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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 技术 | PLL | 输入 | 输出 | 电路数 | 比率-输入:输出 | 差分-输入:输出 | 频率 -最大 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | 分隔线/乘数 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 功能 | 数据速率 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 电流 -供应(最大) | 公共汽车方向 | 扩展类型 | 可编程标志支持 | 重传功能 | fwft支持 | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | 控制器类型 | sic可编程 |
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![]() | CY22392ZXC-390 | 2.6600 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY25811SC | 0.6600 | ![]() | 719 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | 传播频谱时钟生成器 | 是的 | 时钟,水晶 | 钟 | 1 | 1:1 | 否/否 | - | 3.135V〜3.465V | 8-SOIC | 下载 | 是/否 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | S25FS512SDSMFV010 | 7.7280 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | FS-S | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | S25FS512 | 闪光灯 -也不 | 1.7V〜2V | 16-Soic | 下载 | Rohs不合规 | 供应商不确定 | 1 | 80 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 闪光 | 64m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI | - | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C109D-10VXI | - | ![]() | 1577年 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 32-bsoj(0.400英寸,10.16毫米宽) | CY7C109 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 32-soj | 下载 | 1 | 易挥发的 | 1Mbit | 10 ns | SRAM | 128K x 8 | 平行线 | 10NS | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1570KV18-450BZXI | 250.6400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1570 | sram-同步,DDR II+ | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | rohs3符合条件 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 450 MHz | 易挥发的 | 72Mbit | SRAM | 2m x 36 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C25422KV18-333BZXC | 283.3800 | ![]() | 277 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C25422 | sram-同步,QDR II+ | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | Rohs不合规 | 供应商不确定 | 1 | 333 MHz | 易挥发的 | 72Mbit | SRAM | 2m x 36 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||||||||||
CY2XL11ZXI | 5.4000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -5°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 8-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽度) | 时钟生成器 | 是的 | 水晶 | LVD | 1 | 1:1 | 否/是 | 100MHz | 2.375v〜2.625v,3.135V〜3.465V | 8-tssop | 下载 | 是/否 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY2292SC-474 | 1.3000 | ![]() | 827 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C166-15VCT | 3.7800 | ![]() | 9660 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 24-bsoj(0.300英寸,7.62mm宽度) | CY7C166 | sram-标准 | 4.5V〜5.5V | 24-SOJ | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 64kbit | 15 ns | SRAM | 16k x 4 | 平行线 | 15ns | ||||||||||||||||||||||
![]() | S34MS16G202BHI003 | - | ![]() | 8100 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MS-2 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | S34MS16 | 闪存-NAND | 1.7V〜1.95V | 63-BGA(11x9) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,300 | 非易失性 | 16Gbit | 45 ns | 闪光 | 4G x 4 | 平行线 | 45ns | ||||||||||||||||||||||
![]() | S34ML08G101TFB003 | - | ![]() | 8161 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | ML-1 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | S34ML08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 8Gbit | 闪光 | 1G x 8 | 平行线 | 25ns | |||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C0832AV-133BBC | 87.3500 | ![]() | 76 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 144-LBGA | CY7C0832 | sram-双端口,同步 | 3.135V〜3.465V | 144-FBGA(13x13) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | 易挥发的 | 4.5mbit | SRAM | 256K x 18 | 平行线 | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | CY62136VLL-70ZSXE | 2.0000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MOBL® | 托盘 | 过时的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | CY62136 | sram-异步 | 2.7V〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 151 | 易挥发的 | 2Mbit | 70 ns | SRAM | 128K x 16 | 平行线 | 70NS | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1046CV33-15VC | 3.8700 | ![]() | 5984 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 32-bsoj(0.400英寸,10.16毫米宽) | CY7C1046 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 32-soj | 下载 | Rohs不合规 | 2(1年) | 到达受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 4Mbit | 15 ns | SRAM | 1m x 4 | 平行线 | 15ns | ||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C4231V-15JC | 13.2600 | ![]() | 809 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | CY7C | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C | 表面安装 | 32-lcc(j-lead) | 7C4231 | 3 v〜3.6 v | 32-PLCC (11.43x13.97) | 下载 | Rohs不合规 | Ear99 | 8542.32.0071 | 23 | 同步 | 66.7MHz | 18K (2K x 9) | 11ns | 20mA | 单向 | 深度,宽度 | 是的 | 不 | 不 | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||
