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内存（（10402）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
MT62F768M64D4ZU-031 RF WT：B TR	27.9300	RFQ	5757	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				MT62F768				-				557-MT62F768M64D4ZU-031RFWT：BTR			2,500
MT53E384M32D2DS-046 AIT：e	-	RFQ	6483	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	托盘	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	200-WFBGA	MT53E384	sdram- lpddr4	1.1V	200-WFBGA（10x14.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	MT53E384M32D2DS-046AIT：e	Ear99	8542.32.0036	1,360	2.133 GHz	易挥发的	12Gbit		德拉姆	384m x 32	-	-
MT29VZZZAD8HQKPR-053 W ES.G8C	-	RFQ	2779	微米技术公司	-	盒子	过时的				MT29VZZZAD8				-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1,520
MT53E1G32D2FW-046 AIT：c	-	RFQ	5951	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	200-tfbga		sdram- lpddr4x	1.06V〜1.17V	200-tfbga（10x14.5）	-				557-MT53E1G32D2FW-046AIT：c			1	2.133 GHz	易挥发的	32Gbit	3.5 ns	德拉姆	1G x 32	平行线	18NS
MT29F4G01ABBFD12-IT：f tr	-	RFQ	9437	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA	MT29F4G01	Flash -nand（slc）	1.7V〜1.95V	24-T-PBGA（6x8）	-	rohs3符合条件	3（168））		MT29F4G01ABBFD12-IT：ftr	过时的	8542.32.0071	2,000	83 MHz	非易失性	4Gbit		闪光	4G x 1	spi	-
MT53E768M32D2FW-046 AIT：c tr	20.7300	RFQ	3312	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MT53E768M32D2FW-046AIT：CTR			2,000
MT46V64M8T67A3WC1	-	RFQ	6764	微米技术公司	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）			MT46V64M8	sdram -ddr	2.3v〜2.7V		-			到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1		易挥发的	512Mbit		德拉姆	64m x 8	平行线	15ns
MT53E4G32D8CY-046 wt：c	90.4650	RFQ	9649	微米技术公司	-	盒子	积极的	-25°C〜85°C	-	-		sdram- lpddr4	-	-	-				557-MT53E4G32D8CY-046WT：c			1	2.133 GHz	易挥发的	128Gbit		德拉姆	4G x 32	平行线	-
MT62F1536M32D4DS-026 wt：b	34.2750	RFQ	7167	微米技术公司	-	盒子	积极的	-	表面安装	200-WFBGA		sdram- lpddr5	-	200-WFBGA（10x14.5）	-				557-MT62F1536M32D4DS-026WT：b			1	3.2 GHz	易挥发的	48Gbit		德拉姆	768m x 64	-	-
MT62F3G32D8DV-023 FAAT：b	94.8300	RFQ	6924	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	盒子	积极的	-40°C〜105°C	-	-		sdram- lpddr5	-	-	-				557-MT62F3G32D8DV-023FAAT：b			1	4.266 GHz	易挥发的	96Gbit		德拉姆	3G x 32	平行线	-
MT62F1G32D2DS-023 FAAT：c tr	31.9350	RFQ	5872	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C	表面安装	200-WFBGA		sdram- lpddr5	1.05V	200-WFBGA（10x14.5）	-				557-MT62F1G32D2DS-023FAAT：CTR			2,000	3.2 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	1G x 32	平行线	-
MT48LC16M16A2B4-7E IT：G Tr	6.0918	RFQ	2717	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-VFBGA	MT48LC16M16A2	Sdram	3v〜3.6V	54-VFBGA（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	133 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	14ns
MT58L512L18FT-8.5	11.1000	RFQ	5	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP		sram-标准	3.135v〜3.6V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	易挥发的	8mbit	8.5 ns	SRAM	512k x 18	平行线	-
MT29F8T08GULBEM4：b	-	RFQ	4793	微米技术公司	-	大部分	过时的		-	-	MT29F8T08			-	-				557-MT29F8T08GULBEM4：b	过时的		1,120
MT58L64L18FT-8.5Tr	9.1100	RFQ	2	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP		sram-标准	3.135v〜3.6V	100-TQFP （14x20.1）	下载	不适用	3（168））	供应商不确定		3A991B2B	8542.32.0041	500	100 MHz	易挥发的	1Mbit	8.5 ns	SRAM	64k x 18	平行线	-
MT53B256M32D1GZ-062 WT：b	-	RFQ	1302	微米技术公司	-	托盘	过时的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	200-WFBGA	MT53B256	sdram- lpddr4	1.1V	200-WFBGA（11x14.5）	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	1	1.6 GHz	易挥发的	8Gbit		德拉姆	256m x 32	-	-
