SIC
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（PMIC）（1138）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 类型 特征 基本产品编号 输入类型 频率 技术 电压 -输入 电压 -输入（最大） 输出类型 sic可编程 比率-输入：输出 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 功能 电流 -输出 /通道 电压 -电源（ -vcc/vdd） 界面 输出数量 当前-iq（iq） 电流 -供应（最大） 频道类型 内部开关 拓扑 故障保护 控制功能 电压 -电源（最大） 输出配置 感应方法 准确性 电流 -输出 RDS（类型） 电压 -负载 驱动配置 驾驶员数量 门类型 逻辑电压 -vil，vih 电流 -峰值输出（源，水槽，水槽） 上升 /秋季t （典型） 电机类型 -步进 电机类型-AC，DC 步骤分辨率 昏暗 电压 -电源（最小） 电压 -输出 开关类型 电流 -输出（最大） 电压 -输出（最小/固定） 电压 -输出（最大） 监管机构数量 （（（） PSRR 保护功能
TB62747AFNAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62747AFNAG，El -
RFQ
 ECAD 7768 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C（TA） - 表面安装 24ssop （0.154英寸，宽度为3.90mm） 线性 TB62747 - 24 SSOP 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 45mA 16 是的 换档 5.5V - 3V 26V
TC62D748CFG,C,EL,B Toshiba Semiconductor and Storage TC62D748CFG，C，El，b -
RFQ
 ECAD 5590 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C（TA） - 表面安装 24-sop （0.236英寸，6.00mm宽度） 线性 TC62D748 - 24 SSOP 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 90mA 16 是的 换档 5.5V - 3V 17V
TCKE805NA,RF Toshiba Semiconductor and Storage TCKE805NA，RF 1.5200
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 10-wfdfn暴露垫 TCKE805 4.4v〜18V 10-wsonb（3x3） 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 电子保险丝 - - 5a
TCK421G,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCK421G，L3F 0.8500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 6-XFBGA，WLCSP TCK421 不转变 未行业行业经验证 2.7V〜28V 6-WCSPG（0.8x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 同步 高侧和低侧 2 n通道MOSFET 0.4V，1.2V - -
TCR2LN19,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN19，lf（Se 0.3800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-xfdfn暴露垫 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 1.9V - 1 0.6V @ 150mA - 超过电流
TCK207AN,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK207AN，LF 0.8900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 4-xfdfn暴露垫 负载排放，控制率 TCK207 不转变 n通道 1：1 4-DFNA（1.2x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 不需要 打开/关 1 反向电流 高侧 21.5MOHM 0.75V〜3.6V 通用目的 2a
TCR3UM28A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage tcr3um28a，lf（Se 0.4700
RFQ
 ECAD 9199 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-udfn裸露的垫子 5.5V 固定的 4-DFN（1x1） - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 680 NA 当前限制，启用 积极的 300mA 2.8V - 1 0.327V @ 300mA - 在电流上超过温度
TCR3UM185A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UM185A，LF （SE 0.4700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-udfn裸露的垫子 5.5V 固定的 4-DFN（1x1） - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 680 NA 当前限制，启用 积极的 300mA 1.85V - 1 0.457V @ 300mA - 在电流上超过温度
TCR2LN20,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN20，lf（Se 0.3800
RFQ
 ECAD 228 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-xfdfn暴露垫 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 2V - 1 0.54V @ 150mA - 超过电流
TCR2LN25,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN25，lf（Se 0.3800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-xfdfn暴露垫 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 2.5V - 1 0.36V @ 150mA - 超过电流
TCR3RM29A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM29A，LF （Se 0.4600
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3RM 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xdfn暴露垫 TCR3RM29 5.5V 固定的 4-DFNC（1x1） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 12 µA 当前限制，启用 积极的 300mA 2.9V - 1 0.15V @ 300mA - 在电流上超过温度
TC62D748CFNAG(ELHB Toshiba Semiconductor and Storage TC62D748CFNAG （ELHB -
RFQ
 ECAD 3127 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C（TA） LED照明 表面安装 24ssop （0.154英寸，宽度为3.90mm） 线性 TC62D748 - 24 SSOP - 264-TC62D748CFNAG （ELHB 过时的 1 90mA 16 不 换档 5.5V 不 3V 17V
TCR2DG26,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG26，LF 0.1394
RFQ
 ECAD 4130 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2DG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-ufbga，WLCSP 5.5V 固定的 4-WCSP（0.79x0.79） 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 3,000 70 µA 使能够 积极的 200mA 2.6V - 1 0.13V @ 100mA - 在电流上超过温度
TC78H670FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78H670FTG，El 1.5300
RFQ
 ECAD 8443 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 16-VFQFN暴露垫 TC78H670 DMO 1.5V〜5.5V 16-vqfn （3x3） 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 系列 （4） 2a 2.5V〜16V 双极 DC 1，1/2
TCR5RG12A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5RG12A，LF 0.5300
