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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 类型 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 当前-供应 | 输出类型 | SIC | 锁相环 | 输入 | 输出 | 电路数量 | 其中 - 输入:输出 | 分数 - 输入:输出 | 频率 - 最大 | 电压 - 电源 | 供应商设备包 | 数据表 | 除法器/乘法器 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 逻辑类型 | 元件数量 | 每个要素的补充 | 当前-产出高、低 | 功能 | 输入/输出数量 | 核心处理器 | 核心尺寸 | 速度 | 连接性 | 周边设备 | 程序内存大小 | 程序存储器类型 | EEPROM大小 | 内存大小 | 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) | 数据转换器 | 振荡器类型 | 数据速率 | 界面 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QQT | 电流 - 电源(最大) | 巴士定向 | 扩展型 | 最小标志支持 | 重传能力 | FWFT支持 | 内存格式 | 记忆组织 | 内存接口 | 周期写入T - 字、页 | SIC |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CY8C3446AXI-105 | - | ![]() | 第1565章 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | PSOC® 3 CY8C34xx | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 100-LQFP | CY8C3446 | 100-TQFP (14x14) | 下载 | 1 | 62 | 8051 | 8号 | 50兆赫 | EBI/EMI、I²C、LINbus、SPI、UART/USART | CapSense、DMA、LCD、POR、PWM、WDT | 64KB(64K x 8) | 闪光 | 2K×8 | 8K×8 | 1.71V~5.5V | 模数转换器16x12b;数模2x8b | 内部的 | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY8C4245AXI-473 | 2.4400 | ![]() | 213 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | PSOC® 4 CY8C42xx | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 44-LQFP | CY8C4245 | 44-TQFP (10x10) | 下载 | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 123 | 36 | ARM® Cortex®-M0 | 32位单核 | 48兆赫 | I²C、IrDA、LINbus、Microwire、智能卡、SPI、SSP、 | 欠压检测/复位、LVD、POR、PWM、WDT | 32KB(32K x 8) | 闪光 | - | 4K×8 | 1.71V~5.5V | A/D 8x12b SAR;数模2xIDAC | 内部的 | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1399-15VC | 1.3800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 28-BSOJ(0.300英寸,7.62毫米宽) | CY7C1399 | SRAM - 异步 | 3V~3.6V | 28-SOJ | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 256Kbit | 15纳秒 | 静态随机存储器 | 32K×8 | 平行线 | 15纳秒 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CYV15G0401DXB-BGC | 45.5000 | ![]() | 80 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | 热链接 II™ | 托盘 | 过时的 | 0℃~70℃ | 表面贴装 | 256-BGA 裸露焊盘 | CYV15G0401 | 第870章 | 4 | 3.135V~3.465V | 256-L2BGA (27x27) | 下载 | 不符合RoHS标准 | 5A991B1 | 8542.39.0001 | 7 | 收发器 | 左心室TTL | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GVT71256G18T-5T | - | ![]() | 5902 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 100-LQFP | SRAM - 单端口、异步、标准 | 3.135V~3.6V | 100-TQFP (14x20) | - | 不符合RoHS标准 | 供应商未定义 | 2156-GVT71256G18T-5T-428 | 1 | 133兆赫 | 易挥发的 | 4.5兆比特 | 4纳秒 | 静态随机存储器 | 256K×18 | 平行线 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C419-40VC | - | ![]() | 5871 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | CY7C | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃ | 表面贴装 | 28-BSOJ(0.300英寸,7.62毫米宽) | 7C419 | 未验证 | 4.5V~5.5V | 28-SOJ | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | 阿里 | 20兆赫兹 | 256×9 | 40纳秒 | 35毫安 | 单向 | 深度、宽度 | 不 | 是的 | 不 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C4235V-15ASC | 19.0600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | CY7C | 包 | 过时的 | 0℃~70℃ | 表面贴装 | 64-LQFP | 7C4235 | 3V~3.6V | 64-TQFP (10x10) | 下载 | 不符合RoHS标准 | EAR99 | 8542.32.0071 | 16 | 同步化 | 66.7兆赫 | 36K(2K×18) | 11纳秒 | 30毫安 | 单向 | 深度、宽度 | 是的 | 是的 | 不 | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY74FCT240TQC | - | ![]() | 7442 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | 74FCT | 大部分 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 20-SSOP(0.154英寸,3.90毫米宽) | - | 三态 | 4.75V~5.25V | 20-SSOP | - | 不符合RoHS标准 | 供应商未定义 | 2156-CY74FCT240TQC-428 | 1 | 恶魔,反相 | 2 | 4 | 32毫安、64毫安 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1413TV18-250BZC | 70.2100 | ![]() | 273 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 