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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 应用领域 | 安装类型 | 包装/箱 | 类型 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 当前-供应 | 电压 - 输入 | 输出类型 | 锁相环 | 输入 | 输出 | 电路数量 | 其中 - 输入:输出 | 分数 - 输入:输出 | 频率 - 最大 | 电压 - 电源 | 供应商设备包 | 数据表 | 除法器/乘法器 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 逻辑类型 | 元件数量 | 每个要素的补充 | 当前-产出高、低 | 功能 | 标准 | 输入数量 | 输入/输出数量 | 核心处理器 | 核心尺寸 | 速度 | 连接性 | 周边设备 | 程序内存大小 | 程序存储器类型 | EEPROM大小 | 内存大小 | 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) | 数据转换器 | 振荡器类型 | 协议 | 界面 | 时钟频率 | 便捷型 | 宏单元数量 | 接近检测 | 解决 | LED驱动器通道 | 控制器系列 | 内存类型 | 内存大小 | 访QQT | 内存格式 | 记忆组织 | 内存接口 | 周期写入T - 字、页 | SIC |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CY8C20337-24LQXI | 3.7500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | CapSense® 控制器 | 大部分 | 的积极 | -40℃~85℃ | 电容式传感 | 表面贴装 | 24-UFQFN 裸露焊盘 | CY8C20337 | 1.71V~5.5V | 24-QFN (4x4) | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 供应商未定义 | 1 | 20 | M8C | 榛 (8kB) | 1K×8 | I²C、SPI | CY8C20xx7/S | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY2308SXC-1 | 9.8800 | ![]() | 515 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 扇出故障(分配)、零延迟故障 | CY2308 | 是,带旁路 | LVCMOS、LVTTL | LVCMOS | 1 | 1:8 | 否/否 | 133.3兆赫 | 3V~3.6V | 16-SOIC | 下载 | 否/否 | 符合ROHS3标准 | 100 | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C026AV-25AI | - | ![]() | 第1177章 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 包 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 100-LQFP | CY7C026 | SRAM - 双端口,异步 | 3V~3.6V | 100-TQFP (14x14) | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 256Kbit | 25纳秒 | 静态随机存储器 | 16K×16 | 平行线 | 25纳秒 | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1041CV33-12ZSXEKJ | - | ![]() | 3159 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | 44-TSOP(0.400英寸,10.16毫米宽) | CY7C1041 | SRAM - 异步 | 3V~3.6V | 44-TSOP II | - | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | 1 | 易挥发的 | 4兆比特 | 12纳秒 | 静态随机存储器 | 256K×16 | 平行线 | 12纳秒 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1570XV18-633BZXC | 473.2900 | ![]() | 288 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 165-LBGA | CY7C1570 | SRAM - 同步、DDR II+ | 1.7V~1.9V | 165-FBGA (13x15) | 下载 | 1 | 633兆赫 | 易挥发的 | 72兆比特 | 静态随机存储器 | 2M×36 | 平行线 | - | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1041BNV33L-12VXC | 9.2400 | ![]() | 第281章 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 44-BSOJ(0.400英寸,10.16毫米宽) | CY7C1041 | SRAM - 异步 | 3V~3.6V | 44-SOJ | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 33 | 易挥发的 | 4兆比特 | 12纳秒 | 静态随机存储器 | 256K×16 | 平行线 | 12纳秒 | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY8C4124PVI7-442 | 16.7400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | PSOC® 4 CY8C4100 | 大部分 | 不适合新设计 | -40°C ~ 85°C (TA) | CY8C4124 | - | 符合ROHS3标准 | 供应商未定义 | 可根据要求提供REACH信息 | 2832-CY8C4124PVI7-442 | 3A991A3 | 8542.31.0000 | 1 | ARM® Cortex®-M0 | 32位单核 | 24兆赫 | I²C、IrDA、LINbus、Microwire、智能卡、SPI、SSP、 | 欠压检测/复位、CapSense、LCD、LVD、POR、P | 16KB(16K x 8) | 闪光 | 4K×8 | 1.71V~5.5V | A/D 8x12b SAR;数模2xIDAC | 内部的 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY14B104L-ZS25XI | - | ![]() | 9779 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 44-TSOP(0.400英寸,10.16毫米宽) | CY14B104 | NVSRAM(非易失性SRAM) | 2.7V~3.6V | 44-TSOP II | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 135 | 非活跃性 | 4兆比特 | 25纳秒 | 非静态随机仓库 | 512K×8 | 平行线 | 25纳秒 | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S34ML01G100BHB003 | - | ![]() | 6854 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | ML-1 | 卷带式 (TR) | SIC停产 | -40℃~105℃(TA) | 表面贴装 | 