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5RG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-XFBGA，WLCSP TCR5RG12 5.5V 固定的 4-WCSPF（0.65x0.65） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 13 µA - 积极的 500mA 1.2V - 1 - 100dB〜59dB （1KHz〜1MHz） 在电流上超过温度
TCR2LN105,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN105，LF -
RFQ
 ECAD 9926 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 TCR2LN105 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 1.05V - 1 1.38V @ 150mA - 超过电流
TCR2LN27,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN27，LF -
RFQ
 ECAD 4626 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 TCR2LN27 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 2.7V - 1 0.36V @ 150mA - 超过电流
TCR2LN31,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN31，LF -
RFQ
 ECAD 4678 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 TCR2LN31 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 3.1V - 1 0.28V @ 150mA - 超过电流
TCR3DF105,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF105，LM（ct 0.4900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR3DF105 5.5V 固定的 SMV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 使能够 积极的 300mA 1.05V - 1 0.77V @ 300mA 70dB（1KHz） 电流，高度，温度
TCR5BM10,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR5BM10，L3F 0.4900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5BM 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xdfn暴露垫 TCR5BM10 5.5V 固定的 5-DFNB（1.2x1.2） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 36 µA 使能够 积极的 500mA 1V - 1 0.135V @ 500mA 98dB （1KHz） 在电流上超过温度
TAR5S18U(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TAR5S18U（TE85L，F） 0.4700
RFQ
 ECAD 388 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 6-SMD（5条线），平坦的铅 TAR5S18 15V 固定的 UFV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 850 µA 使能够 积极的 200mA 1.8V - 1 - 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TCR2EE29,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE29，LM（ct 0.0680
RFQ
 ECAD 6634 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SOT-553 TCR2EE29 5.5V 固定的 ESV 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 2.9V - 1 0.23V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCR2EE31,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE31，LM（ct 0.0680
RFQ
 ECAD 4405 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SOT-553 TCR2EE31 5.5V 固定的 ESV 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 3.1V - 1 0.2V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCR2EE32,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE32，LM（ct 0.3500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SOT-553 TCR2EE32 5.5V 固定的 ESV 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 3.2V - 1 0.2V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCR2EE41,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE41，LM（ct 0.3500
RFQ
 ECAD 233 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SOT-553 TCR2EE41 5.5V 固定的 ESV 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 4.1V - 1 0.2V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCR2LE19,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE19，LM（ct 0.4000
RFQ
 ECAD 9367 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 SOT-553 TCR2LE19 5.5V 固定的 ESV 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 1.9V - 1 0.62V @ 150mA - 超过电流
TCR2LE21,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE21，LM（ct 0.0742
RFQ
 ECAD 4687 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 SOT-553 TCR2LE21 5.5V 固定的 ESV 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 2.1V - 1 0.56V @ 150mA - 超过电流
TCR3LM18A,RF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3LM18A，RF 0.3700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3LM 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 5.5V 固定的 4-DFN（1x1） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 2.2 µA 当前限制，启用 积极的 300mA 1.8V - 1 0.445V @ 200mA - 在电流上超过温度
TCR2LE115,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE115，LM（ct 0.0742
RFQ
 ECAD 6644 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 SOT-553 5.5V 固定的 ESV 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 4,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 1.15V - 1 1.3V @ 150mA - 超过电流
TCR3DF335,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF335，LM（ct 0.4900
RFQ
 ECAD 2885 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR3DF335 5.5V 固定的 SMV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 使能够 积极的 300mA 3.35V - 1 0.25V @ 300mA 70dB（1KHz） 电流，高度，温度
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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