![]() | CY62148ESL-55ZAXI | - | ![]() | 4798 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MOBL® | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 32-tfsop (0.465英寸,11.80mm((11.80mm)) | CY62148 | sram-异步 | 2.2v〜3.6V,4.5V〜5.5V | 32-Stsop | 下载 | 1 | 易挥发的 | 4Mbit | 55 ns | SRAM | 512k x 8 | 平行线 | 55ns | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | S34ML08G101TFI200 | 11.4700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | ML-1 | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | S34ML08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | 下载 | rohs3符合条件 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 44 | 非易失性 | 8Gbit | 闪光 | 1G x 8 | 平行线 | 25ns | |||||||||||||||||||||||||
![]() | CY62147G30-45B2XI | 5.2400 | ![]() | 80 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MOBL® | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-VFBGA | CY62147 | sram-异步 | 2.2v〜3.6V | 48-VFBGA(6x8) | 下载 | 58 | 易挥发的 | 4Mbit | 45 ns | SRAM | 256K x 16 | 平行线 | 45ns | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1613KV18-250BZXC | 244.4000 | ![]() | 98 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 供应商不确定 | 到达不受影响 | 2156-CY7C1613KV18-250BZXC-428 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C0241-25AC | 14.5300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | CY7C0241 | sram-双端口,异步 | 4.5V〜5.5V | 100-TQFP(14x14) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 72kbit | 25 ns | SRAM | 4K x 18 | 平行线 | 25ns | ||||||||||||||||||||||
![]() | FM24CL64B-GA | 1.0000 | ![]() | 8593 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | F-RAM™ | 管子 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | FM24CL64 | fram (铁电 ram) | 3v〜3.6V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 1 MHz | 非易失性 | 64kbit | 550 ns | 框架 | 8k x 8 | i²c | - | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||||||
![]() | CY2309ZXC-1HKA | 9.4600 | ![]() | 205 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 16-TSSOP (0.173“,4.40mm宽度) | 零延迟缓冲区 | 是的旁路 | lvcmos,lvttl | lvcmos | 1 | 1:9 | 否/否 | 133.33MHz | 3v〜3.6V | 16-TSSOP | - | 否/否 | 2156-CY2309ZXC-1HKA | 32 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C68034-56LTXI | 30.1600 | ![]() | 115 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | EZ-USB NX2LP-FLEX™ | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C | 表面安装 | 56-VFQFN暴露垫 | CY7C68034 | 3v〜3.6V | 56-QFN-EP(8x8) | 下载 | 10 | nand flash -usb | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 40060643 | - | ![]() | 7421 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 在sic中停产 | 40060643 | - | 供应商不确定 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1418KV18-300BZC | 48.5900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1418 | Sram-同步,DDR II | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 1 | 300 MHz | 易挥发的 | 36mbit | SRAM | 2m x 18 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||
![]() | S25FL064LABMFV000 | 2.9200 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | fl-l | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | S25FL064 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 16-Soic | 下载 | 172 | 108 MHz | 非易失性 | 64mbit | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI | - | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | S34SL04G200BHV000 | - | ![]() | 9855 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | SL-2 | 托盘 | 在sic中停产 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | S34SL04 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 63-BGA(11x9) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 210 | 非易失性 | 4Gbit | 25 ns | 闪光 | 512m x 8 | 平行线 | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1460AV33-250BZC | 53.3900 | ![]() | 239 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | NOBL™ | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1460 | sram-同步,sdr | 3.135v〜3.6V | 165-fbga(15x17) | - | Rohs不合规 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 6 | 250 MHz | 易挥发的 | 36mbit | 2.6 ns | SRAM | 1m x 36 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||||||||
![]() | PY2081SL-220 | 1.6600 | ![]() | 829 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S34MS01G100BHI900 | - | ![]() | 5338 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MS-1 | 托盘 | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | S34MS01 | 闪存-NAND | 1.7V〜1.95V | 63-BGA(11x9) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 210 | 非易失性 | 1Gbit | 45 ns | 闪光 | 128m x 8 | 平行线 | 45ns |
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