SIC
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（PMIC）（5）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 sic可编程 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 频道类型 驱动配置 驾驶员数量 门类型 逻辑电压 -vil，vih 电流 -峰值输出（源，水槽，水槽） 上升 /秋季t （典型）
IVCR2405DR Inventchip IVCR2405DR 3.3700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 发明 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IVCR2405 反转，无变形 未行业行业经验证 4.5V〜20V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 2（1年） 4084-IVCR2405DRDKR Ear99 8542.39.0001 4,000 独立的 低侧 2 IGBT，N通道MOSFET - 4a，4a 6ns，6ns
IVCR1407SR Inventchip IVCR1407SR 1.5700
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 发明 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 SC-74A，SOT-753 IVCR1407 反转，无变形 未行业行业经验证 4.5V〜20V SOT-23-5 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 单身的 低侧 2 IGBT，N通道MOSFET - 4a，4a 6ns，6ns
IVCR1401DPR Inventchip IVCR1401DPR 2.8100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 发明 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IVCR1401 不转变 未行业行业经验证 19v〜25V 8-SOIC-EP 下载 rohs3符合条件 2（1年） Ear99 8542.39.0001 4,000 单身的 低侧 1 IGBT，SIC MOSFET 1.7V，1.6V 4a，4a 13ns，13ns
IVCR1401DR Inventchip IVCR1401DR 2.6600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 发明 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IVCR1401 不转变 未行业行业经验证 19v〜25V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 2（1年） Ear99 8542.39.0001 4,000 单身的 低侧 1 IGBT，SIC MOSFET 1.7V，1.6V 4a，4a 13ns，13ns
IVCR2401DPR Inventchip IVCR2401DPR 1.5700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 发明 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IVCR2401 不转变 未行业行业经验证 8v〜20V 8-SOIC-EP 下载 rohs3符合条件 2（1年） Ear99 8542.39.0001 4,000 独立的 低侧 2 n通道，p通道MOSFET 1.7V，1.6V 4a，4a 13ns，13ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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