MT53E1G16D1FW-046 wt：a	11.9850	RFQ	4309	微米技术公司	-	盒子	积极的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	200-tfbga		sdram- lpddr4x	1.06V〜1.17V	200-tfbga（10x14.5）	-				557-MT53E1G16D1FW-046WT：a			1	2.133 GHz	易挥发的	16Gbit	3.5 ns	德拉姆	1G x 16	平行线	18NS
MT62F1G32D4DS-031 AAT：b tr	32.5650	RFQ	3030	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C	表面安装	200-WFBGA		sdram- lpddr5	1.05V	200-WFBGA（10x14.5）	-				557-MT62F1G32D4DS-031AAT：BTR			2,000	3.2 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	1G x 32	平行线	-
MT53E768M64D4HJ-046 WT：c	48.1050	RFQ	8999	微米技术公司	-	盒子	积极的								-				557-MT53E768M64D4HJ-046WT：c			1
MT53B384M64D4NK-062 XT：b tr	-	RFQ	8517	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-30°C〜105°C（TC）	表面安装	366-WFBGA	MT53B384	sdram- lpddr4	1.1V	366-WFBGA（15x15）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	1.6 GHz	易挥发的	24Gbit		德拉姆	384m x 64	-	-
MT58L512L18PS-7.5Tr	10.2600	RFQ	1	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP		sram-标准	3.135v〜3.6V	100-TQFP （14x20.1）	下载	不适用	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	500	133 MHz	易挥发的	8mbit	4 ns	SRAM	512k x 18	平行线	-
MT53E512M32D1NP-046 WT：b	11.7600	RFQ	3507	微米技术公司	-	托盘	积极的		表面安装	200-WFBGA	MT53E512			200-WFBGA（10x14.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-MT53E512M32D1NP-046WT：b			1,360
MT58L256L36FS-10TR	13.7700	RFQ	1	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP		sram-标准	3.135v〜3.6V	100-TQFP （14x20.1）	下载	不适用	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	500	66 MHz	易挥发的	8mbit	10 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
MT29F4G01ABBFDWB-IT：f	4.2200	RFQ	8957	微米技术公司	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-udfn	MT29F4G01	Flash -nand（slc）	1.7V〜1.95V	8-updfn（8x6）（MLP8）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,920	83 MHz	非易失性	4Gbit		闪光	4G x 1	spi	-
MT57W512H36JF-7.5	26.4100	RFQ	153	微米技术公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA		Sram-同步，DDR II	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	18mbit	500 ps	SRAM	512k x 36	HSTL	-
MT54V512H18EF-10	19.2500	RFQ	147	微米技术公司	QDR™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA	MT54V512	sram-四边形端口，同步	2.4v〜2.6V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	易挥发的	9Mbit		SRAM	512k x 18	平行线	-
MT58L128V36P1F-5	7.7500	RFQ	103	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA		sram-标准	3.135v〜3.6V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1	200 MHz	易挥发的	4Mbit	2.8 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
MT40A1G8SA-062E：r tr	6.0000	RFQ	6270	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT40A1G8	SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	78-fbga（7.5x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-MT40A1G8SA-062E：RTR	3A991B1A	8542.32.0071	2,000	1.6 GHz	易挥发的	8Gbit	19 ns	德拉姆	1G x 8	平行线	15ns
MT29F4G01ABBFDWB-ITS：f tr	-	RFQ	1091	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-udfn	MT29F4G01	Flash -nand（slc）	1.7V〜1.95V	8-updfn（8x6）（MLP8）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,000	83 MHz	非易失性	4Gbit		闪光	4G x 1	spi	-
MT25QU512ABB8E56-0SIT TR	7.0650	RFQ	8759	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	-	-	MT25QU512	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	-	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	5,000	133 MHz	非易失性	512Mbit		闪光	64m x 8	spi	8ms，2.8ms

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（10402）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²