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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 输出类型 | PLL | 输入 | 输出 | 电路数 | 比率-输入:输出 | 差分-输入:输出 | 频率 -最大 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | 分隔线/乘数 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 逻辑类型 | 元素数量 | 每个元素的位数 | 电流 -输出高,低,低 | i/o的数量 | 核心处理器 | 核心大小 | 速度 | 连接性 | 外围设备 | 程序内存大小 | 程序内存类型 | EEPROM大小 | ram大小 | 电压 -电源( -vcc/vdd) | 数据转换器 | 振荡器类型 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | sic可编程 |
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![]() | CY7C1426JV18-300BZCES | - | ![]() | 4189 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1426 | Sram-同步,QDR II | 1.7V〜1.9V | 165-fbga(15x17) | 下载 | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 300 MHz | 易挥发的 | 36mbit | SRAM | 4m x 9 | 平行线 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1019CV33-12BVXI | 0.8500 | ![]() | 802 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-VFBGA | CY7C1019 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 48-VFBGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 1Mbit | 12 ns | SRAM | 128K x 8 | 平行线 | 12ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1018CV33-12VC | - | ![]() | 8341 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 32-bsoj(0.300英寸,7.62mm宽度) | CY7C1018 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 32-soj | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达受影响 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 1Mbit | 12 ns | SRAM | 128K x 8 | 平行线 | 12ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY8C21634-24LTXIKA | 2.2500 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | PSOC®1CY8C21XXX | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 32-VFQFN暴露垫 | CY8C21634 | 32-qfn (5x5) | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.31.0001 | 1 | 28 | M8C | 8位 | 24MHz | i²c,spi,uart/usart | Por,PWM,WDT | 8KB (8K x 8) | 闪光 | - | 512 x 8 | 2.4V〜5.25V | A/D 28x8b | 内部的 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CYD18S72V18-200BGC | 373.3100 | ![]() | 55 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 484-BGA | CYD18S72 | sram-双端口,标准 | 1.7V〜1.9V,2.4V〜2.6V,2.7V〜3.3V | 484-PBGA(23x23) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 200 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 4 ns | SRAM | 256K x 72 | 平行线 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1019B-12ZXCT | 1.1200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 32-SOIC(0.400英寸,10.16毫米宽) | CY7C1019 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 32-TSOP II | 下载 | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1,000 | 易挥发的 | 1Mbit | 12 ns | SRAM | 128K x 8 | 平行线 | 12ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY8C28433-24PVXIES | - | ![]() | 6220 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | PSOC®1CY8C28XXX | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 28SSOP(0.209英寸,宽度为5.30mm) | CY8C28433 | 28 sop | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.31.0001 | 1 | 24 | M8C | 8位 | 24MHz | i²c,irda,spi,uart/usart | LVD,POR,PWM,WDT | 16KB(16k x 8) | 闪光 | - | 1k x 8 | 3v〜5.25V | A/D 4x14b; D/A 4x9b | 内部的 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C144AV-25JC | 15.4000 | ![]() | 173 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 68-LCC(j-lead) | CY7C144 | sram-双端口,异步 | 3v〜3.6V | 68-PLCC (24.23x24.23) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 64kbit | 25 ns | SRAM | 8k x 8 | 平行线 | 25ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY74FCT2245CTQC | 0.1800 | ![]() | 1758年 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | 74fct | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 20ssop (0.154英寸,3.90mm) | 74FCT2245 | - | 三州 | 4.75V〜5.25V | 20ssop | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 收发器,无变形 | 1 | 8 | 15mA,12mA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY22381SXI-213 | 8.0400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | 时钟生成器,扇形发行 | CY22381 | 是的旁路 | lvttl,晶体 | CMOS | 3 | 1:3 | 否/否 | - | 3.135V〜3.465V | 8-SOIC | 下载 | 是/否 | 38 | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1440SV33-167BZC | 49.8700 | ![]() | 361 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1440 | sram-同步,sdr | 3.135v〜3.6V | 165-fbga(15x17) | - | 1 | 167 MHz | 易挥发的 | 36mbit | 3.4 ns | SRAM | 1m x 36 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY8C4014LQI-412 | - | ![]() | 7280 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | PSOC®4CY8C4000 | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 24-UFQFN暴露垫 | CY8C4014 | 24 QFN (4x4) | 下载 | rohs3符合条件 | 500 | 20 | ARM®Cortex®-M0 | 32位单核 | 16MHz | i²c | 褐色检测/重置,Por,PWM,WDT | 16KB(16k x 8) | 闪光 | - | 2k x 8 | 1.71V〜5.5V | D/A 1x7b,1x8b | 内部的 | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1520KV18-300BZXI | 148.6800 | ![]() | 32 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1520 | Sram-同步,DDR II | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | 3 | 300 MHz | 易挥发的 | 72Mbit | SRAM | 2m x 36 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY62128ELL-45SXIT | - | ![]() | 9791 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MOBL® | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 32-SOIC (0.445“,11.30mm宽度) | CY62128 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 32-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1 | 易挥发的 | 1Mbit | 45 ns | SRAM | 128K x 8 | 平行线 | 45ns | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY62137FV18LL-55BVXI | - | ![]() | 4776 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MOBL® | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-VFBGA | CY62137 | sram-异步 | 1.65V〜2.25V | 48-VFBGA(6x8) | 下载 | 1 | 易挥发的 | 2Mbit | 55 ns | SRAM | 128K x 16 | 平行线 | 55ns | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S29GL512T11FHIV20 | - | ![]() | 5843 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | GL-T | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 64-LBGA | S29GL512 | 闪光灯 -也不 | 1.65V〜3.6V | 64-FBGA(13x11) | 下载 | 1 | 非易失性 | 512Mbit | 110 ns | 闪光 | 64m x 8 | 平行线 | 60ns | 经过验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1618KV18-300BZXC | - | ![]() | 3248 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1618 | Sram-同步,QDR II | 1.7V〜1.9V | 165-fbga(15x17) | 下载 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2 | 300 MHz | 易挥发的 | 144Mbit | SRAM | 4m x 36 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C25652KV18-400BZC | 222.0000 | ![]() | 384 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C25652 | sram-同步,QDR II+ | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | 1 | 400 MHz | 易挥发的 | 72Mbit | SRAM | 2m x 36 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7S1041G-10ZSXI | 1.0000 | ![]() | 9279 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | CY7S1041 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 44-TSOP II | 下载 | 1 | 易挥发的 | 4Mbit | 10 ns | SRAM | 256K x 16 | 平行线 | 10NS | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY14B101KA-SP25XI | - | ![]() | 1246 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-bessop(0.295英寸,7.50mm宽度) | CY14B101 | NVSRAM(SRAM) | 2.7V〜3.6V | 48-SSOP | 下载 | 1 | 非易失性 | 1Mbit | 25 ns | NVSRAM | 128K x 8 | 平行线 | 25ns | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S25FL128SAGNFI010 | 3.0800 | ![]() | 220 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | fl-s | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | S25FL128 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 8-wson(6x8) | 下载 | 98 | 133 MHz | 非易失性 | 128mbit | 闪光 | 16m x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S29GL01GT12TFN010 | - | ![]() | 6161 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | GL-T | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 56-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | S29GL01 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | 下载 | 1 | 非易失性 | 1Gbit | 120 ns | 闪光 | 128m x 8 | 平行线 | 60ns | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74FCT162244CTPVCT | 0.6600 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | 74fct | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-bessop(0.295英寸,7.50mm宽度) | 74FCT162244 | - | 三州 | 4.5V〜5.5V | 48-SSOP | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 457 | 缓冲,无变形 | 4 | 4 | 24mA,24mA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C10612DV33-10ZSXI | 71.6800 | ![]() | 3204 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) | CY7C10612 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 54-TSOP II | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 2832-CY7C10612DV33-10ZSXI | 3A991B2A | 8542.32.0040 | 108 | 易挥发的 | 16mbit | 10 ns | SRAM | 1m x 16 | 平行线 | 10NS | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY8C4124PVI-442 | 1.9600 | ![]() | 329 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | PSOC®4CY8C4100 | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 28SSOP(0.209英寸,宽度为5.30mm) | CY8C4124 | 28 sop | 下载 | 154 | 24 | ARM®Cortex®-M0 | 32位单核 | 24MHz | I²C,Irda,Linbus,Microwire,SmartCard,Spi,SSP,UART/USART | Brown-Out检测/重置,Capsense,LCD,LVD,POR,PWM,WDT | 16KB(16k x 8) | 闪光 | - | 4K x 8 | 1.71V〜5.5V | A/D 8X12B SAR; D/A 2XIDAC | 内部的 | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY22395FXI | 9.6300 | ![]() | 11 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C | 表面安装 | 16-TSSOP (0.173“,4.40mm宽度) | 时钟生成器,扇形发行 | CY22395 | 是的旁路 | lvttl,晶体 | CMOS,LVCMOS | 1 | 否/否 | 133MHz,166MHz | 2.375V〜3.465V | 16-TSSOP | 下载 | 是/否 | 32 | 经过验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1018DV33-10VXI | 2.1100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 32-bsoj(0.300英寸,7.62mm宽度) | CY7C1018 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 32-soj | 下载 | rohs3符合条件 | 1 | 易挥发的 | 1Mbit | 10 ns | SRAM | 128K x 8 | 平行线 | 10NS | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY14V101LA-BA45XIT | 16.3800 | ![]() | 106 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-TFBGA | CY14V101 | NVSRAM(SRAM) | 2.7V〜3.6V | 48-fbga(6x10) | 下载 | 19 | 非易失性 | 1Mbit | 45 ns | NVSRAM | 128K x 8 | 平行线 | 45ns | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1351G-100AXC | 6.0500 | ![]() | 227 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | NOBL™ | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | CY7C1351 | sram-同步,sdr | 3.135v〜3.6V | 100-TQFP(14x20) | 下载 | 50 | 100 MHz | 易挥发的 | 4.5mbit | 8 ns | SRAM | 128K x 36 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY2303SXC | 11.6000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | 时钟乘数,扇形发行 | CY2303 | 是的 | lvcmos,lvttl | lvcmos | 1 | 否/否 | 166.67MHz | 3v〜3.6V | 8-SOIC | 下载 | 否/是 | 26 | 未行业行业经验证 |
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