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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 应用领域 | 安装类型 | 包装/箱 | 类型 | 基本产品编号 | 技术 | 当前-供应 | SIC | 锁相环 | 输入 | 输出 | 电路数量 | 其中 - 输入:输出 | 分数 - 输入:输出 | 频率 - 最大 | 电压 - 电源 | 供应商设备包 | 数据表 | 除法器/乘法器 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 功能 | 标准 | 输入/输出数量 | 核心处理器 | 核心尺寸 | 速度 | 连接性 | 周边设备 | 程序内存大小 | 程序存储器类型 | EEPROM大小 | 内存大小 | 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) | 数据转换器 | 振荡器类型 | 协议 | 界面 | 时钟频率 | 控制器系列 | 内存类型 | 内存大小 | 访QQT | 内存格式 | 记忆组织 | 内存接口 | 周期写入T - 字、页 | SIC |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CY14B256PA-SFXI | 1.0000 | ![]() | 9802 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | CY14B256 | NVSRAM(非易失性SRAM) | 2.7V~3.6V | 16-SOIC | 下载 | 1 | 40兆赫 | 非活跃性 | 256Kbit | 非静态随机仓库 | 32K×8 | SPI | - | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY62147G30-45ZSXI | 5.2400 | ![]() | 275 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MoBL® | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 44-TSOP(0.400英寸,10.16毫米宽) | CY62147 | SRAM - 异步 | 2.2V~3.6V | 44-TSOP II | 下载 | 58 | 易挥发的 | 4兆比特 | 45纳秒 | 静态随机存储器 | 256K×16 | 平行线 | 45纳秒 | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY62128BNLL-70SXET | 4.9900 | ![]() | 300 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MoBL® | 大部分 | 过时的 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | 32-SOIC(0.445英寸,11.30毫米宽) | CY62128 | SRAM - 异步 | 4.5V~5.5V | 32-SOIC | 下载 | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | EAR99 | 8542.32.0041 | 61 | 易挥发的 | 1兆比特 | 70纳秒 | 静态随机存储器 | 128K×8 | 平行线 | 70纳秒 | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1355C-133AXIT | 7.3000 | ![]() | 325 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | 诺BL™ | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 100-LQFP | CY7C1355 | SRAM-同步、SDR | 3.135V~3.6V | 100-TQFP (14x20) | 下载 | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 750 | 133兆赫 | 易挥发的 | 9兆比特 | 6.5纳秒 | 静态随机存储器 | 256K×36 | 平行线 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C60456-48LTXC | 2.9100 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | enCoRe™ V CY7C604xx | 托盘 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 48-VFQFN 裸露焊盘 | CY7C60456 | 48-QFN (7x7) | 下载 | 符合ROHS3标准 | EAR99 | 8542.31.0001 | 104 | 36 | M8C | 8号 | 24兆赫 | I²C、SPI | 低电压检测、上电复位、看门狗基线 | 32KB(32K x 8) | 闪光 | - | 2K×8 | 1.71V~3.6V | 模数转换器 1x10b | 内部的 | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | W137H | - | ![]() | 2387 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 28-SSOP(0.209英寸,5.30毫米宽) | 时钟驱动器、时钟合成器、扩频C | 是的 | 水晶 | 钟 | 1 | 1:17 | 否/否 | 14.318兆赫 | 2.375V~2.625V、3.135V~3.465V | 28-SSOP | 下载 | 是/否 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MB9BF564LPMC-G-JNE2 | - | ![]() | 9848 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | FM4 MB9B560L | 大部分 | 过时的 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | 64-LQFP | MB9BF564 | 64-LQFP (12x12) | - | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 1 | 48 | ARM® Cortex®-M4F | 32位单核 | 160兆赫 | CAN总线、CSIO、I²C、LIN总线、UART/USART、USB | DMA、LVD、POR、PWM、WDT | 288KB(288K x 8) | 闪光 | - | 32K×8 | 2.7V~5.5V | 模数转换器15x12b;数模2x10b | 内部的 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1361A-100AI | 7.2300 | ![]() | 607 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 100-LQFP | CY7C1361 | SRAM-同步、SDR | 3.135V~3.6V | 100-TQFP (14x20) | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 3(168小时) | REACH旅行 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100兆赫 | 易挥发的 | 9兆比特 | 8纳秒 | 静态随机存储器 | 256K×36 | 平行线 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY8C20446A-24LQXIKG | 2.1500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 的积极 | 未验证 | - | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | EAR99 | 8542.31.