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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 特征 | 基本产品编号 | 输入类型 | 电流 -供应 | 电压 -输入 | 输出类型 | 温度系数 | 电路数 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 逻辑类型 | 元素数量 | 每个元素的位数 | 电流 -输出高,低,低 | 功能 | 电流 -静止(最大) | 输入数量 | 参考类型 | i/o的数量 | 核心处理器 | 核心大小 | 速度 | 连接性 | 外围设备 | 程序内存大小 | 程序内存类型 | EEPROM大小 | ram大小 | 电压 -电源( -vcc/vdd) | 数据转换器 | 振荡器类型 | 核心/公共汽车宽度的数量 | 协同处理器/dsp | ram控制器 | 图形加速度 | 显示和接口控制器 | 以太网 | 萨塔 | USB | 电压-I/O。 | 安全功能 | 其他接口 | 时钟频率 | 电压源 | 触发类型 | 最大传播延迟 @ v,max cl | 当前-iq(iq) | 输入电容 | 输入逻辑级别 -低 | 输入逻辑级别 -高 | 电路 | 独立电路 | 电流 -输出 | 电压 -输出(最小/固定) | 噪声-0.1Hz至10Hz | 噪声-10Hz至10KHz | 电流 -阴极 | 电压 -输出(最大) | sic可编程 |
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![]() | S908AS60AH3VFNER | - | ![]() | 3732 | 0.00000000 | NXP半导体 | HC08 | 大部分 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 52-lcc(j-lead) | 52-PLCC (19.13x19.13) | - | 2156-S908AS60AH3VFNE | 1 | 40 | M68HC08 | 8位 | - | Canbus,I²C,Sci,Spi | LVD,LVR,POR,PWM | 60kb(60k x 8) | 闪光 | 1k x 8 | 2k x 8 | 4.5V〜5.5V | A/D 15x8b SAR | 外部,内部 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74AVC1T45GM,115 | - | ![]() | 6302 | 0.00000000 | NXP半导体 | * | 大部分 | 积极的 | 74AVC1T45 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-74AVC1T45GM,115-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74LVC125AD,112 | 0.1000 | ![]() | 98 | 0.00000000 | NXP半导体 | 74LVC | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 14- 材料( 0.154英寸,宽度为3.90mm) | 74LVC125 | - | 三州 | 1.2v〜3.6V | 14件事 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-74LVC125AD,112-954 | 1 | 缓冲,无变形 | 4 | 1 | 24mA,24mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74HC238D,652 | 0.2000 | ![]() | 19 | 0.00000000 | NXP半导体 | 74HC | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C | 表面安装 | 16-Soic(0.154英寸,宽度为3.90mm) | 解码器/解密器 | 74HC238 | 2v〜6V | 16件事 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-74HC238D,652-954 | 1 | 5.2mA,5.2mA | 单供应 | 1 x 3:8 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TL431AMFDT,215 | 0.0800 | ![]() | 17 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±1% | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | TL431 | - | - | 可调节的 | - | TO-236AB | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-TL431AMFDT,215-954 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 分流 | 100 ma | 2.495V | - | - | 600 µA | 36 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KC9S08GT16ACFDE | - | ![]() | 6680 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | - | 2156-KC9S08GT16ACFDE | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | LPC2921FBD100,551 | 4.3700 | ![]() | 287 | 0.00000000 | NXP半导体 | LPC2900 | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | 100-LQFP(14x14) | - | 2156-LPC2921FBD100,551 | 69 | 60 | ARM968E-S | 16/32位 | 125MHz | Canbus,I²C,Linbus,Spi,Uart/Usart,USB | DMA,POR,PWM,WDT | 128KB (128K x 8) | 闪光 | 16k x 8 | 24k x 8 | 1.71v〜3.6V | A/D 16x8b | 内部的 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74AlVC08PW,118 | 0.1300 | ![]() | 59 | 0.00000000 | NXP半导体 | * | 大部分 | 积极的 | 74AlVC08 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-74ALVC08PW,118-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74HCT374D,653 | 0.1900 | ![]() | 14 | 0.00000000 | NXP半导体 | 74HCT | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 20-SOIC (0.295英寸,7.50mm宽度) | D | 74HCT374 | 三态,无向世 | 4.5V〜5.5V | 20-so | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-74HCT374D,653-954 | 1 | 1 | 8 | 6mA,6mA | 标准 | 44 MHz | 正优势 | 32NS @ 4.5V,50pf | 4 µA | 3.5 pf | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SPC5646CCK0MLT1 | - | ![]() | 3879 | 0.00000000 | NXP半导体 | MPC56XX Qorivva | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 208-LQFP | 208-LQFP(28x28) | - | 2156-SPC5646CCK0MLT1 | 1 | 177 | E200Z4D,E200Z0H | 32位双核 | 80MHz,120MHz | Canbus,以太网,I²C,Linbus,Sci,Spi | DMA,POR,PWM,WDT | 3MB (3m x 8) | 闪光 | 4K x 16 | 256K x 8 | 3v〜5.5V | A/D 52x10b,29x12b | 内部的 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74HCT573D,652 | - | ![]() | 3880 | 0.00000000 | NXP半导体 | * | 大部分 | 积极的 | 74HCT573 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-74HCT573D,652-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | LS1088AXE7MQA | 177.9200 | ![]() | 45 | 0.00000000 | NXP半导体 | Qorlq LS1 | 大部分 | 积极的 | -40°C〜105°C(TJ) | 表面安装 | 780-BFBGA | 780-FBGA(23x23) | - | 2156-LS1088AXE7MQA | 2 | ARM®Cortex®-A53 | 1.2GHz | 8核,64位 | 多媒体; Neon™Simd | DDR4 | 不 | - | 10GBE(2),1GBE (8) | SATA 6GBPS(1) | USB 3.0 + PHY (2) | 1.2V | 安全启动,Trustzone® | Duart,Emmc/SD/SDIO,I²C,IFC,PCI,SPI,UART | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MC9S08QG8CDTE | - | ![]() | 8095 | 0.00000000 | NXP半导体 | S08 | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 16-TSSOP (0.173“,4.40mm宽度) | MC9S08 | 16-TSSOP | 下载 | Rohs不合规 | 供应商不确定 | 2156-MC9S08QG8CDTE-954 | 3A991 | 8542.31.0001 | 1 | 12 | HCS08 | 8位 | 20MHz | I²C,Sci,Spi | LVD,POR,PWM,WDT | 8KB (8K x 8) | 闪光 | - | 512 x 8 | 1.8v〜3.6V | A/D 8X10B SAR | 外部,内部 | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MC9S12XDT512CAL | - | ![]() | 4547 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 112-LQFP | MC9S12 | 112-LQFP(20x20) | - | Rohs不合规 | 供应商不确定 | 2156-MC9S12XDT512CAL-954 | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 1 | 91 | HCS12X | 16位 | 80MHz | CANBUS,EBI/EMI,I²C,IRDA,LINBUS,SCI,SPI | LVD,POR,PWM,WDT | 512KB (512K x 8) | 闪光 | 4K x 8 | 20k x 8 | 2.35V〜2.75V | A/D 16X10B SAR | 外部,内部 | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74AUP1G157GW,125 | 0.0900 | ![]() | 6103 | 0.00000000 | NXP半导体 | 74aup | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 复用器 | 74AUP1G157 | 0.8V〜3.6V | 6-TSSOP | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-74AUP1G157GW,125-954 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 4mA,4mA | 单供应 | 1 x 2:1 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74VHC126PW,118 | - | ![]() | 4555 | 0.00000000 | NXP半导体 | 74VHC | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 14-TSSOP (0.173“,4.40mm宽度) | 74VHC126 | - | 三州 | 2v〜5.5V | 14-TSSOP | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-74VHC126PW,118-954 | 1 | 缓冲,无变形 | 4 | 1 | 8mA,8mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPC8358CVRADDA557 | 81.7500 | ![]() | 36 | 0.00000000 | NXP半导体 | mpc83xx | 大部分 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 668-BBGA暴露垫 | 668-tepbga(29x29) | - | 2156-MPC8358CVRADDDA557 | 4 | PowerPC E300 | 266MHz | 1核,32位 | 通讯; quicc引擎,安全性;秒 | DDR,DDR2 | 不 | - | 10/100/1000Mbps(1) | - | USB 1.x(1) | 1.8V,2.5V,3.3V | 加密,随机数生成器 | Duart,HDLC,I²C,PCI,SPI,UART | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | LPC54102J512UK49Z | 5.7800 | ![]() | 10 | 0.00000000 | NXP半导体 | LPC5410X | 大部分 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 49-UFBGA,WLCSP | 49-wlcsp (3.29x3.29) | - | 2156-LPC54102J512UK49Z | 52 | 39 | 32位双核 | 100MHz | i²c,spi,uart/usart | 褐色检测/重置,Por,PWM,WDT | 512KB (512K x 