SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 类型 基本产品编号 输入类型 技术 电流 -供应 电压 -输入 电压 -输入(最大) 输出类型 温度系数 sic可编程 输出 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 功能 参考类型 界面 输出数量 重置 当前-iq(iq) 电流 -供应(最大) 频道类型 拓扑 频率 -切换 控制功能 输出配置 同步整流器 电流 -输出 电压 -负载 驱动配置 驾驶员数量 门类型 逻辑电压 -vil,vih 电流 -峰值输出(源,水槽,水槽) 上升 /秋季t (典型) 高侧电压 -最大(引导程序) 电机类型 -步进 电机类型-AC,DC 步骤分辨率 监视电压数量 电压 -阈值 重置超时 电压 -输出(最小/固定) 噪声-0.1Hz至10Hz 噪声-10Hz至10KHz 电流 -阴极 电压 -输出(最大) 电压 -输入(最小) 监管机构数量 ((() PSRR 保护功能
LP38859S-0.8/NOPB National Semiconductor LP38859S-0.8/nopb 2.1700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 国家半导体 - 大部分 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 TO-263-6,D²Pak(5 + tab),TO-263BA LP38859 5.5V 固定的 DDPAK/TO-263-5 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1 8.5 ma 15 ma 柔软的开始 积极的 3a 0.8V - 1 0.45V @ 3a 80db〜65dB (120Hz〜1KHz) 在电压下,电压锁定(,uvlo)的电流,温度短,短路(,短路(
LM2673T-5.0 National Semiconductor LM2673T-5.0 2.5200
RFQ
ECAD 896 0.00000000 国家半导体 简单切换® 大部分 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 通过洞 TO-220-7形成铅 LM2673 40V 固定的 TO-220-7 - Rohs不合规 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8542.39.0001 1 降压 1 巴克 260kHz 积极的 3a 5V - 8V
LMS1587CT-ADJ National Semiconductor LMS1587CT-ADJ 1.3100
RFQ
ECAD 11 0.00000000 国家半导体 - 大部分 积极的 0°C〜125°C 通过洞 TO-220-3 LMS1587 13V 可调节的 TO-220-3 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8542.39.0001 1 7 ma 13 ma - 积极的 3a 1.25V 11.7V 1 1.3V @ 3a 72dB (120Hz) 在电流上超过温度
LM2596SX-ADJ National Semiconductor LM2596SX-ADJ 4.8400
RFQ
ECAD 8481 0.00000000 国家半导体 简单切换® 大部分 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 TO-263-6,D²Pak(5 + tab),TO-263BA 40V 可调节的 DDPAK/TO-263-5 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 Ear99 8542.39.0001 500 降压 1 巴克 150kHz 积极的 3a 1.2V 37V 4.5V
LM25088QMH-2/NOPB National Semiconductor LM25088QMH-2/NOPB -
RFQ
ECAD 4144 0.00000000 国家半导体 * 大部分 积极的 - Rohs不合规 供应商不确定 2156-LM25088QMH-2/NOPB-14 1
LP38692MP-3.3/NOPB National Semiconductor LP38692MP-3.3/nopb -
RFQ
ECAD 3917 0.00000000 国家半导体 - 大部分 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 TO-261-5,TO-261AB 10V 固定的 SOT-223 下载 Ear99 8542.39.0001 1 55 µA 100 µA - 积极的 1a 3.3V - 1 1V @ 1A 55dB (120Hz) 过度温度
LP2967ITP-1833/NOPB National Semiconductor LP2967ITP-1833/NOPB 1.3300
RFQ
ECAD 443 0.00000000 国家半导体 - 大部分 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-ufbga 16V 固定的 8-USMD(1.41x1.95) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 250 300 µA 5 ma 使能够 积极的 150mA 1.8V,3.3V - 2 0.425V @ 150mA 52DB〜70DB(120Hz〜1MHz) 超过温度,短路
LP3986TL-2818/NOPB National Semiconductor LP3986TL-2818/NOPB -
RFQ
ECAD 7056 0.00000000 国家半导体 - 大部分 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-WFBGA,DSBGA 6V 固定的 8-DSBGA (2x1.3) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 250 130 µA 200 µA 使能够 积极的 150mA,150mA 2.8V,1.8V - 2 0.1V @ 150mA 60db〜50dB (1KHz〜10KHz) 超过温度,短路
LM2991SX/NOPB National Semiconductor LM2991SX/NOPB -
RFQ