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C136-25JC | - | ![]() | 3772 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 包 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 52-LCC(J导联) | CY7C136 | SRAM - 双端口,异步 | 4.5V~5.5V | 52-PLCC (19.13x19.13) | - | 不符合 RoHS 指令 | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 16Kbit | 25纳秒 | 静态随机存储器 | 2K×8 | 平行线 | 25纳秒 | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| S79FL01GSDSBHVC10 | 14.4900 | ![]() | 第481章 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | FL-G | 大部分 | 的积极 | -40℃~105℃(TA) | 表面贴装 | 24-TBGA | S79FL01 | 或-NOR | 2.7V~3.6V | 24-BGA (8x6) | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 供应商未定义 | 1 | 80兆赫 | 非活跃性 | 1Gbit | 闪光 | 128M×8 | SPI | - | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY24488ZXC-001T | 3.8600 | ![]() | 12 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | 表面贴装 | 16-TSSOP(0.173英寸,4.40毫米宽) | CY24488 | 16-TSSOP | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 78 | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1362S-166AJXC | 15.6700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 包 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 100-LQFP | CY7C1362 | SRAM-同步、SDR | 3.135V~3.6V | 100-TQFP (14x14) | - | 不适用 | 3A991B2A | 20 | 166兆赫 | 易挥发的 | 9兆比特 | 3.5纳秒 | 静态随机存储器 | 512K×18 | 平行线 | - | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C53120E4-40AXI | - | ![]() | 4762 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | 神经元® | 大部分 | 的积极 | -40℃~85℃ | 网络处理器 | 表面贴装 | 44-LQFP | CY7C53120 | 4.5V~5.5V | 44-TQFP (10x10) | 下载 | 2 | 11 | 第一式 | 附件 (4kB)、ROM (12kB) | 2K×8 | 串联 | CY7C531xx | 已验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY62147EV30LL-55ZSXET | 14.3400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MoBL® | 卷带式 (TR) | 过时的 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | 44-TSOP(0.400英寸,10.16毫米宽) | CY62147 | SRAM - 异步 | 2.2V~3.6V | 44-TSOP II | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2832-CY62147EV30LL-55ZSXETTR | 35 | 易挥发的 | 4兆比特 | 55纳秒 | 静态随机存储器 | 256K×16 | 平行线 | 55纳秒 | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S29GL512N11TFIV20 | 25.2200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | GL-N | 托盘 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 56-TFSOP(0.724英寸,18.40毫米宽) | S29GL512 | 或-NOR | 2.7V~3.6V | 56-TSOP | - | 不符合 RoHS 指令 | 不适用 | 供应商未定义 | 2832-S29GL512N11TFIV20 | 3A991A2 | 8542.32.0050 | 20 | 非活跃性 | 512兆比特 | 110纳秒 | 闪光 | 32M×16、64M×8 | CFI | 110纳秒 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY62256LL-70SNC | 2.3000 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MoBL® | 管子 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 28-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | CY62256 | SRAM - 异步 | 4.5V~5.5V | 28-SOIC | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | EAR99 | 8542.32.0041 | 131 | 易挥发的 | 256Kbit | 70纳秒 | 静态随机存储器 | 32K×8 | 平行线 | 70纳秒 | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1041CV33-20ZXI | 3.5400 | ![]() | 第554章 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 44-TSOP(0.400英寸,10.16毫米宽) | CY7C1041 | SRAM - 异步 | 3V~3.6V | 44-TSOP II | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | 供应商未定义 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 4兆比特 | 20纳秒 | 静态随机存储器 | 256K×16 | 平行线 | 20纳秒 