63-VFBGA | S34ML01 | NAND-NAND | 2.7V~3.6V | 63-BGA (11x9) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,300 | 非活跃性 | 1Gbit | 闪光 | 128M×8 | 平行线 | 25纳秒 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1363A-150AJC | 35.3300 | ![]() | 第237章 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 100-LQFP | CY7C1363 | SRAM-同步、SDR | 3.135V~3.6V | 100-TQFP (14x20) | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 3(168小时) | REACH旅行 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 150兆赫 | 易挥发的 | 9兆比特 | 6纳秒 | 静态随机存储器 | 512K×18 | 平行线 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1399-12VC | 0.8400 | ![]() | 930 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 28-BSOJ(0.300英寸,7.62毫米宽) | CY7C1399 | SRAM - 异步 | 3V~3.6V | 28-SOJ | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 256Kbit | 12纳秒 | 静态随机存储器 | 32K×8 | 平行线 | 12纳秒 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C65620-56LFXA | - | ![]() | 7125 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | EZ-USB HX2LP™ | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 56-VFQFN 裸露焊盘 | 260毫安 | 3.15V~3.45V | 56 锯切 QFN (8x8) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 5A991B4B | 8542.31.0001 | 1 | 集线器控制器 | USB 2.0 | USB | USB | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY25200KFZXCKA | 6.4500 | ![]() | 第584章 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 16-TSSOP(0.173英寸,4.40毫米宽) | 扩频时钟发生器 | 是,带旁路 | 时钟、水晶 | 钟 | 1 | 1:6 | 否/否 | 200兆赫 | 2.375V~2.625V、3.135V~3.465V | 16-TSSOP | - | 是/否 | 2156-CY25200KFZXCKA | 47 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CYUSB2025-BZXI | - | ![]() | 7063 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | EZ-USB® SD2 | 大部分 | 的积极 | -40℃~85℃ | SD2™ USB 和大容量存储外设控制器 | 表面贴装 | 121-TFBGA | CYUSB2025 | 1.15V~1.25V | 121-FBGA (10x10) | 下载 | 25 | 59 | ARM9® | - | 512K×8 | I²C、I²S、MMC/SD、SPI、UART、USB | CYUSB | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S29GL256S90TFI023 | 5.8000 | ![]() | 第1361章 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | GL-S | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 56-TFSOP(0.724英寸,18.40毫米宽) | S29GL256 | 或-NOR | 2.7V~3.6V | 56-TSOP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2832-S29GL256S90TFI023TR | 43 | 非活跃性 | 256兆比特 | 90纳秒 | 闪光 | 16M×16 | 平行线 | 60纳秒 | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| S29GL01GT10GHI020 | 10.0000 | ![]() | 第251章 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | GL-T | 托盘 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 56-VFBGA | S29GL01 | 或-NOR | 2.7V~3.6V | 56-FBGA (9x7) | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 不适用 | 供应商未定义 | 2832-S29GL01GT10GHI020 | 3A991A2 | 8542.32.0070 | 50 | 非活跃性 | 1Gbit | 100纳秒 | 闪光 | 128M×8 | 平行线 | 60纳秒 | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY62256VNLL-70ZXC | - | ![]() | 5884 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MoBL® | 大部分 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 28-TSSOP(0.465英寸,11.80毫米宽) | CY62256 | SRAM - 异步 | 2.7V~3.6V | 28-TSOP I | 下载 | 1 | 易挥发的 | 256Kbit | 70纳秒 | 静态随机存储器 | 32K×8 | 平行线 | 70纳秒 | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY25811SXC | 5.2500 | ![]() | 131 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | 0℃~70℃ | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 时钟/频率合成器、频率调制器、 | CY25811 | 是的 | 时钟、晶体、承载器 | 钟 | 1 | 1:1 | 否/否 | 32兆赫兹 | 2.97V~3.63V | 8-SOIC | 下载 | 是/是 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 58 | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CS7241KJA | - | ![]() | 8110 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 的积极 | - | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S29AS016J70BFI030 | - | ![]() | 第1302章 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | AS-J | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 48-VFBGA | S29AS016 | 或-NOR | 1.65V~1.95V | 48-FBGA (8.15x6.15) | 下载 | 1 | 非活跃性 | 16兆比特 | 70纳秒 | 闪光 | 2M×8、1M×16 | 平行线 | 70纳秒 | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1426KV18-300BZC | 46.4900 | ![]() | 63 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 165-LBGA | CY7C1426 | SRAM - 同步,QDR II | 1.7V~1.9V | 165-FBGA (13x15) | 下载 | 7 | 300兆赫 | 易挥发的 | 36兆比特 | 静态随机存储器 | 4M×9 | 平行线 | - | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY8C21512-12PVXE | 4.3400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | PSOC®1 CY8C21xxx | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | 28-SSOP(0.209英寸,5.30毫米宽) | CY8C21512 | 28-SSOP | 下载 | 70 | 24 | M8C | 8号 | 12兆赫兹 | I²C、SPI、UART/USART | LVD、POR、PWM、WDT | 8KB(8K x 8) | 闪光 | - | 512×8 | 3V~5.25V | - | 内部的 | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MB9BF124LQN-G-AVE2 | 3.1000 | ![]() | 175 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | FM3 MB9B120M | 大部分 | 的积极 | -40℃~105℃(TA) | 表面贴装 | 64-VFQFN 裸露焊盘 | MB9BF124 | 64-QFN (9x9) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 1 | 50 | ARM® Cortex®-M3 | 32位单核 | 72兆赫 | CSIO、I²C、LIN 接口、UART/USART | DMA、LVD、POR、PWM、WDT | 288KB(288K x 8) | 闪光 | - | 32K×8 | 2.7V~5.5V | 模数23x12b;模数2x10b | 内部的 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74FCT162245ETPACT | 0.9300 | ![]() | 17号 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | 74FCT | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 48-TFSOP(0.240英寸,6.10毫米宽) | 74FCT162245 | - | 三态 | 4.5V~5.5V | 48-TSSOP | 下载 | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 收发器,同相 | 2 | 8 | 24毫安,24毫安 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C330-33HC | 10.0000 | ![]() | 第447章 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | 表面贴装 | 28-LCC窗口(J 插座) | - | 28-JLCC (11.43x11.43) | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 3(168小时) | REACH旅行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | EPLD | 12 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C15632KV18-500BZC | 263.2600 | ![]() | 113 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 165-LBGA | CY7C15632 | SRAM - 同步,QDR II+ | 1.7V~1.9V | 165-FBGA (13x15) | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 500兆赫 | 易挥发的 | 72兆比特 | 静态随机存储器 | 4M×18 | 平行线 | - | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C2270KV18-550BZXI | 93.2800 | ![]() | 121 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 165-LBGA | CY7C2270 | SRAM - 同步、DDR II+ | 1.7V~1.9V | 165-FBGA (13x15) | 下载 | 4 | 550兆赫 | 易挥发的 | 36兆比特 | 静态随机存储器 | 1M×36 | 平行线 | - | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY10E484L-7DCQ | 53.2000 | ![]() | 67 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | 0°C ~ 75°C (TA) | 通孔 | 28-CDIP(0.400英寸,10.16毫米) | CY10E484 | SRAM - 异步 | 4.94V~5.46V | 28-CDIP | 下载 | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 16Kbit | 7纳秒 | 静态随机存储器 | 4K×4 | 平行线 | 8纳秒 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY22381SC-154 | 1.5000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 的积极 | - | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY8CMBR2010-24LQXIT | 4.2000年 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | CapSense® Express™ | 卷带式 (TR) | 过时的 | -40℃~85℃ | 表面贴装 | 32-UFQFN 裸露焊盘 | 按钮 | 3.4毫安 | 1.71V~5.5V | 32-QFN (5x5) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2832-CY8CMBR2010-24LQXITTR | 120 | 最多10个 | - | 不 | - | 最多10个 | 未验证 |

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