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参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词，页面，页面
GD25VQ16CSIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VQ16CSIG -
RFQ
 ECAD 3531 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 管子 过时的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） GD25VQ16 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 9,500 104 MHz 非易失性 16mbit 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，3ms
GD25LT256EYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LT256RIGR 3.2239
RFQ
 ECAD 4000 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LT 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-wson（6x8） - 1970-GD25LT256EYIGRTR 3,000 200 MHz 非易失性 256Mbit 6 ns 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr 70µs，1.2ms
GD25LQ16ET2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ16ET2GR 0.7499
RFQ
 ECAD 3196 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 闪存-SLC） 1.65v〜2.1V 8-sop - 1970-GD25LQ16ET2GRTR 3,000 133 MHz 非易失性 16mbit 6 ns 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD5F2GQ4UFYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd5f2gq4ufyigy -
RFQ
 ECAD 5750 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 托盘 过时的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 GD5F2GQ4 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 8-wson（6x8） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 4,800 120 MHz 非易失性 2Gbit 闪光 256m x 8 Spi -Quad I/O。 700µs
GD25LE16CLIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE16CLIGR -
RFQ
 ECAD 2519 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 21-XFBGA，WLSCP GD25LE16 闪光灯 -也不 1.65v〜2.1V 21-wlcsp 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 非易失性 16mbit 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD25T512MEB2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25T512MEB2RY 8.1396
RFQ
 ECAD 6294 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25T 托盘 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 24-tfbga（6x8） - 1970-GD25T512MEB2RY 4,800 200 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O，Dtr -
GD25LQ255EYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ255YEGY 2.1699
RFQ
 ECAD 6520 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-wson（6x8） 下载 1970-gd25lq255555555 4,800 133 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O，QPI -
GD25Q16ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16ETIGR 0.7500
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） GD25Q16 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 133 MHz 非易失性 16mbit 7 ns 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 70µs，2ms
GD9FU2G8F3AMGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD9FU2G8F3AMGI 4.5630
RFQ
 ECAD 6291 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD9F 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 48-tfsop （0.724英寸，18.40mm） Flash -nand（slc） 2.7V〜3.6V 48-tsop i 下载 1970-GD9FU2G8F3AMGI 960 非易失性 2Gbit 18 ns 闪光 256m x 8 平行线 20NS
GD25LQ32ESAGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ32ESAGR 1.0635
RFQ
 ECAD 1076 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-sop - 1970-GD25LQ32ESAGRTR 2,000 133 MHz 非易失性 32Mbit 6 ns 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 100µs，4ms
GD5F1GQ5REYJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GQ5REYJGR 3.0154
RFQ
 ECAD 8057 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD5F 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand（slc） 1.7V〜2V 8-wson（6x8） 下载 1970-GD5F1GQ5REYJGRTR 3,000 104 MHz 非易失性 1Gbit 9.5 ns 闪光 256m x 4 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr 600µs
GD25Q80ENIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q80ENERGR 0.4242
RFQ
 ECAD 5279 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-udfn裸露的垫子 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-uson（3x4） 下载 1970-GD25Q80ENIGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 8mbit 7 ns 闪光 1m x 8 Spi -Quad I/O。 70µs，2ms
GD25D10CTEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25d10ctegr 0.2929
RFQ
 ECAD 6968 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25D 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 1970-GD25D10CTEGRTR 3,000 100 MHz 非易失性 1Mbit 6 ns 闪光 128K x 8 spi-双i/o 80µs，4ms
GD5F1GQ5REWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GQ5REGR 2.4851
RFQ
 ECAD 5290 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD5F 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand（slc） 1.7V〜2V 8-wson（5x6） 下载 1970-GD5F1GQ5REGRTR 3,000 104 MHz 非易失性 1Gbit 9.5 ns 闪光 256m x 4 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr 600µs
GD25B512MEBJRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B512Mebjry 5.2136
RFQ