8) | 闪光 | - | 104K x 8 | 1.62v〜3.6V | A/D 12x12b SAR | 外部,内部 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74LV132D,112 | 0.1500 | ![]() | 17 | 0.00000000 | NXP半导体 | * | 大部分 | 积极的 | 74LV132 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-74LV132D,112-954 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74HCU04D,653 | 0.0900 | ![]() | 161 | 0.00000000 | NXP半导体 | * | 大部分 | 积极的 | 74HCU04 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-74HCU04D,653-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | LPC2141FBD64,151 | - | ![]() | 1715年 | 0.00000000 | NXP半导体 | LPC2100 | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 64-LQFP | 64-LQFP(10x10) | - | 2156-LPC2141FBD64,151 | 1 | 45 | ARM7TDMI-S | 16/32位 | 60MHz | I²C,Microwire,Spi,SSI,SSP,UART/USART,USB | 褐色检测/重置,Por,PWM,WDT | 32KB (32K x 8) | 闪光 | - | 8k x 8 | 3v〜3.6V | A/D 6X10B SAR | 内部的 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74HC365D,652 | 1.0000 | ![]() | 9092 | 0.00000000 | NXP半导体 | 74HC | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.154英寸,宽度为3.90mm) | 74HC365 | - | 三州 | 2v〜6V | 16件事 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-74HC365D,652-954 | 1 | 缓冲,无变形 | 1 | 6 | 7.8mA,7.8mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SC85410EVTAJD557 | 208.0000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 过时的 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | 2156-SC85410EVTAJD557 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HEF4013BTT-Q100118 | - | ![]() | 9980 | 0.00000000 | NXP半导体 | * | 大部分 | 积极的 | HEF4013 | 下载 | 供应商不确定 | 到达不受影响 | 2156-HEF4013BTT-Q100118-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74HC4002DB,112 | - | ![]() | 5406 | 0.00000000 | NXP半导体 | 74HC | 大部分 | 过时的 | -40°C〜125°C | 表面安装 | 14 SSOP (0.209英寸,5.30mm) | - | 2 | 2v〜6V | 14-SSOP | - | Rohs不合规 | 供应商不确定 | 2156-74HC4002DB,112-954 | 1 | 也不是门 | 5.2mA,5.2mA | 2 µA | 4 | 17ns @ 6v,50pf | 0.5V〜1.8V | 1.2v〜3.2V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74HC373PW,112 | - | ![]() | 8441 | 0.00000000 | NXP半导体 | * | 大部分 | 积极的 | 74HC373 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-74HC373PW,112-954 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MC9S12E256CPVE | 20.2900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | NXP半导体 | HCS12 | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 112-LQFP | 112-LQFP(20x20) | - | 2156-MC9S12E256CPVE | 15 | 90 | S12 | 16位 | 50MHz | EBI/EMI,I²C,SCI,SPI | Por,PWM,WDT | 256KB (256K x 8) | 闪光 | - | 16k x 8 | 2.35V〜2.75V | A/D 16x10b; D/A 2x8b | 外部,内部 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S25FL128SAGBHV300 | 2.8200 | ![]() | 257 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | - | 2156-S25FL128SAGBHV300 | 107 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | LPC55S16JEV98E | - | ![]() | 8024 | 0.00000000 | NXP半导体 | LPC55S1X | 大部分 | 过时的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 98-VFBGA | LPC55S16 | 98-VFBGA(7x7) | - | Rohs不合规 | 供应商不确定 | 2156-LPC55S16JEV98E | 5A992 | 8542.31.0001 | 1 | 64 | ARM®Cortex®-M33 | 32位 | 150MHz | Flexcomm,I²C,Spi,Uart/Usart,USB | 褐色检测/重置,DMA,I²S,POR,PWM,RNG,WDT | 256KB (256K x 8) | 闪光 | - | 96k x 8 | 1.8v〜3.6V | A/D 10x16B SAR | 外部,内部 | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74HCT4538D,118 | 0.2500 | ![]() | 6649 | 0.00000000 | NXP半导体 | * | 大部分 | 积极的 | 74HCT4538 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-74HCT4538D,118-954 | 1 |
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