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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 |
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![]() | DS1270AB-70# | 157.3300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 达拉斯半导体 | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 供应商不确定 | 到达不受影响 | 2156-DS1270AB-70#-406 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | DS28DG02G-3C+ | - | ![]() | 2004 | 0.00000000 | 达拉斯半导体 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 36-WFQFN暴露垫 | DS28DG02 | EEPROM | 2.2v〜5.25V | 36-TQFN (6x6) | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 2 MHz | 非易失性 | 2kbit | EEPROM | 256 x 8 | spi | - | ||||
![]() | DS1270AB-70#-D | - | ![]() | 1554年 | 0.00000000 | 达拉斯半导体 | * | 大部分 | 积极的 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达受影响 | 1 |
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