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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 类型 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 输出类型 | SIC | 锁相环 | 输入 | 输出 | 电路数量 | 其中 - 输入:输出 | 分数 - 输入:输出 | 频率 - 最大 | 电压 - 电源 | 供应商设备包 | 数据表 | 除法器/乘法器 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 逻辑类型 | 元件数量 | 每个要素的补充 | 当前-产出高、低 | 功能 | 输入/输出数量 | 核心处理器 | 核心尺寸 | 速度 | 连接性 | 周边设备 | 程序内存大小 | 程序存储器类型 | EEPROM大小 | 内存大小 | 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) | 数据转换器 | 振荡器类型 | 数据速率 | 时钟频率 | 便捷型 | 宏单元数量 | 延迟T tpd(1) 顶部 | 电源电压 - 内部 | 内存类型 | 内存大小 | 访QQT | 电流 - 电源(最大) | 巴士定向 | 扩展型 | 最小标志支持 | 重传能力 | FWFT支持 | 内存格式 | 记忆组织 | 内存接口 | 周期写入T - 字、页 | SIC |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CY8C3446AXI-105 | - | ![]() | 第1565章 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | PSOC® 3 CY8C34xx | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 100-LQFP | CY8C3446 | 100-TQFP (14x14) | 下载 | 1 | 62 | 8051 | 8号 | 50兆赫 | EBI/EMI、I²C、LINbus、SPI、UART/USART | CapSense、DMA、LCD、POR、PWM、WDT | 64KB(64K x 8) | 闪光 | 2K×8 | 8K×8 | 1.71V~5.5V | 模数转换器16x12b;数模2x8b | 内部的 | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C408A-35VC | 9.8000 | ![]() | 48 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | CY7C | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃ | 表面贴装 | 28-BSOJ(0.300英寸,7.62毫米宽) | 7C408 | 未验证 | 4.5V~5.5V | 28-SOJ | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | 阿里 | 35兆赫 | 64×9 | - | 135毫安 | 单向 | 深度、宽度 | 不 | 不 | 不 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1381D-100BZXI | - | ![]() | 7260 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 165-LBGA | CY7C1381 | SRAM-同步、SDR | 3.135V~3.6V | 165-FBGA (13x15) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 8 | 100兆赫 | 易挥发的 | 18兆比特 | 8.5纳秒 | 静态随机存储器 | 512K×36 | 平行线 | - | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| S25FL128SAGBHVC00 | 8.3400 | ![]() | 611 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | FL-S | 托盘 | 的积极 | -40℃~105℃(TA) | 表面贴装 | 24-TBGA | S25FL128 | 或-NOR | 2.7V~3.6V | 24-BGA (8x6) | 下载 | 不符合RoHS标准 | 不适用 | 供应商未定义 | 2832-S25FL128SAGBHVC00 | 3A991B1A | 8542.32.0070 | 60 | 133兆赫 | 非活跃性 | 128Mbit | 闪光 | 16M×8 | SPI——四路I/O | - | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY37256VP256-100BBC | - | ![]() | 5668 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 256-LBGA | 未验证 | 256-FBGA (17x17) | 下载 | 不符合RoHS标准 | 3(168小时) | REACH旅行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 197 | 系统内部可重编程™ (ISR™) CMOS | 256 | 12纳秒 | 4.75V~5.25V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MB90F474HPFR-GE1 | - | ![]() | 3382 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | F²MC-16LX MB90470 | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 100-BQFP | MB90F474 | 100-QFP (14x20) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2832-MB90F474HPFR-GE1 | 1 | 84 | F²MC-16LX | 16号 | 16兆赫 | 串口/USART | 看门狗计时器 | 256KB(256K x 8) | 闪光 | - | 16K×8 | 1.8V~5.5V | 模数转换器 8x8/10b | 外部的 | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY62167G-45ZXI | 23.8700 | ![]() | 97 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MoBL® | 托盘 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 48-TFSOP(0.724英寸,18.40毫米宽) | CY62167 | SRAM - 异步 | 4.5V~5.5V | 48-TSOP I | 下载 | 不符合RoHS标准 | 供应商未定义 | 2832-CY62167G-45ZXI | 25 | 易挥发的 | 16兆比特 | 45纳秒 | 静态随机存储器 | 2M×8、1M×16 | 平行线 | 45纳秒 | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY9AF116NAPMC-G-MNE2 | - | ![]() | 2610 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | FM3 MB9A110A | 大部分 | 的积极 | -40℃~105℃(TA) | 表面贴装 | 100-LQFP | CY9AF116 | 100-LQFP (14x14) | 下载 | 不符合RoHS标准 | 供应商未定义 | 2156-CY9AF116NAPMC-G-MNE2 | 20 | 83 | ARM® Cortex®-M3 | 32位单核 | 40兆赫兹 | CSIO、EBI/EMI、I²C、LINbus、SPI、UART/USART | DMA、LVD、POR、PWM、WDT | 512KB(512K x 8) | 闪光 | - | 