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![]() | IS62WV6416FBLL-45TLI | 1.5722 | ![]() | 2647 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | sram-异步 | 2.2v〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS62WV6416FBLL-45TLI | 135 | 易挥发的 | 1Mbit | 45 ns | SRAM | 64k x 16 | 平行线 | 45ns | ||||||
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![]() | IS46TR16128AL-15HBLA2 | - | ![]() | 7844 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜105°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | IS46TR16128 | SDRAM -DDR3 | 1.283V〜1.45V | 96-TWBGA(9x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 190 | 667 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 128m x 16 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | IS42S16160G-6TLI | 7.5262 | ![]() | 3507 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 不适合新设计 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) | IS42S16160 | Sdram | 3v〜3.6V | 54-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 108 | 166 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 16m x 16 | 平行线 | - | ||
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![]() | IS42S32800J-6TLI | 6.4315 | ![]() | 2731 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 86-tfsop(0.400英寸,10.16毫米宽) | IS42S32800 | Sdram | 3v〜3.6V | 86-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 108 | 166 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 8m x 32 | 平行线 | - | ||
![]() | IS61WV10248EEBLL-10B2LI | 6.9125 | ![]() | 5145 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-TFBGA | sram-异步 | 2.4v〜3.6V | 48-TFBGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS61WV10248EEBLL-10B2LI | 480 | 易挥发的 | 8mbit | 10 ns | SRAM | 1m x 8 | 平行线 | 10NS | ||||||
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![]() | IS42S86400B-7TLI | - | ![]() | 5783 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) | IS42S86400 | Sdram | 3v〜3.6V | 54-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0028 | 108 | 143 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 64m x 8 | 平行线 | - | ||
IS46DR16160B-25DBLA1-Tr | 5.2523 | ![]() | 1626年 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 84-TFBGA | IS46DR16160 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-TWBGA(8x12.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 2,500 | 400 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 400 ps | 德拉姆 | 16m x 16 | 平行线 | 15ns | |||
![]() | IS25LP256E-RHLE-Tr | 3.6170 | ![]() | 9881 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | 闪存-SLC) | 2.3v〜3.6V | 24-tfbga(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS25LP256E-RHLE-TR | 2,500 | 166 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 闪光 | 32m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | 50µs,1ms | ||||||
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![]() | IS64WV12816EDBLL-10BLA3-TR | 5.2500 | ![]() | 2703 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 48-TFBGA | IS64WV12816 | sram-异步 | 2.4v〜3.6V | 48-TFBGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,500 | 易挥发的 | 2Mbit | 10 ns | SRAM | 128K x 16 | 平行线 | 10NS | |||
![]() | IS61VF102418A-7.5B3 | - | ![]() | 9633 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-TBGA | IS61VF102418 | sram-同步,sdr | 2.375V〜2.625V | 165-TFBGA(13x15) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 117 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 7.5 ns | SRAM | 1m x 18 | 平行线 | - | ||
![]() | IS61VVF409618B-7.5TQL-Tr | 125.3000 | ![]() | 3230 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | IS61VVF409618 | sram-同步,sdr | 1.71V〜1.89V | 100-LQFP(14x20) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 117 MHz | 易挥发的 | 72Mbit | 7.5 ns | SRAM | 4m x 18 | 平行线 | - | ||
![]() | IS46LQ32640AL-062BLA1 | - | ![]() | 1406 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 大部分 | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 200-WFBGA | sdram- lpddr4x | 1.06v〜1.17v,1.7V〜1.95V | 200-VFBGA(10x14.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS46LQ32640AL-062BLA1 | 136 | 1.6 GHz | 易挥发的 | 2Gbit | 3.5 ns | 德拉姆 | 64m x 32 | lvstl | 18NS | |||||
![]() | IS64WV102416BLL-10MLA3 | 26.2419 | ![]() | 2657 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 48-TFBGA | IS64WV102416 | sram-异步 | 2.4v〜3.6V | 48-Minibga(9x11) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 210 | 易挥发的 | 16mbit | 10 ns | SRAM | 1m x 16 | 平行线 | 10NS | |||
![]() | IS61C632A-6TQI | - | ![]() | 4537 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | IS61C632 | sram-异步 | 3.135v〜3.6V | 100-LQFP(14x20) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 72 | 83 MHz | 易挥发的 | 1Mbit | 6 ns | SRAM | 32K x 32 | 平行线 | - | ||
![]() | IS64LF25636A-7.5B3LA3 | 23.2447 | ![]() | 8562 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 165-TBGA | IS64LF25636 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 165-TFBGA(13x15) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 117 MHz | 易挥发的 | 9Mbit | 7.5 ns | SRAM | 256K x 36 | 平行线 | - | ||
![]() | IS42S16160G-7TLI-Tr | 6.6224 | ![]() | 8018 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) | IS42S16160 | Sdram | 3v〜3.6V | 54-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 1,500 | 143 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 16m x 16 | 平行线 | - | ||
![]() | IS61QDPB42M36A1-550B4LI | - | ![]() | 1887年 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | IS61QDPB42 | sram-四边形端口,同步 | 1.71V〜1.89V | 165-LFBGA(13x15) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 550 MHz | 易挥发的 | 72Mbit | SRAM | 2m x 36 | 平行线 | - | |||
![]() | IS25LQ040B-JNLE | - | ![]() | 2320 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IS25LQ040 | 闪光灯 -也不 | 2.3v〜3.6V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-1316 | Ear99 | 8542.32.0071 | 100 | 104 MHz | 非易失性 | 4Mbit | 闪光 | 512k x 8 | Spi -Quad I/O。 | 800µs | ||
![]() | IS62WV10248HBLL-45TLI | 5.3900 | ![]() | 6841 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | sram-异步 | 2.2v〜3.6V | 44-TSOP II | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS62WV10248HBLL-45TLI | 135 | 易挥发的 | 8mbit | 45 ns | SRAM | 1m x 8 | 平行线 | 45ns | ||||||
![]() | IS25LQ080B-JNLE | - | ![]() | 9553 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 大部分 | 在sic中停产 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IS25LQ080 | 闪光灯 -也不 | 2.3v〜3.6V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-1331 | Ear99 | 8542.32.0071 | 100 | 104 MHz | 非易失性 | 8mbit | 闪光 | 1m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 1ms |
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