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（364））

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
NDS36PBA-20ET	3.1667	RFQ	9471	Insignis Technology Corporation	*	托盘	积极的								-	rohs3符合条件	3（168））		1982-NDS36PBA-20ET			348
NDL86PFE-9MIT	-	RFQ	5306	Insignis Technology Corporation	-	托盘	过时的	-40°C〜95°C（TC）	-	-		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	-	-				1982-NDL86PFE-9MIT	过时的		2,000	933 MHz	易挥发的	8Gbit		德拉姆	512m x 16	平行线	-
NDS73PBE-16ET	3.6404	RFQ	4806	Insignis Technology Corporation	*	托盘	积极的								-	rohs3符合条件	3（168））		1982-NDS73PBE-16ET			190
NDS38PT5-20ET TR	2.4786	RFQ	9428	Insignis Technology Corporation	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-	rohs3符合条件	3（168））		1982-NDS38PT5-20ETTR			1,000
NDS76PT5-20ET TR	2.0259	RFQ	2716	Insignis Technology Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（ta）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）		Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	-				1982-NDS76PT5-20ETTR			1,000	200 MHz	易挥发的	128mbit		德拉姆	4m x 32	lvttl	-
NLQ46PFS-6NIT TR	15.2500	RFQ	2	Insignis Technology Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	200-WFBGA		sdram- lpddr4	1.06v〜1.17v，1.7V〜1.95V	200-fbga（10x14.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.32.0036	2,000	1.6 GHz	易挥发的	4Gbit	3.5 ns	德拉姆	256m x 16	lvstl	18NS
NDS76PBA-16AT TR	2.6055	RFQ	8897	Insignis Technology Corporation	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-	rohs3符合条件	3（168））		1982-NDS76PBA-16ATTR			2,500
NDS66PBA-16IT	2.7602	RFQ	4429	Insignis Technology Corporation	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-TFBGA		Sdram	3v〜3.6V	54-fbga（8x8）	-				1982-NDS66PBA-16IT			2,500	166 MHz	易挥发的	64mbit	5.4 ns	德拉姆	4m x 16	lvttl	-
NLQ26PFS-8NAT	8.8663	RFQ	7230	Insignis Technology Corporation	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	200-WFBGA		sdram- lpddr4	1.06v〜1.17v，1.7V〜1.95V	200-fbga（10x14.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		1982-NLQ26PFS-8NAT			136	1.2 GHz	易挥发的	2Gbit	3.5 ns	德拉姆	128m x 16	lvstl	18NS
NDS36PT5-16AT TR	3.2532	RFQ	5673	Insignis Technology Corporation	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-	rohs3符合条件	3（168））		1982-NDS36PT5-16ATTR			1,000
NDS36PT5-20IT	2.7899	RFQ	5546	Insignis Technology Corporation	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）		Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	-				1982-NDS36PT5-20IT			1,000	200 MHz	易挥发的	256Mbit	4.5 ns	德拉姆	16m x 16	lvttl	10NS
NDL86PFG-9MET	18.6200	RFQ	1270	Insignis Technology Corporation	NDL86P	托盘	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））		1982-NDL86PFG-9MET			180	933 MHz	易挥发的	8Gbit		德拉姆	512m x 16	平行线	-
NDB56PFC-4DIT TR	2.4448	RFQ	5373	Insignis Technology Corporation	NDB5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	84-TFBGA		SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-FBGA（8x12.5）	-				1982-NDB56PFC-4Dittr			2,500	400 MHz	易挥发的	512Mbit	400 ps	德拉姆	32m x 16	SSTL_18	15ns
NDD36PT6-2AET TR	2.3914	RFQ	1830年	Insignis Technology Corporation	NDD	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（ta）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）		sdram -ddr	2.3v〜2.7V	66-TSOP II	-				1982-ND36PT6-2AETTR			1,000	200 MHz	易挥发的	256Mbit		德拉姆	16m x 16	sstl_2	-
NDS66PBA-16AT	3.0931	RFQ	2250	Insignis Technology Corporation	*	托盘	积极的								-	rohs3符合条件	3（168））		1982-NDS66PBA-16AT			348
NDL28PFR-9MIT	6.7500	RFQ	8385	Insignis Technology Corporation	-	托盘	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-VFBGA	NDL28	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA（7.5x10.5）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	1982-NDL28PFR-9MIT	Ear99	8542.32.0036	210	933 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 8	平行线	15ns
