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内存(8)
| 参考图片 | 产品编号 | 价格（美元） | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量（公斤） | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 - 电源 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QQT | 内存格式 | 记忆组织 | 内存接口 | 周期写入T - 字、页 | SIC |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | N02L63W3AT25I | 2.1100 |  | 270 | 0.00000000 | AMI 半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 44-TSOP（0.400英寸，10.16毫米宽） | N02L63 | SRAM - 异步 | 2.3V～3.6V | 44-TSOP II | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | 易挥发的 | 2兆比特 | 55纳秒 | 静态随机存储器 | 128K×16 | 平行线 | 55纳秒 | |||
 | N02L63W3AB25IT | 2.1800 | | 2 | 0.00000000 | AMI 半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 48-LFBGA | N02L63 | SRAM - 异步 | 2.3V～3.6V | 48-BGA (6x8) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,500人 | 易挥发的 | 2兆比特 | 55纳秒 | 静态随机存储器 | 128K×16 | 平行线 | 55纳秒 | |||
| N04L63W2AB27I | 3.7400 | | 410 | 0.00000000 | AMI 半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 48-LFBGA | N04L63 | SRAM - 异步 | 2.3V～3.6V | 48-BGA (6x8) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 第480章 | 易挥发的 | 4兆比特 | 70纳秒 | 静态随机存储器 | 256K×16 | 平行线 | 70纳秒 | |||
 | N25S818HAT21I | 1.4100 | | 300 | 0.00000000 | AMI 半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 8-TSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽） | N25S818 | 静态随机存储器 | 1.7V～1.95V | 8-TSSOP | 下载 | EAR99 | 8542.32.0041 | 213 | 16兆赫 | 易挥发的 | 256Kbit | 静态随机存储器 | 32K×8 | SPI | - | 未验证 | |||
 | N02L83W2AT25I | 1.8400 | | 第312章 | 0.00000000 | AMI 半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 32-LFSOP（0.724英寸，18.40毫米宽） | N02L83 | SRAM - 异步 | 2.3V～3.6V | 32-TSOP I | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 156 | 易挥发的 | 2兆比特 | 55纳秒 | 静态随机存储器 | 256K×8 | 平行线 | 55纳秒 | |||
 | N02L63W3AB25I | 2.3000 | | 第480章 | 0.00000000 | AMI 半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 48-LFBGA | N02L63 | SRAM - 异步 | 2.3V～3.6V | 48-BGA (6x8) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 第480章 | 易挥发的 | 2兆比特 | 55纳秒 | 静态随机存储器 | 128K×16 | 平行线 | 55纳秒 | |||
 | N01L63W3AT25I | 1.6400 | | 270 | 0.00000000 | AMI 半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 44-TSOP（0.400英寸，10.16毫米宽） | N01L63 | SRAM - 异步 | 2.3V～3.6V | 44-TSOP II | 下载 | 符合ROHS3标准 | EAR99 | 8542.32.0041 | 135 | 易挥发的 | 1兆比特 | 55纳秒 | 静态随机存储器 | 64K×16 | 平行线 | 55纳秒 | |||
| N01L83W2AT25IT | 1.4800 | | 18 | 0.00000000 | AMI 半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 32-LFSOP（0.724英寸，18.40毫米宽） | N01L83 | SRAM - 异步 | 2.3V～3.6V | 32-TSOP I | 下载 | 符合ROHS3标准 | EAR99 | 8542.32.0041 | 1,000 | 易挥发的 | 1兆比特 | 55纳秒 | 静态随机存储器 | 128K×8 | 平行线 | 55纳秒 |
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