ECAD 8729 0.00000000 国家半导体 - 大部分 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 TO-263-6,D²Pak(5 + tab),TO-263BA -26V 可调节的 DDPAK/TO-263-5 下载 Ear99 8542.39.0001 1 0.7 mA 5 ma 使能够 消极的 1a -3V -24V 1 1V @ 1A 60dB (1KHz) 过度,短路
LM828M5X-NS National Semiconductor LM828M5X-NS -
RFQ
ECAD 7179 0.00000000 国家半导体 - 大部分 积极的 -40°C 〜85°C(TJ) 表面安装 SC-74A,SOT-753 5.5V 固定的 SOT-23-5 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 比率测量值 1 充电泵 12kHz,24kHz 消极的 50mA - 1.8V
LM26400YSDX/NOPB National Semiconductor LM26400ysdx/nopb 2.3800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 国家半导体 - 大部分 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 16-WFDFN暴露垫 LM26400 20V 可调节的 16-wson(5x5) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 4,500 降压 2 巴克 520kHz 积极的 2a 0.6V 16V 3V
LP3871EMP-2.5/NOPB National Semiconductor LP3871EMP-2.5/NOPB 1.5100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 国家半导体 - 大部分 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 TO-261-5,TO-261AB 7V 固定的 SOT-223 下载 Ear99 8542.39.0001 199 5 ma 15 ma 使能够 积极的 800mA 2.5V - 1 0.35V @ 800mA 73DB〜57DB(120Hz) 超过温度,短路
LM2679SD-5.0/NOPB National Semiconductor LM2679SD-5.0/NOPB -
RFQ
ECAD 7658 0.00000000 国家半导体 * 大部分 积极的 - Rohs不合规 供应商不确定 2156-LM2679SD-5.0/NOPB-14 1
LP3987ITL-2.6/NOPB National Semiconductor LP3987ITL-2.6/NOPB 0.2600
RFQ
ECAD 3 0.00000000 国家半导体 - 大部分 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 5-WFBGA,DSBGA lp3987 6V 固定的 5-DSBGA(1.41x1.08) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 250 120 µA 200 µA 使能够 积极的 150mA 2.6V - 1 0.1V @ 150mA 50db〜10dB(10kHz) 超过温度,短路
LM385BXZ-1.2 National Semiconductor LM385BXZ-1.2 0.9600
RFQ
ECAD 397 0.00000000 国家半导体 - 大部分 积极的 ±1% 0°C〜70°C(TA) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) LM385 - - 固定的 30ppm/°C TO-92-3 下载 Ear99 8542.39.0001 1 分流 20 ma 1.235V - 60µvrms 15 µA
LMV431CM5X/NOPB National Semiconductor LMV431CM5X/NOPB -
RFQ
ECAD 5562 0.00000000 国家半导体 - 大部分 积极的 ±1.5% 0°C〜70°C(TA) 表面安装 SC-74A,SOT-753 LMV431 - - 可调节的 - SOT-23-5 下载 Ear99 8542.39.0001 1 分流 15 ma 1.24V - - 80 µA 30 V
LM4040DIZ-5.0/NOPB National Semiconductor LM4040DIZ-5.0/NOPB 0.2200
RFQ
ECAD 79 0.00000000 国家半导体 - 大部分 积极的 ±1% -40°C〜85°C(TA) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) LM4040 - - 固定的 150ppm/°C TO-92-3 下载 Ear99 8542.39.0001 1,340 分流 15 ma 5V - 80µVrm 85 µA
LP38692MPX-5.0/NOPB National Semiconductor LP38692MPX-5.0/nopb 0.8100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 国家半导体 - 大部分 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 TO-261-5,TO-261AB 10V 固定的 SOT-223 下载 Ear99 8542.39.0001 369 55 µA 100 µA - 积极的 1a 5V - 1 0.8V @ 1A 55dB (120Hz) 过度温度
LM2724AM/NOPB National Semiconductor LM2724AM/NOPB 1.1100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 国家半导体 - 管子 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) LM2724 不转变 未行业行业经验证 4.3V〜6.8V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 95 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 3a,3.2a 17ns,12ns 28 V
LM79L05ACMX National Semiconductor LM79L05ACMX -
