RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

230）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	控制器类型
DP8421AVX-25	-	RFQ	5122	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C	表面安装	68-LCC（j-lead）	DP8421		4.5V〜5.5V	68-PLCC （25.13x25.13）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*DP8421AVX-25	Ear99	8542.39.0001	250								动态ram（dram）
TM27PC256-2NL	1.6000	RFQ	4203	Texas Instruments	*	大部分	积极的								-	不适用	3（168））	供应商不确定			0000.00.0000	1
TMS62828L-85NW	38.9800	RFQ	301	Texas Instruments	*	大部分	积极的								下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1
BQ2204ASN-NTRG4	-	RFQ	8631	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	BQ2204		4.5V〜5.5V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500								sram
DP8422ATVX-25	-	RFQ	9318	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C	表面安装	84-LCC（j-lead）	DP8422		4.5V〜5.5V	84-PLCC （29.31x29.31）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*DP8422ATVX-25	Ear99	8542.39.0001	250								动态ram（dram）
BQ4010LYMA-70N	16.2100	RFQ	182	Texas Instruments	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	28 DIP 模块（ 0.61英寸，15.49毫米）	BQ4010	NVSRAM（SRAM）	3v〜3.6V	28 DIP 模块（ 18.42x37.72）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8473.30.1180	14	非易失性	64kbit	70 ns	NVSRAM	8k x 8	平行线	70NS
BQ2022ADBZR	1.0900	RFQ	2	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-20°C〜70°C（TA）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BQ2022	EPROM -OTP	2.65V〜5.5V	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0061	3,000	非易失性	1kbit		EPROM	32个字节x 4页	单线	-
BQ4015LYMA-70N	-	RFQ	5298	Texas Instruments	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	32 滴模块（0.610英寸，15.49毫米）	BQ4015	NVSRAM（SRAM）	3v〜3.6V	32 DIP 模块（ 18.42x42.8）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8473.30.1180	12	非易失性	4Mbit	70 ns	NVSRAM	512k x 8	平行线	70NS
TM124BBK32S-80	29.7400	RFQ	296	Texas Instruments	*	大部分	积极的								下载	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8473.30.1140	1
TMS48C138-10DJ	4.1400	RFQ	2	Texas Instruments	*	大部分	积极的								下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.32.0002	1
TMS4063NL	5.2700	RFQ	1721年	Texas Instruments	*	大部分	积极的								下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.32.0002	1
TMS6287-45N	3.0700	RFQ	81	Texas Instruments	*	大部分	积极的								-	不适用	3（168））	供应商不确定			0000.00.0000	1
DP8422AVX-25	-	RFQ	5847	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C	表面安装	84-LCC（j-lead）	DP8422		4.5V〜5.5V	84-PLCC （29.31x29.31）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*DP8422AVX-25	Ear99	8542.39.0001	250								动态ram（dram）
SMJ4164-12FGS	9.3400	RFQ	239	Texas Instruments	*	大部分	积极的								下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.32.0002	1
DP8421AV-20	-	RFQ	5994	Texas Instruments	-	管子	过时的	0°C〜70°C	表面安装	68-LCC（j-lead）	DP8421		4.5V〜5.5V	68-PLCC （25.13x25.13）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*DP8421AV-20	Ear99	8542.39.0001	18								动态ram（dram）
5962-1422801VXC	-	RFQ	3091	Texas Instruments	*	管子	积极的								下载	rohs3符合条件	不适用		296-5962-1422801VXC			1
TPS7H3301HKR/EM	-	RFQ	4239	Texas Instruments	*	管子	积极的								下载	rohs3符合条件	不适用		296-TPS7H3301HKR/EM			1
BQ2204APN	6.8176	RFQ	7947	Texas Instruments	-	管子	积极的	0°C〜70°C	通过洞	16 浸（0.300英寸，7.62mm）	BQ2204		4.5V〜5.5V	16-PDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	25								sram
BQ4013M 1220	-	RFQ	8867	Texas Instruments	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	32 滴模块（0.610英寸，15.49毫米）	BQ4013	NVSRAM（SRAM）	4.5V〜5.5V	32 DIP 模块（ 18.42x42.8）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	12	非易失性	1Mbit	120 ns	NVSRAM	128K x 8	平行线	120ns
BQ2022LPR	-	RFQ	2975	Texas Instruments	-	（CT）	过时的	-20°C〜70°C（TA）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BQ2022	EPROM -OTP	2.65V〜5.5V	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0061	2,000	非易失性	1kbit		EPROM	32个字节x 4页	单线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

230）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²