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230）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词，页面，页面 | 控制器类型 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SMJ68CE16S-35JDM | 10.8900 |  | 1 | 0.00000000 | Texas Instruments | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3（168）） | 供应商不确定 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
 | SMJ61CD16SA-35JDM | 28.6600 | | 281 | 0.00000000 | Texas Instruments | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3（168）） | 供应商不确定 | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 1 | |||||||||||||||||
 | SMJ4464-12JDL | 19.3300 | | 494 | 0.00000000 | Texas Instruments | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | Rohs不合规 | 3（168）） | 到达受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 1 | |||||||||||||||||
 | TMS62828L-85NW | 38.9800 | | 301 | 0.00000000 | Texas Instruments | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | Rohs不合规 | 3（168）） | 到达受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | |||||||||||||||||
 | BQ2022ADBZR | 1.0900 | | 2 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -20°C〜70°C（TA） | 表面安装 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | BQ2022 | EPROM -OTP | 2.65V〜5.5V | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0061 | 3,000 | 非易失性 | 1kbit | EPROM | 32个字节x 4页 | 单线 | - | ||||
| TM124BBK32S-80 | 29.7400 | | 296 | 0.00000000 | Texas Instruments | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 不适用 | 3（168）） | 供应商不确定 | Ear99 | 8473.30.1140 | 1 | |||||||||||||||||
 | TMS48C138-10DJ | 4.1400 | | 2 | 0.00000000 | Texas Instruments | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | Rohs不合规 | 3（168）） | 到达受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 1 | |||||||||||||||||
 | TMS4063NL | 5.2700 | | 1721年 | 0.00000000 | Texas Instruments | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | Rohs不合规 | 3（168）） | 到达受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 1 | |||||||||||||||||
 | TMS6287-45N | 3.0700 | | 81 | 0.00000000 | Texas Instruments | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3（168）） | 供应商不确定 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
| SMJ61CD64L-45JDM | 12.6400 | | 1 | 0.00000000 | Texas Instruments | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3（168）） | 供应商不确定 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
| V62/12602-01XE-T | 4.6931 | | 2948 | 0.00000000 | Texas Instruments | * | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | - | rohs3符合条件 | 296-V62/12602-01XE-TTR | 70 | ||||||||||||||||||||
 | BQ4011M-200 | - | | 7413 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C（TA） | 通过洞 | 28 DIP 模块（ 0.61英寸，15.49毫米） | BQ4011 | NVSRAM（SRAM） | 4.5V〜5.5V | 28 DIP 模块（ 18.42x37.72） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 14 | 非易失性 | 256kbit | 200 ns | NVSRAM | 32K x 8 | 平行线 | 200NS | |||
| 5962-1422801VXC | - | | 3091 | 0.00000000 | Texas Instruments | * | 管子 | 积极的 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 296-5962-1422801VXC | 1 | |||||||||||||||||||
| TPS7H3301HKR/EM | - | | 4239 | 0.00000000 | Texas Instruments | * | 管子 | 积极的 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 296-TPS7H3301HKR/EM | 1 | |||||||||||||||||||
| SMJ4464-15JD | 22.9900 | | 1 | 0.00000000 | Texas Instruments | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | Rohs不合规 | 3（168）） | 到达受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 1 | |||||||||||||||||
 | BQ4013YMA-85 | - | | 2423 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C（TA） | 通过洞 | 32 滴模块（0.610英寸，15.49毫米） | BQ4013 | NVSRAM（SRAM） | 4.5V〜5.5V | 32 DIP 模块（ 18.42x42.8） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 12 | 非易失性 | 1Mbit | 85 ns | NVSRAM | 128K x 8 | 平行线 | 85ns | |||
