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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 特征 | 基本产品编号 | 输入类型 | 电流 -供应 | 输出类型 | 电路数 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 逻辑类型 | 元素数量 | 每个元素的位数 | 电流 -输出高,低,低 | 功能 | 电流 -静止(最大) | 输入数量 | 建筑学 | i/o的数量 | 核心处理器 | 核心大小 | 速度 | 连接性 | 外围设备 | 程序内存大小 | 程序内存类型 | EEPROM大小 | ram大小 | 电压 -电源( -vcc/vdd) | 数据转换器 | 振荡器类型 | 闪光大小 | 主要属性 | 时钟频率 | 触发类型 | 最大传播延迟 @ v,max cl | 当前-iq(iq) | 输入电容 | 输入逻辑级别 -低 | 输入逻辑级别 -高 | sic可编程 |
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![]() | MC68HC11E1MFNE3 | - | ![]() | 2456 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 52-lcc(j-lead) | MC68HC11 | 52-PLCC (19.13x19.13) | - | Rohs不合规 | 供应商不确定 | 2156-MC68HC11E1MFNE3 | Ear99 | 8542.31.0001 | 1 | 16 | M68HC11 | 8位 | 3MHz | Sci,Spi,UART/USART | por,wdt | - | 无rom | 512 x 8 | 512 x 8 | 3v〜5.5V | A/D 8X8B SAR | 外部,内部 | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74LVC2G53GD,125 | 0.1900 | ![]() | 53 | 0.00000000 | NXP半导体 | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 供应商不确定 | 到达不受影响 | 2156-74LVC2G53GD,125-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HEF4069UBT,013 | 0.1200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | NXP半导体 | * | 大部分 | 积极的 | HEF4069 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-HEF4069UBT,013-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74LVC74AD,112 | 0.1100 | ![]() | 50 | 0.00000000 | NXP半导体 | 74LVC | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 14- 材料( 0.154英寸,宽度为3.90mm) | D | 74LVC74 | 补充 | 1.2v〜3.6V | 14件事 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-74LVC74AD,112-954 | 1 | 2 | 1 | 24mA,24mA | (设置(预设)和重置 | 250 MHz | 正优势 | 5.2NS @ 3.3V,50pf | 10 µA | 4 pf | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74HCT109D,653 | 0.1600 | ![]() | 4 | 0.00000000 | NXP半导体 | 74HCT | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.154英寸,宽度为3.90mm) | JK类型 | 74HCT109 | 补充 | 4.5V〜5.5V | 16件事 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-74HCT109D,653-954 | 1,840 | 2 | 1 | 4mA,4mA | (设置(预设)和重置 | 55 MHz | 正优势 | 35ns @ 4.5V,50pf | 4 µA | 3.5 pf | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74AXP1G125GMH | 0.0800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | NXP半导体 | 74axp | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 6-XFDFN | 74AXP1G125 | - | 三州 | 0.7V 2.75V | 6-XSON,SOT886(1.45x1) | 下载 | 供应商不确定 | 到达不受影响 | 2156-74AXP1G125GMH-954 | 1 | 缓冲,无变形 | 1 | 1 | 8mA,8mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 88MW322-A0-NXUE/AZ | 5.8400 | ![]() | 10 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -30°C 〜85°C | - | 2156-88MW322-A0-NXUE/AZ | 52 | mpu | ARM®Cortex®-M4F | 512kb | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74AUP1G07GW,125 | - | ![]() | 3065 | 0.00000000 | NXP半导体 | 74aup | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353 | 74AUP1G07 | - | 打开排水 | 0.8V〜3.6V | 5-tssop | 下载 | 0000.00.0000 | 1 | 缓冲,无变形 | 1 | 1 | - ,4mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74HCT4851D,118 | 0.3700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | NXP半导体 | * | 大部分 | 积极的 | 74HCT4851 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-74HCT4851D,118-954 | 818 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74AUP1G38GW,125 | 0.0600 | ![]() | 397 | 0.00000000 | NXP半导体 | * | 大部分 | 积极的 | 74AUP1G38 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-74AUP1G38GW,125-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74AHC1G4212GWH | - | ![]() | 7796 | 0.00000000 | NXP半导体 | * | 大部分 | 积极的 | 74AHC1G4212 | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74AHC00D,112 | 0.1000 | ![]() | 10 | 0.00000000 | NXP半导体 | * | 大部分 | 积极的 | 74AHC00 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-74AHC00D,112-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74LVC1G86GX,125 | - | ![]() | 1067 | 0.00000000 | NXP半导体 | 74LVC | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C | 表面安装 | 4-xfdfn暴露垫 | - | 74LVC1G86 | 1 | 1.65V〜5.5V | 5-x2son(0.80x0.80) | 下载 | 0000.00.0000 | 1 | (XOR)) | 32mA,32mA | 4 µA | 2 | 4NS @ 5V,50pf | 0.7V〜0.8V | 1.7V〜2V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74AXP1T57GNX | 0.1700 | ![]() | 9 | 0.00000000 | NXP半导体 | * | 大部分 | 积极的 | 74AXP1T57 | 下载 | 供应商不确定 | 供应商不确定 | 2156-74AXP1T57GNX-954 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74HCT126D,653 | 0.1400 | ![]() | 37 | 0.00000000 | NXP半导体 | 74HCT | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 14- 材料( 0.154英寸,宽度为3.90mm) | 74HCT126 | - | 三州 | 4.5V〜5.5V | 14件事 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-74HCT126D,653-954 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,071 | 缓冲,无变形 | 4 | 1 | 6mA,6mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
