记忆(33)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	时钟频率	内存类型	内存大小	访QQT	内存格式	记忆组织	内存接口	周期写入T - 字、页
R1Q4A3618CBB-33IA0	31.0400	询价	6	瑞萨	-	大部分	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	165-LBGA	R1Q4A3618	SRAM-同步、DDR II	1.7V~1.9V	165-LBGA (13x15)	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-R1Q4A3618CBB-33IA0	3A991	8542.32.0041	1	300兆赫	易挥发的	36兆比特	450马力	静态随机存储器	2M×18	平行线	-
M5M5V108DKV-70HIST	5.0500	询价	3	瑞萨	*	大部分	的积极								下载		供应商未定义	REACH 不出行	2156-M5M5V108DKV-70HIST-1833			1
S71VS064RB0AHT4L0	3.4300	询价	第480章	瑞萨	-	大部分	过时的								-				2156-S71VS064RB0AHT4L0			88
HN58C256AP10E	-	询价	5361	瑞萨	*	大部分	的积极								下载		供应商未定义	REACH 不出行	2156-HN58C256AP10E-1833			1
R1RW0416DSB-2PI#D1	-	询价	4616	瑞萨	R1RW0416DI	大部分	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	44-TSOP（0.400英寸，10.16毫米宽）		SRAM - 异步	3V～3.6V	44-TSOP II	-				2156-R1RW0416DSB-2PI#D1			1		易挥发的	4兆比特	12纳秒	静态随机存储器	256K×16	平行线	12纳秒
HN58V66ATI10E	2000年10月	询价	第869章	瑞萨	*	大部分	的积极								下载		供应商未定义	REACH 不出行	2156-HN58V66ATI10E-1833			1
S79FL01GSDSBHBC10	-	询价	7470	瑞萨	-	大部分	的积极								-				2156-S79FL01GSDSBHBC10			1
R1LV1616HSA-5SI#B1	-	询价	5980	瑞萨	R1LV1616HSA-I	大部分	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	48-TFSOP（0.724英寸，18.40毫米宽）		SRAM - 异步	2.7V~3.6V	48-TSOP I	-				2156-R1LV1616HSA-5SI#B1			1		易挥发的	16兆比特	55纳秒	静态随机存储器	1M×16、2M×8	平行线	55纳秒
R1WV6416RSD-5SI#B0	-	询价	5461	瑞萨	-	大部分	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	52-TFSOP（0.350英寸，8.89毫米宽）		SRAM - 异步	2.7V~3.6V	52-TSOP II	-				2156-R1WV6416RSD-5SI#B0			1		易挥发的	64兆比特	55纳秒	静态随机存储器	4M×16、8M×8	平行线	55纳秒
M5M5256DFP-70LL#SM	3.6000	询价	第894章	瑞萨	*	大部分	的积极								下载		供应商未定义	REACH 不出行	2156-M5M5256DFP-70LL#SM-1833			1
HN58C257AT85E	13.9800	询价	101	瑞萨	*	大部分	的积极								下载		供应商未定义	REACH 不出行	2156-HN58C257AT85E-1833			1
HN58V66AT10E	9.3200	询价	第408章	瑞萨	*	大部分	的积极								下载		供应商未定义	REACH 不出行	2156-HN58V66AT10E-1833			1
M5M5V108DVP-70H#BT	4.6400	询价	6	瑞萨	*	大部分	的积极								下载		供应商未定义	REACH 不出行	2156-M5M5V108DVP-70H#BT-1833			1
UPD48576209F1-E24-DW1-E2-A	53.2800	询价	1	瑞萨	-	大部分	过时的	0℃～95℃（温控）	表面贴装	144-TBGA	UPD48576209	线性动态随机存取存储器	1.7V~1.9V	144-TFBGA (11x18.5)	下载	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-UPD48576209F1-E24-DW1-E2-A	EAR99	8542.32.0032	1	400兆赫	易挥发的	576兆比特		动态随机存取存储器	64米×9	HSTL	-
R1WV6416RBG-5SI#B0	-	询价	3725	瑞萨	-	大部分	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	48-TFBGA		SRAM - 异步	2.7V~3.6V	48-TFBGA (8.5x11)	-				2156-R1WV6416RBG-5SI#B0			1		易挥发的	64兆比特	55纳秒	静态随机存储器	4M×16、8M×8	平行线	55纳秒
R1LV3216RSA-5SI#BU	71.8800	询价	87	瑞萨	*	大部分	的积极								下载		供应商未定义	REACH 不出行	2156-R1LV3216RSA-5SI#BU-1833	3A991B2A	8542.32.0041	1