 ECAD 4467 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25B 托盘 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 24-tfbga（6x8） 下载 1970-GD25B512Mebjry 4,800 133 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr -
GD25Q80ETEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q80ETEGR 0.4525
RFQ
 ECAD 2591 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 1970-GD25Q80ETEGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 8mbit 7 ns 闪光 1m x 8 Spi -Quad I/O。 140µs，4ms
GD25Q256EWIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q256WIGY 2.2897
RFQ
 ECAD 7620 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-wson（5x6） 下载 1970-GD25Q256WIGY 5,700 133 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD55B01GEYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55B01GEYIGY 8.8738
RFQ
 ECAD 4263 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD55B 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-wson（6x8） - 1970-GD55B01GEYIGY 4,800 133 MHz 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr -
GD25LQ80CN2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ80CN2GR 0.6818
RFQ
 ECAD 5726 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-udfn裸露的垫子 闪存-SLC） 1.65v〜2.1V 8-uson（3x4） - 1970-GD25LQ80CN2GRTR 3,000 90 MHz 非易失性 8mbit 6 ns 闪光 1m x 8 Spi -Quad I/O。 80µs，3ms
GD25LQ16ENIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ16enigr 0.5939
RFQ
 ECAD 6464 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-udfn裸露的垫子 闪存-SLC） 1.65v〜2.1V 8-uson（3x4） 下载 1970-GD25LQ16enigrtr 3,000 133 MHz 非易失性 16mbit 6 ns 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD25LT256EY2GY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LT256EY2GY 4.7723
RFQ
 ECAD 2063 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LT 托盘 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-wson（6x8） - 1970-GD25LT256EY2GY 4,800 200 MHz 非易失性 256Mbit 6 ns 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr 140µs，2ms
GD9FU4G8F3AMGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD9FU4G8F3AMGI 7.0543
RFQ
 ECAD 4103 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD9F 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 48-tfsop （0.724英寸，18.40mm） Flash -nand（slc） 2.7V〜3.6V 48-tsop i 下载 1970-GD9FU4G8F3AMGI 960 非易失性 4Gbit 18 ns 闪光 512m x 8 onfi 20NS
GD25Q20EEAGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q20EEAGR 0.5656
RFQ
 ECAD 4992 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-uson（3x2） - 1970-GD25Q20EEAGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 2Mbit 7 ns 闪光 256K x 8 Spi -Quad I/O。 140µs，4ms
GD25LB512MEYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB512MEYIGY 4.5752
RFQ
 ECAD 9443 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LB 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-wson（6x8） 下载 1970-GD25LB512MEYIGY 4,800 133 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr -
GD25LQ32EQEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ32EQEGR 0.9828
RFQ
 ECAD 3861 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-xdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-uson （4x4） 下载 1970-GD25LQ32Eqegrtr 3,000 133 MHz 非易失性 32Mbit 6 ns 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 100µs，4ms
GD25WD20EKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25wd20ekigr 0.3167
RFQ
 ECAD 1678年 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25WD 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜3.6V 8-uson（1.5x1.5） 下载 1970-GD25WD20EKIGRTR 3,000 104 MHz 非易失性 2Mbit 6 ns 闪光 256K x 8 spi-双i/o 100µs，6ms
GD25WQ64ENEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ64ENEGR 1.2544
RFQ
 ECAD 1709年 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25WQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-udfn裸露的垫子 闪存-SLC） 1.65V〜3.6V 8-uson（3x4） 下载 1970-GD25WQ64ENEGRTR 3,000 84 MHz 非易失性 64mbit 12 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 240µs，8ms
GD5F2GQ5UEYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GQ5UEYIGY 3.9235
RFQ
 ECAD 6089 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD5F 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand（slc） 2.7V〜3.6V 8-wson（6x8） 下载 1970-GD5F2GQ5UEYIGY 4,800 104 MHz 非易失性 2Gbit 9 ns 闪光 256m x 8 Spi -Quad I/O。 600µs
GD25B512MEYJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25b512meyjgr 5.0813
RFQ
 ECAD 7468 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25B 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-wson（6x8） 下载 1970-GD25B512MEYJGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr -
GD25LD80CKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD80CKIGR 0.3676
RFQ
 ECAD 1652 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LD 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-uson（1.5x1.5） 下载 1970-GD25LD80CKIGRTR 3,000 50 MHz 非易失性 8mbit 12 ns 闪光 1m x 8 spi-双i/o 97µs，6ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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