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY22395FXI | 9.6300 | ![]() | 11 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -40℃~85℃ | 表面贴装 | 16-TSSOP(0.173英寸,4.40毫米宽) | 时钟发生器,扇出分布 | CY22395 | 是,带旁路 | LVTTL、晶体 | CMOS、LVCMOS | 1 | 否/否 | 133兆赫、166兆赫 | 2.375V~3.465V | 16-TSSOP | 下载 | 是/否 | 32 | 已验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7B9940V-2AC | 15.8100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | RoboClockII™ 少年 | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 44-LQFP | 时钟故障、零延迟故障 | 是的 | LVPECL、LVTTL | 左心室TTL | 1 | 4:10 | 是/否 | 200兆赫 | 2.97V~3.63V | 44-TQFP (10x10) | 下载 | 是/否 | 不符合 RoHS 指令 | 3(168小时) | REACH旅行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | W42C31-04G | 1.0000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 扩频时钟发生器 | 是的 | 水晶 | - | 1 | 1:1 | 否/否 | 69兆赫 | 4.5V~5.5V | 8-SOIC | 下载 | 是/否 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C9611-NC | 53.4600 | ![]() | 第291章 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 的积极 | - | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | 6 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY2305CSXA-1H | 5.8100 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -40℃~85℃ | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 扇出故障(分配)、零延迟故障 | CY2305 | 是的 | LVCMOS、LVTTL | LVCMOS | 1 | 1:5 | 否/否 | 133.33兆赫 | 3V~3.6V | 8-SOIC | 下载 | 否/否 | 符合ROHS3标准 | 52 | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CY7C1354C-166AXCKJ | 9.1600 | ![]() | 第476章 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | 诺BL™ | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 100-LQFP | CY7C1354 | SRAM-同步、SDR | 3.135V~3.6V | 100-TQFP (14x20) | 下载 | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 166兆赫 | 易挥发的 | 9兆比特 | 3.5纳秒 | 静态随机存储器 | 256K×36 | 平行线 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY27C010-55ZC | 2.5700 | ![]() | 249 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 32-TFSOP(0.724英寸,18.40毫米宽) | CY27C010 | EPROM-OTP | 4.5V~5.5V | 32-TSOP I | 下载 | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | 非活跃性 | 1兆比特 | 55纳秒 | EPROM | 128K×8 | 平行线 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CYWB0125ABX-FDXI | 13.3300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | - | 表面贴装 | 81-UFBGA,WLCSP | USB/大容量存储外设控制器 | 未验证 | 81-WLCSP (3.78x3.79) | 下载 | 3A991A3 | 8542.31.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1425KV18-250CKB | 35.9700 | ![]() | 第272章 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | CY7C1425 | SRAM - 同步,QDR II | 1.7V~1.9V | 下载 | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 250兆赫 | 易挥发的 | 36兆比特 | 静态随机存储器 | 4M×9 | 平行线 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1049BNL-17VCT | 10.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 36-BSOJ(0.400英寸,10.16毫米宽) | CY7C1049 | SRAM - 异步 | 4.5V~5.5V | 36-SOJ | 下载 | 不适用 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 30 | 易挥发的 | 4兆比特 | 17纳秒 | 静态随机存储器 | 512K×8 | 平行线 | 17纳秒 | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C65630-56LTXC | - | ![]() | 9497 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | EZ-USB HX2LP™ | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃ | 56-VFQFN 裸露焊盘 | CY7C65630 | - | 3.15V~3.45V | 56-QFN (8x8) | 下载 | 1 | 集线器控制器 | USB 2.0 | USB | USB | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CYIFS731SXCT | 2.3900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | - | CYIFS731 | - | - | - | - | - | - | - | 8-SOIC | - | - | 符合ROHS3标准 | EAR99 | 8542.39.0001 | 126 | 未验证 |

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