NX3DV42GU/S500115 | - | ![]() | 8070 | 0.00000000 | NXP半导体 | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 供应商不确定 | 到达不受影响 | 2156-NX3DV42GU/S500115-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MC33689DPEWR2 | 3.0300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜125°C(TA) | 汽车,系统基础芯片 | 表面安装 | 32-bessop (0.295英寸,宽度为,7.50mm) | MC33689 | 5mA | 5.5V〜27V | 32-Soic | 下载 | Rohs不合规 | 供应商不确定 | 2156-MC33689DPEWR2 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74LVC14AD,112 | 0.1000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | NXP半导体 | * | 大部分 | 积极的 | 74LVC14 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-74LVC14AD,112-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74AHCT1G66GW,125 | - | ![]() | 3799 | 0.00000000 | NXP半导体 | * | 大部分 | 积极的 | 74AHCT1G66 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-74AHCT1G66GW,125-954 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74HC04PW,112 | 0.1000 | ![]() | 16 | 0.00000000 | NXP半导体 | * | 大部分 | 积极的 | 74HC04 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-74HC04PW,112-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | LPC1311FHN33/01,55 | 1.9000 | ![]() | 306 | 0.00000000 | NXP半导体 | LPC13XX | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 32-VQFN暴露垫 | 32-HVQFN(7x7) | - | 2156-LPC1311FHN33/01,55 | 158 | 28 | ARM®Cortex®-M3 | 32位 | 72MHz | I²C,Microwire,Spi,SSI,UART/USART | 褐色检测/重置,por,wdt | 8KB (8K x 8) | 闪光 | - | 4K x 8 | 2v〜3.6V | A/D 8x10b | 内部的 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MKL17Z32VDA4R | - | ![]() | 8134 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 36-XFBGA | MKL17Z32 | 36 Mapbga(3.5x3.5) | - | Rohs不合规 | 供应商不确定 | 2156-MKL17Z32VDA4R | 3A991 | 8542.31.0001 | 1 | 32 | ARM®Cortex®-M0+ | 32位 | 48MHz | i²c,flexio,spi,uart/usart | DMA,I²S,PWM,WDT | 32KB (32K x 8) | 闪光 | - | 8k x 8 | 1.71v〜3.6V | A/D 15x16b SAR | 外部,内部 | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | mcr908jk1ecdwe | - | ![]() | 3105 | 0.00000000 | NXP半导体 | HC08 | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 20-SOIC (0.295英寸,7.50mm宽度) | 20-SOIC | - | Rohs不合规 | 供应商不确定 | 2156-MCR908JK1ECDWE-954 | 1 | 15 | M68HC08 | 8位 | 8MHz | - | LED,LVD,POR,PWM | 1.5kb(1.5kx 8) | 闪光 | - | 128 x 8 | 2.7V〜5.5V | A/D 10x8B SAR | 外部,内部 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MCF52221CAE66 | - | ![]() | 9033 | 0.00000000 | NXP半导体 | MCF5222X | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 64-LQFP | 64-LQFP(10x10) | - | Rohs不合规 | 供应商不确定 | 2156-MCF52221CAE66-954 | 1 | 56 | Coldfire V2 | 32位 | 66MHz | i²c,spi,uart/usart,USB OTG | DMA,LVD,POR,PWM,WDT | 128KB (128K x 8) | 闪光 | - | 16k x 8 | 3v〜3.6V | A/D 8x12b | 内部的 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74LVCH245APW,118 | 0.1300 | ![]() | 256 | 0.00000000 | NXP半导体 | 74lvch | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 20-tssop (0.173“,4.40mm宽度) | 74LVCH245 | - | 三州 | 1.2v〜3.6V | 20-tssop | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-74LVCH245APW,118-954 | 2,310 | 收发器,无变形 | 1 | 8 | 24mA,24mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74LVC373APW,112 | 0.1400 | ![]() | 14 | 0.00000000 | NXP半导体 | * | 大部分 | 积极的 | 74LVC373 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-74LVC373APW,112-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | LPC11E14FBD48/401, | 2.5600 | ![]() | 310 | 0.00000000 | NXP半导体 | lpc11e1x | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-LQFP | 48-LQFP (7x7) | - | 2156-LPC11E14FBD48/401, | 118 | 40 | ARM®Cortex®-M0 | 32位 | 50MHz | I²C,Microwire,Spi,SSI,SSP,UART/USART | 褐色检测/重置,por,wdt | 32KB (32K x 8) | 闪光 | 4K x 8 | 10k x 8 | 1.8v〜3.6V | A/D 8X10B SAR | 外部,内部 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74HCT2G08GD,125 | 0.1400 | ![]() | 4 | 0.00000000 | NXP半导体 | * | 大部分 | 积极的 | 74HCT2G08 | 下载 | 供应商不确定 | 到达不受影响 | 2156-74HCT2G08GD,125-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HEF4030BT,653 | 0.1500 | ![]() | 7 | 0.00000000 | NXP半导体 | * | 大部分 | 积极的 | HEF4030 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-HEF4030BT,653-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
74AHC74D,118 | - | ![]() | 5080 | 0.00000000 | NXP半导体 | 74AHC | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 14- 材料( 0.154英寸,宽度为3.90mm) | D | 74AHC74 | 补充 | 2v〜5.5V | 14件事 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-74AHC74D,118-954 | 1 | 2 | 1 | 8mA,8mA | (设置(预设)和重置 | 115 MHz | 正优势 | 9.3ns @ 5V,50pf | 2 µA | 3 pf |
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