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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 技术 | PLL | 输入 | 输出 | 电路数 | 比率-输入:输出 | 差分-输入:输出 | 频率 -最大 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | 分隔线/乘数 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | i/o的数量 | 核心处理器 | 核心大小 | 速度 | 连接性 | 外围设备 | 程序内存大小 | 程序内存类型 | EEPROM大小 | ram大小 | 电压 -电源( -vcc/vdd) | 数据转换器 | 振荡器类型 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | sic可编程 |
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![]() | CY24905ZXCT | 2.3300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 0000.00.0000 | 2,500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1545KV18-400BZC | 190.0300 | ![]() | 800 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1545 | sram-同步,QDR II+ | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | Rohs不合规 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 400 MHz | 易挥发的 | 72Mbit | SRAM | 2m x 36 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | CG6849AT | - | ![]() | 3885 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY25033SZC-1 | - | ![]() | 1940年 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1061DV33-10BVJXI | 32.6700 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-VFBGA | CY7C1061 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 48-VFBGA(8x9.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 16 | 易挥发的 | 16mbit | 10 ns | SRAM | 1m x 16 | 平行线 | 10NS | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1513AV18-167BZC | 138.4600 | ![]() | 188 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1513 | Sram-同步,QDR II | 1.7V〜1.9V | 165-fbga(15x17) | 下载 | Rohs不合规 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 167 MHz | 易挥发的 | 72Mbit | SRAM | 4m x 18 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY62148EV30LL-55SXI | - | ![]() | 5740 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MOBL® | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 32-SOIC (0.445“,11.30mm宽度) | CY62148 | sram-异步 | 2.2v〜3.6V | 32-Soic | 下载 | 47 | 易挥发的 | 4Mbit | 55 ns | SRAM | 512k x 8 | 平行线 | 55ns | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C291AL-50JC | 6.5900 | ![]() | 112 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | CY7C291 | EPROM -OTP | 4.5V〜5.5V | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 非易失性 | 16kbit | 50 ns | EPROM | 2k x 8 | 平行线 | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1265KV18-400BZXC | 58.1800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1265 | sram-同步,QDR II+ | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | rohs3符合条件 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 400 MHz | 易挥发的 | 36mbit | SRAM | 1m x 36 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1011CV33-10BJXEES | - | ![]() | 9297 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 供应商不确定 | 到达不受影响 | 2156-CY7C1011CV33-10BJXEES-428 | 1 | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY8C28243-24PVXI | - | ![]() | 6845 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | PSOC®1CY8C28XXX | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 20ssop (0.209英寸,5.30mm宽度) | CY8C28243 | 20ssop | 下载 | 1 | 16 | M8C | 8位 | 24MHz | i²c,irda,spi,uart/usart | LVD,POR,PWM,WDT | 16KB(16k x 8) | 闪光 | - | 1k x 8 | 3v〜5.25V | A/D 4x14b; D/A 4x9b | 内部的 | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C0832AV-133AXI | - | ![]() | 3695 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 120-LQFP | CY7C0832 | sram-双端口,同步 | 3.135V〜3.465V | 120-TQFP(14x14) | 下载 | 1 | 133 MHz | 易挥发的 | 4.5mbit | SRAM | 256K x 18 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1360B-200BZC | 8.7300 | ![]() | 702 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1360 | sram-同步,sdr | 3.135v〜3.6V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 200 MHz | 易挥发的 | 9Mbit | 3 ns | SRAM | 256K x 36 | 平行线 | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | CG7765AAT | - | ![]() | 4147 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 不适用 | 1 | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C199CN-20ZXI | 1.4100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 28-tssop (0.465英寸,11.80mm宽度) | CY7C199 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 28-tsop i | 下载 | 213 | 易挥发的 | 256kbit | 20 ns | SRAM | 32K x 8 | 平行线 | 20NS | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C027V-15AXC | - | ![]() | 9728 