包 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 165-LBGA | CY7C1413 | SRAM - 同步,QDR II | 1.7V~1.9V | 165-FBGA (13x15) | - | 不适用 | 3A991B2A | 1 | 250兆赫 | 易挥发的 | 36兆比特 | 静态随机存储器 | 2M×18 | 平行线 | - | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C109BN-20VC | - | ![]() | 9852 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 32-BSOJ(0.400英寸,10.16毫米宽) | CY7C109 | SRAM - 异步 | 4.5V~5.5V | 32-SOJ | 下载 | 不符合RoHS标准 | 3(168小时) | REACH旅行 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 1兆比特 | 20纳秒 | 静态随机存储器 | 128K×8 | 平行线 | 20纳秒 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY14ME064J2-SXI | 4.1600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | CY14ME064 | NVSRAM(非易失性SRAM) | 4.5V~5.5V | 8-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 73 | 3.4兆赫 | 非活跃性 | 64Kbit | 非静态随机仓库 | 8K×8 | I²C | - | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY62128DV30LL-55SXIT | 2.0100 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MoBL® | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 32-SOIC(0.445英寸,11.30毫米宽) | CY62128 | SRAM - 异步 | 2.2V~3.6V | 32-SOIC | 下载 | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | EAR99 | 8542.32.0041 | 1,000 | 易挥发的 | 1兆比特 | 55纳秒 | 静态随机存储器 | 128K×8 | 平行线 | 55纳秒 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7B994V-5BBI | 38.8600 | ![]() | 185 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | 机器人时钟™ | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 100-LBGA | 时钟葫芦,扇出分配 | 是的 | LVPECL、LVTTL | 左心室TTL | 1 | 4:18 | 否/否 | 200兆赫 | 2.97V~3.63V | 100-TBGA (11x11) | 下载 | 是/是 | 不符合RoHS标准 | 3(168小时) | REACH旅行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C146-35NC | - | ![]() | 1991年 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 52-BQFP | CY7C146 | SRAM - 双端口,异步 | 4.5V~5.5V | 52-PQFP (10x10) | 下载 | 不符合RoHS标准 | 3(168小时) | REACH旅行 | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 16Kbit | 35纳秒 | 静态随机存储器 | 2K×8 | 平行线 | 35纳秒 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP6458骨髓移植 | - | ![]() | 3911 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 的积极 | - | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | EAR99 | 8542.31.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S25FL256SAGMFI003 | 1900年17月 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | FL-S | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | S25FL256 | 或-NOR | 2.7V~3.6V | 16-SOIC | 下载 | 2832-S25FL256SAGMFI003-428 | 30 | 133兆赫 | 非活跃性 | 256兆比特 | 闪光 | 32M×8 | SPI——四路I/O | - | 已验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CHD416LVT-70 | - | ![]() | 7274 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 的积极 | 未验证 | - | 不适用 | 3(168小时) | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MB9AF132KBQN-G-AVE2 | - | ![]() | 4829 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | FM3 MB9A130LB | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 48-VFQFN 裸露焊盘 | MB9AF132 | 48-QFN (7x7) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.31.0001 | 100 | 37 | ARM® Cortex®-M3 | 32位单核 | 20兆赫兹 | CSIO、I²C、UART/USART | LVD、POR、PWM、WDT | 128KB(128K x 8) | 闪光 | - | 8K×8 | 1.8V~5.5V | 模数转换器 6x12b | 内部的 | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1386B-150AI | 16.7800 | ![]() | 85 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 100-LQFP | CY7C1386 | SRAM-同步、SDR | 3.135V~3.6V | 100-TQFP (14x20) | 下载 | 不符合RoHS标准 | 3(168小时) | REACH旅行 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 150兆赫 | 易挥发的 | 18兆比特 | 3.8纳秒 | 静态随机存储器 | 512K×36 | 平行线 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY2292SXL-1V1KP | 6.1400 | ![]() | 193 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 16-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 时钟发生器 | 是的 | CMOS、晶体 | 互补金属O化物半导体 | 1 | 1:6 | 否/否 | 100兆赫兹 | 3V~3.6V、4.5V~5.5V | 16-SOIC | - | 是/否 | 2156-CY2292SXL-1V1KP | 49 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY74FCT16245TPVCT | 1.4200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | 74FCT | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 48-BSSOP(0.295英寸,7.50毫米宽) | 74FCT16245 | - | 三态 | 4.5V~5.5V | 48-SSOP | 下载 | EAR99 | 8542.39.0001 | 212 | 收发器,同相 | 2 | 8 | 32毫安、64毫安 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY74FCT2244ATSOC | - | ![]() | 8762 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | 74FCT | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 20-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | - | 三态 | 4.75V~5.25V | 20-SOIC | - | 不符合RoHS标准 | 供应商未定义 | 2156-CY74FCT2244ATSOC-428 | 1 | 恶魔,同相 | 2 | 4 | 15毫安、12毫安 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C164-35PC | 3.3300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 通孔 | 22-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | CY7C164 | SRAM - 同步 | 4.5V~5.5V | 22-PDIP | 下载 | 不符合RoHS标准 | 3(168小时) | REACH旅行 | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 64Kbit | 35纳秒 | 静态随机存储器 | 16K×4 | 平行线 | 35纳秒 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| S70GL02GP11FAIR20 | 52.8700 | ![]() | 19 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | GL-P | 托盘 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 64-LBGA | S70GL02 | 或-NOR | 3V~3.6V | 64-FBGA (11x13) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2832-S70GL02GP11FAIR20 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 10 | 非活跃性 | 2Gbit | 110纳秒 | 闪光 | 256M×8、128M×16 | 平行线 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C263-55JI | - | ![]() | 7735 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | CY7C263 | EPROM-OTP | 4.5V~5.5V | 下载 | 不符合RoHS标准 | 3(168小时) | 供应商未定义 | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | 非活跃性 | 64Kbit | 55纳秒 | EPROM | 8K×8 | 平行线 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1360S-200AXI | 11.4200 | ![]() | 9615 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 100-LQFP | CY7C1360 | SRAM-同步、SDR | 3.14V~3.63V | 100-TQFP (14x20) | - | 不适用 | 72 | 200兆赫 | 易挥发的 | 9兆比特 | 3纳秒 | 静态随机存储器 | 256K×36 | 平行线 | - | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C63813-SXCES | - | ![]() | 9120 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 的积极 | - | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | 3A991A3 | 8542.31.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S29GL512P10TFIR10 | - | ![]() | 4296 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | GL-P | 托盘 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 56-TFSOP(0.724英寸,18.40毫米宽) | S29GL512 | 或-NOR | 2.7V~3.6V | 56-TSOP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2832-S29GL512P10TFIR10 | 1 | 非活跃性 | 512兆比特 | 100纳秒 | 闪光 | 32米×16 | 平行线 | 100纳秒 | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CYD18S72V-133BBI | - | ![]() | 8802 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 484-BGA | CYD18S72 | SRAM - 双端口,同步 | 3.135V~3.465V | 484-FBGA (23x23) | 下载 | 不符合RoHS标准 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 60 | 133兆赫 | 易挥发的 | 18兆比特 | 5纳秒 | 静态随机存储器 | 256K×72 | 平行线 | - | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY9AF116NAPMC-G-MNE2 | - | ![]() | 2610 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | FM3 MB9A110A | 大部分 | 的积极 | -40℃~105℃(TA) | 表面贴装 | 100-LQFP | CY9AF116 | 100-LQFP (14x14) | 下载 | 不符合RoHS标准 | 供应商未定义 | 2156-CY9AF116NAPMC-G-MNE2 | 20 | 83 | ARM® Cortex®-M3 | 32位单核 | 40兆赫兹 | CSIO、EBI/EMI、I²C、LINbus、SPI、UART/USART | DMA、LVD、POR、PWM、WDT | 512KB(512K x 8) | 闪光 | - | 32K×8 | 2.7V~5.5V | 模数转换器 16x12b | 内部的 | 未验证 |

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