| SMJ4164-12FGS | 9.3400 | | 239 | 0.00000000 | Texas Instruments | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | Rohs不合规 | 3（168）） | 到达受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 1 | |||||||||||||||||
| BQ4011M-70 | - | | 2756 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C（TA） | 通过洞 | 28 DIP 模块（ 0.61英寸，15.49毫米） | BQ4011 | NVSRAM（SRAM） | 4.5V〜5.5V | 28 DIP 模块（ 18.42x37.72） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 14 | 非易失性 | 256kbit | 70 ns | NVSRAM | 32K x 8 | 平行线 | 70NS | |||
 | BQ2204ASN-NTRG4 | - | | 8631 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -40°C〜85°C | 表面安装 | 16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm） | BQ2204 | 4.5V〜5.5V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 2（1年） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | sram | ||||||||||
 | DP8421AVX-25 | - | | 5122 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 0°C〜70°C | 表面安装 | 68-LCC（j-lead） | DP8421 | 4.5V〜5.5V | 68-PLCC （25.13x25.13） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | *DP8421AVX-25 | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | 动态ram（dram） | |||||||||
 | TMS27PC512-120FML | - | | 6776 | 0.00000000 | Texas Instruments | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | Rohs不合规 | 3（168）） | 到达受影响 | Ear99 | 3542.32.0061 | 1 | |||||||||||||||||
| DP8421AV-20 | - | | 5994 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C | 表面安装 | 68-LCC（j-lead） | DP8421 | 4.5V〜5.5V | 68-PLCC （25.13x25.13） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | *DP8421AV-20 | Ear99 | 8542.39.0001 | 18 | 动态ram（dram） | |||||||||
| BQ4011MA-200 | - | | 3499 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C（TA） | 通过洞 | 28 DIP 模块（ 0.61英寸，15.49毫米） | BQ4011 | NVSRAM（SRAM） | 4.75V〜5.5V | 28 DIP 模块（ 18.42x37.72） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 42 | 非易失性 | 256kbit | 200 ns | NVSRAM | 32K x 8 | 平行线 | 200NS | |||
| BQ4013M 1220 | - | | 8867 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C（TA） | 通过洞 | 32 滴模块（0.610英寸，15.49毫米） | BQ4013 | NVSRAM（SRAM） | 4.5V〜5.5V | 32 DIP 模块（ 18.42x42.8） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 12 | 非易失性 | 1Mbit | 120 ns | NVSRAM | 128K x 8 | 平行线 | 120ns | |||
| BQ4013YMA-70N | - | | 1978年 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C（TA） | 通过洞 | 32 滴模块（0.610英寸，15.49毫米） | BQ4013 | NVSRAM（SRAM） | 4.5V〜5.5V | 32 DIP 模块（ 18.42x42.8） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 12 | 非易失性 | 1Mbit | 70 ns | NVSRAM | 128K x 8 | 平行线 | 70NS | |||
| BQ4015LYMA-70N | - | | 5298 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C（TA） | 通过洞 | 32 滴模块（0.610英寸，15.49毫米） | BQ4015 | NVSRAM（SRAM） | 3v〜3.6V | 32 DIP 模块（ 18.42x42.8） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8473.30.1180 | 12 | 非易失性 | 4Mbit | 70 ns | NVSRAM | 512k x 8 | 平行线 | 70NS | |||
| SMJ68CE16L-55JDM | 23.3400 | | 247 | 0.00000000 | Texas Instruments | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3（168）） | 供应商不确定 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
| BQ4013YMA-85N | - | | 1419 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C（TA） | 通过洞 | 32 滴模块（0.610英寸，15.49毫米） | BQ4013 | NVSRAM（SRAM） | 4.5V〜5.5V | 32 DIP 模块（ 18.42x42.8） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 12 | 非易失性 | 1Mbit | 85 ns | NVSRAM | 128K x 8 | 平行线 | 85ns | |||
 | BQ2204APN | 6.8176 | | 7947 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 积极的 | 0°C〜70°C | 通过洞 | 16 浸（0.300英寸，7.62mm） | BQ2204 | 4.5V〜5.5V | 16-PDIP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 25 | sram | ||||||||||
 | DP8422AVX-25 | - | | 5847 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 0°C〜70°C | 表面安装 | 84-LCC（j-lead） | DP8422 | 4.5V〜5.5V | 84-PLCC （29.31x29.31） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | *DP8422AVX-25 | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | 动态ram（dram） |
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