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | CY7C027 | sram-双端口,异步 | 3v〜3.6V | 100-TQFP(14x14) | 下载 | rohs3符合条件 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 90 | 易挥发的 | 512kbit | 15 ns | SRAM | 32k x 16 | 平行线 | 15ns | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1515KV18-300BZC | 148.6800 | ![]() | 342 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1515 | Sram-同步,QDR II | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | 3 | 300 MHz | 易挥发的 | 72Mbit | SRAM | 2m x 36 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MB9BF218SPMC-GE1 | 8.4900 | ![]() | 1153 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | FM3 MB9B210T | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 144-LQFP | MB9BF218 | 144-LQFP(20x20) | 下载 | rohs3符合条件 | 2156-MB9BF218SPMC-GE1-CY | 60 | 122 | ARM®Cortex®-M3 | 32位单核 | 144MHz | CSIO,EBI/EMI,以太网,I²C,Linbus,UART/USART,USB | DMA,LVD,POR,PWM,WDT | 1MB (1m x 8) | 闪光 | - | 128K x 8 | 2.7V〜5.5V | A/D 24x12b | 内部的 | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C026AV-20AXCKJ | - | ![]() | 1108 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | CY7C026 | sram-双端口,异步 | 3v〜3.6V | 100-TQFP(14x14) | - | Rohs不合规 | 供应商不确定 | 2156-CY7C026AV-20AXCKJ | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 256kbit | 20 ns | SRAM | 16k x 16 | 平行线 | 20NS | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1046D-10VXI | 7.7400 | ![]() | 18 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 32-bsoj(0.400英寸,10.16毫米宽) | CY7C1046 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 32-soj | 下载 | rohs3符合条件 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 65 | 易挥发的 | 4Mbit | 10 ns | SRAM | 1m x 4 | 平行线 | 10NS | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY22381SI-146 | 1.8000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S34MS16G202BHI000 | - | ![]() | 5408 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MS-2 | 托盘 | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | S34MS16 | 闪存-NAND | 1.7V〜1.95V | 63-BGA(11x9) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 210 | 非易失性 | 16Gbit | 45 ns | 闪光 | 4G x 4 | 平行线 | 45ns | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | S34ML08G201TFV003 | - | ![]() | 8074 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | ML-2 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | S34ML08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 8Gbit | 闪光 | 1G x 8 | 平行线 | 25ns | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1049CV33-12VC | - | ![]() | 5088 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 36-bsoj(0.400英寸,10.16mm宽度) | CY7C1049 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 36-SOJ | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 4Mbit | 12 ns | SRAM | 512k x 8 | 平行线 | 12ns | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY14B104NA-ZS25XI | 41.4667 | ![]() | 445 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 不适合新设计 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | CY14B104 | NVSRAM(SRAM) | 2.7V〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 2832-CY14B104NA-ZS25XI | 15 | 非易失性 | 4Mbit | 25 ns | NVSRAM | 256K x 16 | 平行线 | 25ns | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY244ZXC-03BT | 1.3500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 16-TSSOP (0.173“,4.40mm宽度) | 时钟生成器 | 是的 | 时钟,水晶 | 钟 | 1 | 1:5 | 否/否 | 166MHz | 3v〜3.6V | 16-TSSOP | - | 是/是 | 2156-CY244ZXC-03BT | 222 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CS6228AS | - | ![]() | 8668 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY25010SC-1 | - | ![]() | 3518 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S34MS01G100BHI900 | - | ![]() | 5338 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MS-1 | 托盘 | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | S34MS01 | 闪存-NAND | 1.7V〜1.95V | 63-BGA(11x9) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 210 | 非易失性 | 1Gbit | 45 ns | 闪光 | 128m x 8 | 平行线 | 45ns | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY62256LL-70ZXCT | 2.3800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MOBL® | 大部分 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 28-tssop (0.465英寸,11.80mm宽度) | CY62256 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 28-tsop i | 下载 | 不适用 | Ear99 | 8542.32.0041 | 126 | 易挥发的 | 256kbit | 70 ns | SRAM | 32K x 8 | 平行线 | 70NS | 未行业行业经验证 |
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