32K×8 | 2.7V~5.5V | 模数转换器 16x12b | 内部的 | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CYD18S72V-133BBI | - | ![]() | 8802 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 484-BGA | CYD18S72 | SRAM - 双端口,同步 | 3.135V~3.465V | 484-FBGA (23x23) | 下载 | 不符合RoHS标准 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 60 | 133兆赫 | 易挥发的 | 18兆比特 | 5纳秒 | 静态随机存储器 | 256K×72 | 平行线 | - | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S29GL512P11TFI013 | 9.0000 | ![]() | 9377 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | GL-P | 卷带式 (TR) | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 56-TFSOP(0.724英寸,18.40毫米宽) | S29GL512 | 或-NOR | 2.7V~3.6V | 56-TSOP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2832-S29GL512P11TFI013-TR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 28 | 非活跃性 | 512兆比特 | 110纳秒 | 闪光 | 32米×16 | 平行线 | 110纳秒 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY8C3646AXE-170 | - | ![]() | 4504 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | PSOC® 3 CY8C36xx | 托盘 | 过时的 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | 100-LQFP | CY8C3646 | 100-TQFP (14x14) | - | 符合ROHS3标准 | 3A991A3 | 8542.31.0001 | 90 | 62 | 8051 | 8号 | 48兆赫 | EBI/EMI、I²C、LINbus、SPI、UART/USART | CapSense、DMA、POR、PWM、WDT | 64KB(64K x 8) | 闪光 | 2K×8 | 8K×8 | 1.71V~5.5V | 模数转换器 16x12b;数模 4x8b | 内部的 | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | W180-02SZT | 1.0000 | ![]() | 第796章 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 的积极 | - | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY62146G30-45BVXI | - | ![]() | 9436 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MoBL® | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 48-VFBGA | CY62146 | SRAM - 异步 | 2.2V~3.6V | 48-VFBGA (6x8) | 下载 | 50 | 易挥发的 | 4兆比特 | 45纳秒 | 静态随机存储器 | 256K×16 | 平行线 | 45纳秒 | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C263-55JI | - | ![]() | 7735 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | CY7C263 | EPROM-OTP | 4.5V~5.5V | 下载 | 不符合RoHS标准 | 3(168小时) | 供应商未定义 | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | 非活跃性 | 64Kbit | 55纳秒 | EPROM | 8K×8 | 平行线 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1360S-200AXI | 11.4200 | ![]() | 9615 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 100-LQFP | CY7C1360 | SRAM-同步、SDR | 3.14V~3.63V | 100-TQFP (14x20) | - | 不适用 | 72 | 200兆赫 | 易挥发的 | 9兆比特 | 3纳秒 | 静态随机存储器 | 256K×36 | 平行线 | - | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S29GL512T11TFV010 | 8.4000 | ![]() | 166 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | GL-T | 大部分 | 的积极 | -40℃~105℃(TA) | 表面贴装 | 56-TFSOP(0.724英寸,18.40毫米宽) | S29GL512 | 或-NOR | 2.7V~3.6V | 56-TSOP | 下载 | 31 | 非活跃性 | 512兆比特 | 110纳秒 | 闪光 | 64M×8 | 平行线 | 60纳秒 | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1481BV25-133AXI | 190.7800 | ![]() | 第348章 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 100-LQFP | CY7C1481 | SRAM-同步、SDR | 2.375V~2.625V | 100-TQFP (14x20) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 133兆赫 | 易挥发的 | 72兆比特 | 6.5纳秒 | 静态随机存储器 | 2M×36 | 平行线 | - | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S29GL512P10TFIR10 | - | ![]() | 4296 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | GL-P | 托盘 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 56-TFSOP(0.724英寸,18.40毫米宽) | S29GL512 | 或-NOR | 2.7V~3.6V | 56-TSOP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2832-S29GL512P10TFIR10 | 1 | 非活跃性 | 512兆比特 | 100纳秒 | 闪光 | 32米×16 | 平行线 | 100纳秒 | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C63813-SXCES | - | ![]() | 9120 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 的积极 | - | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | 3A991A3 | 8542.31.