbit | 70纳秒 | 静态随机存储器 | 32K×8 | 平行线 | 70纳秒 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY24270ZXC | 2.1700 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | Rambus®、XDR™ | 管子 | 过时的 | CY24270 | - | 不适用 | EAR99 | 8542.39.0001 | 139 | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CS3731CF | - | ![]() | 6307 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 的积极 | - | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY62256L-70SNC | 2.0700 | ![]() | 第468章 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MoBL® | 管子 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 28-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | CY62256 | SRAM - 异步 | 4.5V~5.5V | 28-SOIC | 下载 | 不符合RoHS标准 | EAR99 | 8542.32.0041 | 145 | 易挥发的 | 256Kbit | 70纳秒 | 静态随机存储器 | 32K×8 | 平行线 | 70纳秒 | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY29946AIT | 4.7800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | -40℃~85℃ | 表面贴装 | 32-TQFP | 扇出指示灯(分配)、分频器、多路复用器 | LVCMOS、LVTTL | LVCMOS、LVTTL | 1 | 2:10 | 否/否 | 200兆赫 | 2.375V~2.625V、2.97V~3.63V | 32-TQFP (7x7) | 下载 | 不符合RoHS标准 | 3(168小时) | 供应商未定义 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY2273APVC-1 | 2.5500 | ![]() | 1245 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 48-BSSOP(0.295英寸,7.50毫米宽) | 时钟合成器、驱动器 | 是的 | 水晶 | 钟 | 1 | 1:24 | 否/否 | 3.135V~3.465V | 48-SSOP | - | 是/否 | 2156-CY2273APVC-1 | 3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY62128BLL-70ZAXE | 2.1400 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MoBL® | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | 32-TFSOP(0.465英寸,11.80毫米宽) | CY62128 | SRAM - 异步 | 4.5V~5.5V | 32-TSOP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | 供应商未定义 | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 1兆比特 | 70纳秒 | 静态随机存储器 | 128K×8 | 平行线 | 70纳秒 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CYD09S72V18-167BGXC | 151.4800 | ![]() | 32 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 484-BGA | CYD09S72 | SRAM - 双端口,标准 | 1.7V~1.9V、2.4V~2.6V、2.7V~3.3V | 484-PBGA (23x23) | 下载 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 167兆赫 | 易挥发的 | 9兆比特 | 3.3纳秒 | 静态随机存储器 | 128K×72 | 平行线 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1413BV18-250BZC | 49.1400 | ![]() | 第474章 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 165-LBGA | CY7C1413 | SRAM - 同步,QDR II | 1.7V~1.9V | 165-FBGA (15x17) | 下载 | 不符合RoHS标准 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 250兆赫 | 易挥发的 | 36兆比特 | 静态随机存储器 | 2M×18 | 平行线 | - | 未验证 |

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