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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 电流 -供应 | 输出类型 | PLL | 输入 | 输出 | 电路数 | 比率-输入:输出 | 差分-输入:输出 | 频率 -最大 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | 分隔线/乘数 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 逻辑类型 | 元素数量 | 每个元素的位数 | 电流 -输出高,低,低 | 功能 | 标准 | i/o的数量 | 核心处理器 | 核心大小 | 速度 | 连接性 | 外围设备 | 程序内存大小 | 程序内存类型 | EEPROM大小 | ram大小 | 电压 -电源( -vcc/vdd) | 数据转换器 | 振荡器类型 | 协议 | 驱动程序/接收器的数量 | 双工 | 数据速率 | 界面 | 时钟频率 | 控制器系列 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | sic可编程 |
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![]() | CY8C21234-24SXI | 3.3400 | ![]() | 515 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | PSOC®1CY8C21XXX | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.154英寸,宽度为3.90mm) | CY8C21234 | 16-Soic | 下载 | Rohs不合规 | 不适用 | 供应商不确定 | 1 | 12 | M8C | 8位 | 24MHz | i²c,spi,uart/usart | Por,PWM,WDT | 8KB (8K x 8) | 闪光 | - | 512 x 8 | 2.4V〜5.25V | A/D 28x8b | 内部的 | 经过验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1399B-10VC | 0.7600 | ![]() | 2469 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 28-bsoj(0.300英寸,7.62mm宽度) | CY7C1399 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 28-soj | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 256kbit | 10 ns | SRAM | 32K x 8 | 平行线 | 10NS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY8C20436A-24LQXI | 3.3400 | ![]() | 492 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | Capsense®控制器 | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C | 电容感应 | 表面安装 | 32-UFQFN暴露垫 | CY8C20436 | 1.71V〜5.5V | 32-qfn (5x5) | 下载 | 90 | 28 | M8C | 闪光灯((8KB) | 1k x 8 | i²c,spi | CY8C20XX6A | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1361C-133AJXC | 11.0700 | ![]() | 175 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | CY7C1361 | sram-同步,sdr | 3.135v〜3.6V | 100-TQFP(14x20) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 28 | 133 MHz | 易挥发的 | 9Mbit | 6.5 ns | SRAM | 256K x 36 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CG7910AA | 27.5600 | ![]() | 65 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | - | 不适用 | 11 | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CY7C1360C-166AJXCKG | - | ![]() | 1859年 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | CY7C1360 | sram-同步 | 3.135v〜3.6V | 100-TQFP(14x20) | 下载 | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 166 MHz | 易挥发的 | 9Mbit | 3.5 ns | SRAM | 256K x 36 | 平行线 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1305BV25-167BZC | 31.9600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1305 | sram-同步,qdr | 2.4v〜2.6V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | Rohs不合规 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 10 | 167 MHz | 易挥发的 | 18mbit | SRAM | 1m x 18 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1361B-100BGCT | 7.7100 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 119-BGA | CY7C1361 | sram-同步,sdr | 3.135v〜3.6V | 119-PBGA(14x22) | 下载 | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 500 | 100 MHz | 易挥发的 | 9Mbit | 8.5 ns | SRAM | 256K x 36 | 平行线 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1520KV18-333BZXC | 157.6000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1520 | Sram-同步,DDR II | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | 2 | 333 MHz | 易挥发的 | 72Mbit | SRAM | 2m x 36 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1474BV25-167BGI | 138.6700 | ![]() | 204 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | NOBL™ | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 209-BGA | CY7C1474 | sram-同步,sdr | 2.375V〜2.625V | 209-fbga(14x22) | 下载 | Rohs不合规 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 84 | 167 MHz | 易挥发的 | 72Mbit | 3.4 ns | SRAM | 1m x 72 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S34ML02G200TFI003 | - | ![]() | 6858 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | ML-2 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | S34ML02 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 48-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 2Gbit | 闪光 | 256m x 8 | 平行线 | 25ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY62136VLL-55BAI | 1.6200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MOBL® | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-TFBGA | CY62136 | sram-异步 | 2.7V〜3.6V | 48-FBGA(7x7) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 2Mbit | 55 ns | SRAM | 128K x 16 | 平行线 | 55ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S34ML08G201BHB000 | - | ![]() | 1413 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | 汽车,AEC-Q100,ML-2 | 托盘 | 在sic中停产 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | S34ML08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 63-BGA(11x9) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 210 | 非易失性 | 8Gbit | 闪光 | 1G x 8 | 平行线 | 25ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CY7C1360C-200AXC | 11.6500 | ![]() | 337 