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集成电路 (IC)(16)
| 参考图片 | 产品编号 | 价格（美元） | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量（公斤） | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 技术 | 电压 - 电源 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级（MSL） | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QQT | 内存格式 | 记忆组织 | 内存接口 | 周期写入T - 字、页 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | H26M78208CMRI | - |  | 7479 | 0.00000000 | 网表公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 153-BGA | 附件 - NAND (SLC) | 2.7V~3.6V | 153-FBGA (11.5x13) | - | 符合RoHS标准 | 3（168小时） | REACH旅行 | 2655-H26M78208CMRITR | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | 200兆赫 | 非活跃性 | 512Gbit | 闪光 | 64G×8 | eMMC_5.1 | - | ||
 | H5TC4G63EFR-RDI | - | | 2992 | 0.00000000 | 网表公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 95°C（温控） | 表面贴装 | 96-TFBGA | SDRAM-DDR3L | 1.283V～1.45V | 96-FBGA (7.5x13) | - | 符合RoHS标准 | 3（168小时） | REACH旅行 | 2655-H5TC4G63EFR-RDITR | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 | 933兆赫 | 易挥发的 | 4G比特 | 20纳秒 | 动态随机存取存储器 | 256M×16 | 平行线 | - | |
 | H5AN4G8NBJR-XNC | - | | 7156 | 0.00000000 | 网表公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 0℃～95℃（温控） | 表面贴装 | 78-TFBGA | SDRAM-DDR4 | 1.14V～1.26V | 78-FBGA (7.5x11) | - | 符合RoHS标准 | 3（168小时） | REACH旅行 | 2655-H5AN4G8NBJR-XNCTR | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 | 1.6GHz | 易挥发的 | 4G比特 | 18纳秒 | 动态随机存取存储器 | 512米×8 | 平行线 | - | |
| H26M64208EMRN | - | | 3405 | 0.00000000 | 网表公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -25°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 153-BGA | 附件 - NAND (SLC) | 2.7V~3.6V | 153-FBGA (11.5x13) | 下载 | 符合RoHS标准 | 3（168小时） | REACH旅行 | 2655-H26M64208EMRNTR | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | 200兆赫 | 非活跃性 | 256Gbit | 闪光 | 32G×8 | eMMC_5.1 | - | ||
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| H26M52208FPRI | - | | 7984 | 0.00000000 | 网表公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 153-BGA | 附件 - NAND (SLC) | 2.7V~3.6V | 153-FBGA (11.5x13) | - | 符合RoHS标准 | 3（168小时） | REACH旅行 | 2655-H26M52208FPRITR | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | 200兆赫 | 非活跃性 | 128Gbit | 闪光 | 16G×8 | eMMC_5.1 | - | ||
| H26M64208EMRI | - | | 1938年 | 0.00000000 | 网表公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 153-BGA | 附件 - NAND (SLC) | 2.7V~3.6V | 153-FBGA (11.5x13) | - | 符合RoHS标准 | 3（168小时） | REACH旅行 | 2655-H26M64208EMRITR | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | 200兆赫 | 非活跃性 | 256Gbit | 闪光 | 32G×8 | eMMC_5.1 | - | ||
| H5AN4G6NBJR-XNC | - | | 4445 | 0.00000000 | 网表公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 0℃～95℃（温控） | 表面贴装 | 96-TFBGA | SDRAM-DDR4 | 1.14V～1.26V | 96-FBGA (7.5x13) | 下载 | 符合RoHS标准 | 3（168小时） | REACH旅行 | 2655-H5AN4G6NBJR-XNCTR | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 | 1.6GHz | 易挥发的 | 4G比特 | 18纳秒 | 动态随机存取存储器 | 256M×16 | 平行线 | - | |
| H26M41208HPRI | - | | 4248 | 0.00000000 | 网表公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 153-BGA | 附件 - NAND (SLC) | 2.7V~3.6V | 153-FBGA (11.5x13) | - | 符合RoHS标准 | 3（168小时） | REACH旅行 | 2655-H26M41208HPRITR | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | 200兆赫 | 非活跃性 | 64Gbit | 闪光 | 8G×8 | eMMC_5.1 | - | ||
| H5TC4G83EFR-RDI | - | | 4144 | 0.00000000 | 网表公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 95°C（温控） | 表面贴装 | 78-TFBGA | SDRAM-DDR3L | 1.283V～1.45V | 78-FBGA (7.5x11) | 下载 | 符合RoHS标准 | 3（168小时） | REACH旅行 | 2655-H5TC4G83EFR-RDITR | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 | 933兆赫 | 易挥发的 | 4G比特 | 20纳秒 | 动态随机存取存储器 | 512米×8 | 平行线 | - | |
| H5TC4G83EFR-RDA | - | | 3328 | 0.00000000 | 网表公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 0℃～95℃（温控） | 表面贴装 | 78-TFBGA | SDRAM-DDR3L | 1.283V～1.45V | 78-FBGA (7.5x11) | 下载 | 符合RoHS标准 | 3（168小时） | REACH旅行 | 2655-H5TC4G83EFR-RDATR | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 | 933兆赫 | 易挥发的 | 4G比特 | 20纳秒 | 动态随机存取存储器 | 512米×8 | 平行线 | - | |
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| H26M41208HPRN | - | | 2809 | 0.00000000 | 网表公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -25°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 153-BGA | 附件 - NAND (SLC) | 2.7V~3.6V | 153-FBGA (11.5x13) | - | 符合RoHS标准 | 3（168小时） | REACH旅行 | 2655-H26M41208HPRNTR | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | 200兆赫 | 非活跃性 | 64Gbit | 闪光 | 8G×8 | eMMC_5.1 | - | ||
| H26M78208CMRN | - | | 7421 | 0.00000000 | 网表公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -25°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 153-BGA | 附件 - NAND (SLC) | 2.7V~3.6V | 153-FBGA (11.5x13) | 下载 | 符合RoHS标准 | 3（168小时） | REACH旅行 | 2655-H26M78208CMRNTR | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | 200兆赫 | 非活跃性 | 512Gbit | 闪光 | 64G×8 | eMMC_5.1 | - | ||
| H5TC4G63EFR-RDA | - | | 6815 | 0.00000000 | 网表公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 0℃～95℃（温控） | 表面贴装 | 96-TFBGA | SDRAM-DDR3L | 1.283V～1.45V | 96-FBGA (7.5x13) | - | 符合RoHS标准 | 3（168小时） | REACH旅行 | 2655-H5TC4G63EFR-RDATR | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 | 933兆赫 | 易挥发的 | 4G比特 | 20纳秒 | 动态随机存取存储器 | 256M×16 | 平行线 | - | |
| H5AN4G6NBJR-XNI | - | | 8709 | 0.00000000 | 网表公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 95°C（温控） | 表面贴装 | 96-TFBGA | SDRAM-DDR4 | 1.14V～1.26V | 96-FBGA (7.5x13) | - | 符合RoHS标准 | 3（168小时） | REACH旅行 | 2655-H5AN4G6NBJR-XNITR | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 | 1.6GHz | 易挥发的 | 4G比特 | 18纳秒 | 动态随机存取存储器 | 256M×16 | 平行线 | - |
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