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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
IS62WV10248HBLL-45B2LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV10248HBLL-45B2LI 4.1520
RFQ
ECAD 1967年 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-TFBGA sram-异步 2.2v〜3.6V 48-TFBGA(6x8) - rohs3符合条件 3(168)) 706-IS62WV10248HBLL-45B2LI 480 易挥发的 8mbit 45 ns SRAM 1m x 8 平行线 45ns
IS43R86400D-6TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400D-6TLI-TR 7.5000
RFQ
ECAD 8559 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) IS43R86400 sdram -ddr 2.3v〜2.7V 66-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 1,500 166 MHz 易挥发的 512Mbit 700 ps 德拉姆 64m x 8 平行线 15ns
IS46TR16128A-15HBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128A-15HBLA2 -
RFQ
ECAD 4514 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 96-TFBGA IS46TR16128 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA(9x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 190 667 MHz 易挥发的 2Gbit 20 ns 德拉姆 128m x 16 平行线 15ns
IS62WV6416FBLL-45TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV6416FBLL-45TLI 1.5722
RFQ
ECAD 2647 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) sram-异步 2.2v〜3.6V 44-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS62WV6416FBLL-45TLI 135 易挥发的 1Mbit 45 ns SRAM 64k x 16 平行线 45ns
IS43TR16640B-125JBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640B-125JBLI-TR -
RFQ
ECAD 7248 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA IS43TR16640 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA(9x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 1,500 800 MHz 易挥发的 1Gbit 20 ns 德拉姆 64m x 16 平行线 15ns
IS46TR16128AL-15HBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128AL-15HBLA2 -
RFQ
ECAD 7844 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 96-TFBGA IS46TR16128 SDRAM -DDR3 1.283V〜1.45V 96-TWBGA(9x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 190 667 MHz 易挥发的 2Gbit 20 ns 德拉姆 128m x 16 平行线 15ns
IS42S16160G-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160G-6TLI 7.5262
RFQ
ECAD 3507 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 不适合新设计 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) IS42S16160 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 108 166 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 16m x 16 平行线 -
IS42S16160D-7B-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160D-7B-Tr -
RFQ
ECAD 4415 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 54-TFBGA IS42S16160 Sdram 3v〜3.6V 54-TW-BGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 2,500 143 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 16m x 16 平行线 -
IS42S32400D-7BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400D-7BI-Tr -
RFQ
ECAD 6197 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 90-TFBGA IS42S32400 Sdram 3v〜3.6V 90-TFBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 2,500 143 MHz 易挥发的 128mbit 5.4 ns 德拉姆 4m x 32 平行线 -
IS42S32800J-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800J-6TLI 6.4315
RFQ
ECAD 2731 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 管子 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 86-tfsop(0.400英寸,10.16毫米宽) IS42S32800 Sdram 3v〜3.6V 86-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 108 166 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 8m x 32 平行线 -
IS61WV10248EEBLL-10B2LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV10248EEBLL-10B2LI 6.9125
RFQ
ECAD 5145 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-TFBGA sram-异步 2.4v〜3.6V 48-TFBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS61WV10248EEBLL-10B2LI 480 易挥发的 8mbit 10 ns SRAM 1m x 8 平行线 10NS
IS25WP256E-JLLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP256E-JLLE 4.0444
RFQ
ECAD 5161 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 大部分 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC) 1.7V〜1.95V 8-wson(8x6) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS25WP256E-JLLE 480 166 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr 50µs,1ms
IS62WV12816BLL-55TI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV12816BLL-55TI-TR -
RFQ
ECAD 7901 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) IS62WV12816 sram-异步 2.5V〜3.6V 44-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 易挥发的 2Mbit 55 ns SRAM 128K x 16 平行线 55ns
IS43TR81024BL-107MBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81024BL-107MBL 21.5163
RFQ
ECAD 7325 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 大部分 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-TWBGA(10x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS43TR81024BL-107MBL 136 933 MHz 易挥发的 8Gbit 20 ns 德拉姆 1G x 8 平行线 15ns
IS42S86400B-7TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S86400B-7TLI -
RFQ
ECAD 5783 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) IS42S86400 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 108 143 MHz 易挥发的 512Mbit 5.4 ns 德拉姆 64m x 8 平行线 -