R1LP5256ESA-5SI#S1	-	询价	8565	瑞萨	R1LP5256E	大部分	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	28-TSSOP（0.465英寸，11.80毫米宽）		SRAM - 异步	4.5V～5.5V	28-TSOP I	-				2156-R1LP5256ESA-5SI#S1			1		易挥发的	256Kbit	55纳秒	静态随机存储器	32K×8	平行线	55纳秒
R1Q4A7218ABB-33IA0	106.5000	询价	2	瑞萨	-	大部分	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	165-LBGA	R1Q4A7218	SRAM-同步、DDR II	1.7V~1.9V	165-LBGA (13x15)	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-R1Q4A7218ABB-33IA0	3A991	8542.32.0041	1	300兆赫	易挥发的	72兆比特	450马力	静态随机存储器	4M×18	平行线	-
R1LP0408DSB-5SI#B1	-	询价	6001	瑞萨	R1LP0408D	大部分	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	32-SOIC（0.400英寸，10.16毫米宽）		SRAM - 异步	4.5V～5.5V	32-TSOP II	-				2156-R1LP0408DSB-5SI#B1			1		易挥发的	4兆比特	55纳秒	静态随机存储器	512K×8	平行线	55纳秒
UPD48576118F1-E18-DW1-A	69.8200	询价	3	瑞萨	-	大部分	过时的	0℃～95℃（温控）	表面贴装	144-TBGA	UPD48576118	线性动态随机存取存储器	1.7V~1.9V	144-TFBGA (11x18.5)	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-UPD48576118F1-E18-DW1-A	EAR99	8542.32.0032	1	533兆赫	易挥发的	576兆比特	300皮秒	动态随机存取存储器	32M×18	HSTL	-
R1Q3A7236ABB-33IB0	30.1100	询价	第375章	瑞萨	*	大部分	的积极								下载		供应商未定义	供应商未定义	2156-R1Q3A7236ABB-33IB0-1833			1
HN58V66AFPI10E	9.7700	询价	2	瑞萨	*	大部分	的积极								下载		供应商未定义	REACH 不出行	2156-HN58V66AFPI10E-1833			1
S71VS256RD0AHK4L0	7.3000	询价	第272章	瑞萨	-	大部分	过时的								-				2156-S71VS256RD0AHK4L0			42
R1LV0408DSP-7LI#B0	-	询价	4184	瑞萨	-	大部分	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	32-SOIC（0.450英寸，11.40毫米宽）		SRAM - 异步	2.7V~3.6V	32-SOP	-				2156-R1LV0408DSP-7LI#B0			1		易挥发的	4兆比特	70纳秒	静态随机存储器	512K×8	平行线	70纳秒
S79FL256SDSMFBG00	-	询价	1618	瑞萨	-	大部分	的积极								-				2156-S79FL256SDSMFBG00			1
UPD48576236F1-E18-DW1-A	69.8200	询价	4	瑞萨	-	大部分	过时的	0℃～95℃（温控）	表面贴装	144-TBGA	UPD48576236	线性动态随机存取存储器	1.7V~1.9V	144-TFBGA (11x18.5)	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-UPD48576236F1-E18-DW1-A	EAR99	8542.32.0032	1	533兆赫	易挥发的	576兆比特	300皮秒	动态随机存取存储器	16M×36	HSTL	-
R1LP0108ESN-5SI#B0	-	询价	6051	瑞萨	-	大部分	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	32-SOIC（0.450英寸，11.40毫米宽）		SRAM - 异步	4.5V～5.5V	32-SOP	-				2156-R1LP0108ESN-5SI#B0			1		易挥发的	1兆比特	55纳秒	静态随机存储器	128K×8	平行线	55纳秒
UPD48288236AF1-E24-DW1-A	43.7800	询价	1	瑞萨	-	大部分	过时的	0℃～95℃（温控）	表面贴装	144-TBGA	UPD48288236	线性动态随机存取存储器	1.7V~1.9V	144-TFBGA (11x18.5)	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-UPD48288236AF1-E24-DW1-A	EAR99	8542.32.0028	1	400兆赫	易挥发的	288兆比特	500皮秒	动态随机存取存储器	8M×36	HSTL	-
S79FL256SDSMFBG03	-	询价	8171	瑞萨	-	大部分	的积极								-				2156-S79FL256SDSMFBG03			1
R1LP5256ESA-5SI#B1	-	询价	4175	瑞萨	R1LP5256E	大部分	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	28-TSSOP（0.465英寸，11.80毫米宽）		SRAM - 异步	4.5V～5.5V	28-TSOP I	-				2156-R1LP5256ESA-5SI#B1			1		易挥发的	256Kbit	55纳秒	静态随机存储器	32K×8	平行线	55纳秒

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

记忆(33)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²