RFQ
ECAD 4957 0.00000000 国家半导体 - 大部分 积极的 0°C〜70°C 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) LM79L05 -35V 固定的 8-SOIC 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 6 ma - 消极的 100mA -5V - 1 - 50dB(120Hz) 过度,短路
LM5101BMA National Semiconductor LM5101BMA -
RFQ
ECAD 6268 0.00000000 国家半导体 - 大部分 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) LM5101 不转变 未行业行业经验证 9V〜14V 8-SOIC 下载 Ear99 8542.39.0001 1 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 2.3V, - 2a,2a 570NS,430NS 118 v
LM2575HVT-15/LB03 National Semiconductor LM2575HVT-15/LB03 -
RFQ
ECAD 5513 0.00000000 国家半导体 简单切换® 大部分 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 通过洞 TO-220-5 60V 固定的 TO-220-5 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8542.39.0001 1 降压 1 巴克 52kHz 积极的 1a 15V - 4V
LP38858T-0.8/NOPB National Semiconductor LP38858T-0.8/nopb 0.9700
RFQ
ECAD 3 0.00000000 国家半导体 - 大部分 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 通过洞 TO-220-5 5.5V 固定的 TO-220-5 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1 9 ma 15 ma 柔软的开始 积极的 1.5a 0.8V - 1 0.18V @ 1.5A 80dB〜58DB (120Hz〜1KHz) 超过温度,短路
LP3918TLX National Semiconductor lp3918tlx 0.6400
RFQ
ECAD 27 0.00000000 国家半导体 - 大部分 积极的 -40°C〜125°C(TA) 细胞,CDMA手机 表面安装 25-WFBGA,DSBGA lp3918 10µA(10µA) 3v〜5.5V 25-dsbga(2.46x2.46) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000
LP3875ET-1.8 National Semiconductor LP3875ET-1.8 -
RFQ
ECAD 9822 0.00000000 国家半导体 - 大部分 积极的 -40°C〜125°C 通过洞 TO-220-5 7V 固定的 TO-220-5 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8542.39.0001 1 5 ma 15 ma 使能够 积极的 1.5a 1.8V - 1 0.55V @ 1.5A 73DB〜57DB(120Hz) 超过温度,短路
LM3209TLE/NOPB National Semiconductor LM3209TLE/NOPB 1.3700
RFQ
ECAD 4 0.00000000 国家半导体 - 大部分 积极的 -30°C〜85°C(TA) 表面安装 12-WFBGA,DSBGA LM3209 5.5V 可调节的 12-dsbga(2x2.5) - 不适用 3(168)) 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 250 升级/踩踏 1 降压 2.4MHz 积极的 是的 650mA 0.6V 4.2V 2.7V
LP3986TLX-2518/NOPB National Semiconductor LP3986TLX-2518/NOPB 0.3400
RFQ
ECAD 8 0.00000000 国家半导体 - 大部分 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-WFBGA,DSBGA 6V 固定的 8-DSBGA (2x1.3) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 130 µA 200 µA 使能够 积极的 150mA,150mA 2.5V,1.8V - 2 0.1V @ 150mA 60db〜50dB (1KHz〜10KHz) 超过温度,短路
LM2695SD/NOPB-NS National Semiconductor LM2695SD/NOPB-NS -
RFQ
ECAD 1512 0.00000000 国家半导体 * 大部分 积极的 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,000
LMD18201T National Semiconductor LMD18201T -
RFQ
ECAD 8790 0.00000000 国家半导体 - 大部分 积极的 -40°C〜125°C 通用目的 通过洞 TO-220-11 LMD18201 Bi-Cmos,DMOS 12v〜55V TO-220-11 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8542.39.0001 1 驾驶员 -完全集成,控制和权力阶段,控制和权力阶段 平行线 2(2) 3a 12v〜55V 双极 DC -
LM3708XQTP-308/NOPB National Semiconductor LM3708XQTP-308/NOPB -
RFQ
ECAD 2010 0.00000000 国家半导体 - 大部分 过时的 -40°C 〜85°C(TJ) 表面安装 9-Ufbga 简单重置/电源重置 LM3708 推扣,图腾柱 9-DSBGA - 0000.00.0000 1 活跃的低 1 3.08V 最低140毫米
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库