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C245A-45PC | 7.3300 | ![]() | 680 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | CY7C245 | EPROM-OTP | 4.5V~5.5V | 下载 | 不符合RoHS标准 | 3(168小时) | REACH旅行 | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | 非活跃性 | 16Kbit | 45纳秒 | EPROM | 2K×8 | 平行线 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C429-15PC | - | ![]() | 4670 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | CY7C | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃ | 通孔 | 28-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | 7C429 | 未验证 | 4.5V~5.5V | 28-PDIP | 下载 | 不符合RoHS标准 | 3(168小时) | REACH旅行 | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | 阿里 | 40兆赫兹 | 2K×9 | 15纳秒 | 65毫安 | 单向 | 深度、宽度 | 不 | 是的 | 不 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP6794ATT | - | ![]() | 5312 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 的积极 | - | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | EAR99 | 8542.31.0001 | 2,500人 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY62137BV18LL-70BAI | 3.2000年 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MoBL2™ | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 48-TFBGA | CY62137 | SRAM - 异步 | 1.75V~1.95V | 48-FBGA (7x7) | 下载 | 不符合RoHS标准 | 3(168小时) | REACH旅行 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 2兆比特 | 70纳秒 | 静态随机存储器 | 128K×16 | 平行线 | 70纳秒 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY2309CSXI-1 | 6.8000 | ![]() | 11 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -40℃~85℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 扇出故障(分配)、零延迟故障 | CY2309 | 是,带旁路 | LVCMOS、LVTTL | LVCMOS | 1 | 1:9 | 否/否 | 133.33兆赫 | 3V~3.6V | 16-SOIC | 下载 | 否/否 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 45 | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S25FL256SAGMFI003 | 1900年17月 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | FL-S | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | S25FL256 | 或-NOR | 2.7V~3.6V | 16-SOIC | 下载 | 2832-S25FL256SAGMFI003-428 | 30 | 133兆赫 | 非活跃性 | 256兆比特 | 闪光 | 32M×8 | SPI——四路I/O | - | 已验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| S70GL02GP11FAIR20 | 52.8700 | ![]() | 19 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | GL-P | 托盘 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 64-LBGA | S70GL02 | 或-NOR | 3V~3.6V | 64-FBGA (11x13) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2832-S70GL02GP11FAIR20 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 10 | 非活跃性 | 2Gbit | 110纳秒 | 闪光 | 256M×8、128M×16 | 平行线 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C164-35PC | 3.3300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 通孔 | 22-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | CY7C164 | SRAM - 同步 | 4.5V~5.5V | 22-PDIP | 下载 | 不符合RoHS标准 | 3(168小时) | REACH旅行 | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 64Kbit | 35纳秒 | 静态随机存储器 | 16K×4 | 平行线 | 35纳秒 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CHD416LVT-70 | - | ![]() | 7274 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 的积极 | 未验证 | - | 不适用 | 3(168小时) | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY74FCT2244ATSOC | - | ![]() | 8762 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | 74FCT | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 20-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | - | 三态 | 4.75V~5.25V | 20-SOIC | - | 不符合RoHS标准 | 供应商未定义 | 2156-CY74FCT2244ATSOC-428 | 1 | 恶魔,同相 | 2 | 4 | 15毫安、12毫安 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S25FL256LAGNFN010 | 9.0700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | FL-L | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | 8-WDFN 裸露焊盘 | S25FL256 | 或-NOR | 2.7V~3.6V | 8-WSON (6x8) | - | 不符合RoHS标准 | 不适用 | 供应商未定义 | 2832-S25FL256LAGNFN010TR | 3A991B1A | 8542.32.0070 | 56 | 133兆赫 | 非活跃性 | 256兆比特 | 6纳秒 | 闪光 | 32M×8 | SPI - 四路I/O、QPI | 60微秒,1.2毫秒 |

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