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | CY7C1360 | sram-同步,sdr | 3.135v〜3.6V | 100-TQFP(14x20) | 下载 | 26 | 200 MHz | 易挥发的 | 9Mbit | 3 ns | SRAM | 256K x 36 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY27C256A-55ZC | - | ![]() | 1788年 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 32-tfsop (0.724英寸,宽度18.40mm) | CY27C256 | EPROM -OTP | 4.5V〜5.5V | 32-tsop i | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 非易失性 | 256kbit | 55 ns | EPROM | 32K x 8 | 平行线 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C25442KV18-333BZXI | 283.3800 | ![]() | 17 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C25442 | sram-同步,QDR II+ | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | 2 | 333 MHz | 易挥发的 | 72Mbit | SRAM | 2m x 36 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1441KV33-133AXI | 57.1400 | ![]() | 4763 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | CY7C1441 | sram-同步,sdr | 3.135v〜3.6V | 100-TQFP(14x20) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 8542.32.0040 | 72 | 133 MHz | 易挥发的 | 36mbit | 6.5 ns | SRAM | 1m x 36 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY14E256L-SZ35XI | - | ![]() | 5959 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 32-SOIC(0.295(7.50mm) | CY14E256 | NVSRAM(SRAM) | 4.5V〜5.5V | 32-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.32.0041 | 22 | 非易失性 | 256kbit | 35 ns | NVSRAM | 32K x 8 | 平行线 | 35ns | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S34ML02G200TFV000 | - | ![]() | 5796 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | ML-2 | 托盘 | 在sic中停产 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | S34ML02 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 48-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 非易失性 | 2Gbit | 闪光 | 256m x 8 | 平行线 | 25ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY2308SXI-2 | 6.0100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C | 表面安装 | 16-Soic(0.154英寸,宽度为3.90mm) | ((),零延迟缓冲区 | CY2308 | 是的 | lvcmos,lvttl | lvcmos | 1 | 1:8 | 否/否 | 133.3MHz | 3v〜3.6V | 16-Soic | 下载 | 是/是 | 50 | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1361B-100AJC | 5.5700 | ![]() | 945 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | CY7C1361 | sram-同步,sdr | 3.135v〜3.6V | 100-TQFP(14x20) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | 易挥发的 | 9Mbit | 8.5 ns | SRAM | 256K x 36 | 平行线 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7B951-SC | 17.6600 | ![]() | 651 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 24-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | 收发器 | 4.5V〜5.5V | 24-Soic | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达受影响 | 5A991B1 | 8542.39.0001 | 1 | Lan,ATM | 1/1 | 满的 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CS5932AT | - | ![]() | 6363 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1525V18-200BZC | 129.4200 | ![]() | 51 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1525 | Sram-同步,QDR II | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | Rohs不合规 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 102 | 200 MHz | 易挥发的 | 72Mbit | SRAM | 8m x 9 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY2304ESXC-1 | 1.7400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S34ML01G200BHV000 | - | ![]() | 6695 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | ML-2 | 托盘 | 在sic中停产 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | S34ML01 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 63-BGA(11x9) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 210 | 非易失性 | 1Gbit | 闪光 | 128m x 8 | 平行线 | 25ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C027V-20AXC | 38.3400 | ![]() | 854 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | CY7C027 | sram-双端口,异步 | 3v〜3.6V | 100-TQFP(14x14) | 下载 | rohs3符合条件 | 2832-CY7C027V-20AXC | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 14 | 易挥发的 | 512kbit | 20 ns | SRAM | 32k x 16 | 平行线 | 20NS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S29GL01GT10FHI020 | - | ![]() | 6791 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | GL-T | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 64-LBGA | S29GL01 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA(13x11) | 下载 | 1 | 非易失性 | 1Gbit | 100 ns | 闪光 | 128m x 8 | 平行线 | 60ns | 经过验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY74FCT2244ATQC | 0.5500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | 74fct | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 20ssop (0.154英寸,3.90mm) | 74FCT2244 | - | 三州 | 4.75V〜5.25V | 20ssop | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 缓冲,反转 | 2 | 4 | 15mA,12mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C65634-28LTXC | - | ![]() | 8803 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | HX2VL™ | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C | 28-WFQFN暴露垫 | CY7C65634 | - | 3.15V〜5.25V | 28-qfn(5x5) | 下载 | 25 | 集线器控制器 | USB 2.0 | USB | USB | 未行业行业经验证 |
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