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（15）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词，页面，页面 | sic可编程 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | S25FL127SABMFI000 | 2.5000 |  | 6168 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | - | 2156-S25FL127SABMFI000 | 97 | ||||||||||||||||||||||
| S29GL128S11FHBV20 | - | | 9410 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | - | 2156-S29GL128S11FHBV20 | 1 | ||||||||||||||||||||||
| S25FL128SAGMFI000 | - | | 5715 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | - | 2156-S25FL128SAGMFI000 | 1 | ||||||||||||||||||||||
| S25FL128SAGBHV300 | 2.8200 | | 257 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | - | 2156-S25FL128SAGBHV300 | 107 | ||||||||||||||||||||||
| S25FL116K0XMFI010 | 0.3600 | | 1175 | 0.00000000 | NXP半导体 | fl1-k | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） | 闪存-SLC） | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | - | 2156-S25FL116K0XMFI010 | 76 | 108 MHz | 非易失性 | 16mbit | 6 ns | 闪光 | 2m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 50µs，3ms | ||||||||
| S25FL164K0XMFV010 | 0.8700 | | 3639 | 0.00000000 | NXP半导体 | 汽车，AEC-Q100，FL1-K | 大部分 | 过时的 | -40°C〜105°C（TA） | 表面安装 | 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） | 闪存-SLC） | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | - | 2156-S25FL164K0XMFV010 | 40 | 108 MHz | 非易失性 | 64mbit | 6 ns | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 50µs，3ms | ||||||||
| X28C512JIZ-12 | - | | 4104 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | - | 2156-X28C512JIZ-12 | 1 | ||||||||||||||||||||||
| S25FL116K0XMFI043 | 0.4300 | | 2419 | 0.00000000 | NXP半导体 | fl1-k | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | 闪存-SLC） | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | - | 2156-S25FL116K0XMFI043 | 33 | 108 MHz | 非易失性 | 16mbit | 6 ns | 闪光 | 2m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 50µs，3ms | ||||||||
| S25HL02GTDPBHV050 | - | | 1250 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | - | 2156-S25HL02GTDPBHV050 | 1 | ||||||||||||||||||||||
 | PCF85103C-2T/00112 | - | | 7755 | 0.00000000 | NXP半导体 | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 供应商不确定 | 到达不受影响 | 2156-PCF85103C-2T/00112-954 | 1 | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||
| S25FL164K0XNFI011 | - | | 7054 | 0.00000000 | NXP半导体 | 汽车，AEC-Q100，FL1-K | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | 闪存-SLC） | 2.7V〜3.6V | 8-wson（5x6） | - | 2156-S25FL164K0XNFI011 | 1 | 108 MHz | 非易失性 | 64mbit | 6 ns | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 50µs，3ms | ||||||||
| S29GL064S70DHI010 | - | | 8833 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | - | 2156-S29GL064S70DHI010 | 1 | ||||||||||||||||||||||
| PCF85103C-2T/00：11 | 0.5100 | | 796 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | PCF85 | EEPROM | 2.5V〜6V | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | 供应商不确定 | 2156-PCF85103C-2T/00：11 | Ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 100 kHz | 非易失性 | 2kbit | EEPROM | 256 x 8 | i²c | 10ms | ||||
| S26KS128SDGBHN030 | 6.9100 | | 338 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | - | 2156-S26KS128SDGBHN030 | 44 | ||||||||||||||||||||||
| S25FL064P0XMFV003 | - | | 5006 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | - | 2156-S25FL064P0XMFV003 | 1 |
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