NSEC00K064-AT	95.7600	RFQ	6538	Insignis Technology Corporation	NSEC	托盘	积极的	-40°C〜105°C	表面安装	100-LBGA		Flash -nand （MLC）	3.3V	100-BGA （14x18）	下载	rohs3符合条件	3（168））		1982-NSEC00K064-AT			98	200 MHz	非易失性	512Gbit		闪光	64g x 8	EMMC_5	-
NDD56PT6-2AIT	2.7110	RFQ	9205	Insignis Technology Corporation	NDD56P	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）		sdram -ddr	2.3v〜2.7V	66-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））		1982-ND56PT6-2AIT			108	200 MHz	易挥发的	512Mbit	700 ps	德拉姆	32m x 16	sstl_2	15ns
NDS76PT5-16AT TR	2.6335	RFQ	4158	Insignis Technology Corporation	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-	rohs3符合条件	3（168））		1982-NDS76PT5-16ATTR			1,000
NDS36PBA-16AT TR	3.8489	RFQ	3449	Insignis Technology Corporation	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-	rohs3符合条件	3（168））		1982-NDS36PBA-16ATTR			2,500
NDL48PFQ-8KET TR	8.1000	RFQ	7960	Insignis Technology Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA（7.5x10.6）	-				1982-NDL48PFQ-8KETTR			2,500	800 MHz	易挥发的	4Gbit		德拉姆	512m x 8	平行线	-
NLQ83PFS-8NIT	21.6750	RFQ	3894	Insignis Technology Corporation	-	托盘	积极的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	200-WFBGA		sdram- lpddr4	1.06v〜1.17v，1.7V〜1.95V	200-fbga（10x14.5）	-				1982-NLQ83PFS-8NIT			2,000	1.2 GHz	易挥发的	8Gbit		德拉姆	256m x 32	lvstl	-
NDL28PFR-8KIT	-	RFQ	6555	Insignis Technology Corporation	-	托盘	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-VFBGA	NDL28	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA（7.5x10.5）	-			到达不受影响	1982-NDL28PFR-8KIT	Ear99	8542.32.0036	210	800 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 8	平行线	15ns
NDS36PT5-16IT	2.7110	RFQ	4083	Insignis Technology Corporation	NDS36P	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）		Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））		1982-NDS36PT5-16IT			108	166 MHz	易挥发的	256Mbit	5 ns	德拉姆	16m x 16	lvttl	12ns
NLQ43PFS-8NIT TR	15.7000	RFQ	1354	Insignis Technology Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	200-WFBGA		sdram- lpddr4	1.06v〜1.17v，1.7V〜1.95V	200-fbga（10x14.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））					2,000	1.2 GHz	易挥发的	4Gbit	3.5 ns	德拉姆	128m x 32	lvstl	18NS
NSEC00K016-AT	25.5360	RFQ	4250	Insignis Technology Corporation	NSEC	托盘	积极的	-40°C〜85°C	表面安装	100-LBGA		Flash -nand （MLC）	3.3V	100-BGA （14x18）	下载	rohs3符合条件	3（168））		1982-NSEC00K016-AT			98	200 MHz	非易失性	128Gbit		闪光	16克x 8	EMMC_5	-
NDQ48PFQ-8NIT	7.9800	RFQ	5104	Insignis Technology Corporation	NDQ48P	托盘	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	78-FBGA（7.5x10.6）	-	rohs3符合条件	3（168））		1982-NDQ48PFQ-8NIT			242	1.2 GHz	易挥发的	4Gbit	18 ns	德拉姆	512m x 8	荚	15ns
NDD56PT6-2AET	2.5508	RFQ	1576年	Insignis Technology Corporation	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（ta）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）		sdram -ddr	2.3v〜2.7V	66-TSOP II	-				1982-ND56PT6-2AET			1,000	200 MHz	易挥发的	512Mbit		德拉姆	32m x 16	sstl_2	-
NDB26PFC-5EIT TR	10.9700	RFQ	4020	Insignis Technology Corporation	NDB2	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	84-TFBGA		SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-FBGA（8x12.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））					2,500	533 MHz	易挥发的	2Gbit	400 ps	德拉姆	128m x 16	SSTL_18	15ns
NDQ48PFQ-8XET	8.2500	RFQ	3202	Insignis Technology Corporation	-	托盘	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	78-FBGA（7.5x10.6）	-				1982-NDQ48PFQ-8XET			2,500	1.2 GHz	易挥发的	4Gbit	18 ns	德拉姆	512m x 8	荚	15ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（364））

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²