IS46DR16160B-25DBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16160B-25DBLA1-Tr 5.2523
RFQ
ECAD 1626年 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 84-TFBGA IS46DR16160 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TWBGA(8x12.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 2,500 400 MHz 易挥发的 256Mbit 400 ps 德拉姆 16m x 16 平行线 15ns
IS25LP256E-RHLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP256E-RHLE-Tr 3.6170
RFQ
ECAD 9881 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC) 2.3v〜3.6V 24-tfbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS25LP256E-RHLE-TR 2,500 166 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr 50µs,1ms
IS46QR81024A-083TBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46QR81024A-083TBLA1 19.5816
RFQ
ECAD 3735 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 大部分 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v 78-TWBGA(10x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS46QR81024A-083TBLA1 136 1.2 GHz 易挥发的 8Gbit 18 ns 德拉姆 1G x 8 平行线 15ns
IS64WV12816EDBLL-10BLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV12816EDBLL-10BLA3-TR 5.2500
RFQ
ECAD 2703 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 48-TFBGA IS64WV12816 sram-异步 2.4v〜3.6V 48-TFBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 易挥发的 2Mbit 10 ns SRAM 128K x 16 平行线 10NS
IS61VF102418A-7.5B3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VF102418A-7.5B3 -
RFQ
ECAD 9633 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-TBGA IS61VF102418 sram-同步,sdr 2.375V〜2.625V 165-TFBGA(13x15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 144 117 MHz 易挥发的 18mbit 7.5 ns SRAM 1m x 18 平行线 -
IS61VVF409618B-7.5TQL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VVF409618B-7.5TQL-Tr 125.3000
RFQ
ECAD 3230 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP IS61VVF409618 sram-同步,sdr 1.71V〜1.89V 100-LQFP(14x20) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 800 117 MHz 易挥发的 72Mbit 7.5 ns SRAM 4m x 18 平行线 -
IS46LQ32640AL-062BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ32640AL-062BLA1 -
RFQ
ECAD 1406 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 大部分 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 200-WFBGA sdram- lpddr4x 1.06v〜1.17v,1.7V〜1.95V 200-VFBGA(10x14.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS46LQ32640AL-062BLA1 136 1.6 GHz 易挥发的 2Gbit 3.5 ns 德拉姆 64m x 32 lvstl 18NS
IS64WV102416BLL-10MLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV102416BLL-10MLA3 26.2419
RFQ
ECAD 2657 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 48-TFBGA IS64WV102416 sram-异步 2.4v〜3.6V 48-Minibga(9x11) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 210 易挥发的 16mbit 10 ns SRAM 1m x 16 平行线 10NS
IS61C632A-6TQI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61C632A-6TQI -
RFQ
ECAD 4537 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LQFP IS61C632 sram-异步 3.135v〜3.6V 100-LQFP(14x20) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2B 8542.32.0041 72 83 MHz 易挥发的 1Mbit 6 ns SRAM 32K x 32 平行线 -
IS64LF25636A-7.5B3LA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64LF25636A-7.5B3LA3 23.2447
RFQ
ECAD 8562 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 165-TBGA IS64LF25636 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 165-TFBGA(13x15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 144 117 MHz 易挥发的 9Mbit 7.5 ns SRAM 256K x 36 平行线 -
IS42S16160G-7TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160G-7TLI-Tr 6.6224
RFQ
ECAD 8018 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) IS42S16160 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,500 143 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 16m x 16 平行线 -
IS61QDPB42M36A1-550B4LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDPB42M36A1-550B4LI -
RFQ
ECAD 1887年 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 165-LBGA IS61QDPB42 sram-四边形端口,同步 1.71V〜1.89V 165-LFBGA(13x15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 105 550 MHz 易挥发的 72Mbit SRAM 2m x 36 平行线 -
IS25LQ040B-JNLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ040B-JNLE -
RFQ
ECAD 2320 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IS25LQ040 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-1316 Ear99 8542.32.0071 100 104 MHz 非易失性 4Mbit 闪光 512k x 8 Spi -Quad I/O。 800µs
IS62WV10248HBLL-45TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV10248HBLL-45TLI 5.3900
RFQ
ECAD 6841 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) sram-异步 2.2v〜3.6V 44-TSOP II - rohs3符合条件 3(168)) 706-IS62WV10248HBLL-45TLI 135 易挥发的 8mbit 45 ns SRAM 1m x 8 平行线 45ns
IS25LQ080B-JNLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ080B-JNLE -
RFQ
ECAD 9553 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 大部分 在sic中停产 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IS25LQ080 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-1331 Ear99 8542.32.0071 100 104 MHz 非易失性 8mbit 闪光 1m x 8 Spi -Quad I/O。 1ms
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