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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 - 电源 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 记忆组织 | 内存接口 | 周期写入T - 字、页 | 控制器类型 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TMS48C138-70DJ | 4.1400 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Texas Instruments | * | 大部分 | 的积极 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 3(168小时) | REACH旅行 | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | BQ4010MA-150 | - | ![]() | 9524 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 通孔 | 28-DIP模块(0.61",15.49mm) | BQ4010 | NVSRAM(非易失性SRAM) | 4.75V~5.5V | 28-DIP模块(18.42x37.72) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.32.0041 | 14 | 非活跃性 | 64Kbit | 150纳秒 | 非静态随机仓库 | 8K×8 | 平行线 | 150纳秒 | |||
![]() | NSBMC096VF-25 | - | ![]() | 5111 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 托盘 | 过时的 | 0℃~70℃ | 表面贴装 | 132-BQFP 带凸块 | NSBM | 4.5V~5.5V | 132-PQFP (24.13x24.13) | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | *NSBMC096VF-25 | EAR99 | 8542.39.0001 | 36 | 动态内存 (DRAM) | |||||||||
![]() | BQ4013MA-85 | - | ![]() | 第1485章 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 通孔 | 32-DIP模块(0.610",15.49mm) | BQ4013 | NVSRAM(非易失性SRAM) | 4.75V~5.5V | 32-DIP模块(18.42x42.8) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.32.0041 | 12 | 非活跃性 | 1兆比特 | 85纳秒 | 非静态随机仓库 | 128K×8 | 平行线 | 85纳秒 | |||
![]() | SMJ64C16S-55JDM | 17.3400 | ![]() | 616 | 0.00000000 | Texas Instruments | * | 大部分 | 的积极 | - | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | 5962-1123701VXC | - | ![]() | 7531 | 0.00000000 | Texas Instruments | * | 托盘 | 的积极 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | 296-5962-1123701VXC | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | BQ4011YMA-100 | - | ![]() | 8889 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 通孔 | 28-DIP模块(0.61",15.49mm) | BQ4011 | NVSRAM(非易失性SRAM) | 4.5V~5.5V | 28-DIP模块(18.42x37.72) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.32.0041 | 14 | 非活跃性 | 256Kbit | 100纳秒 | 非静态随机仓库 | 32K×8 | 平行线 | 100纳秒 | |||
![]() | TMS44165-80DZ | 2.0100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Texas Instruments | * | 大部分 | 的积极 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 3(168小时) | REACH旅行 | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | BQ4013YMA-85N | - | ![]() | 1419 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 通孔 | 32-DIP模块(0.610",15.49mm) | BQ4013 | NVSRAM(非易失性SRAM) | 4.5V~5.5V | 32-DIP模块(18.42x42.8) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.32.0041 | 12 | 非活跃性 | 1兆比特 | 85纳秒 | 非静态随机仓库 | 128K×8 | 平行线 | 85纳秒 | |||
![]() | SMJ68CE16L-55JDM | 23.3400 | ![]() | 第247章 | 0.00000000 | Texas Instruments | * | 大部分 | 的积极 | - | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | TMS44100-80DJ | 13.6900 | ![]() | 22 | 0.00000000 | Texas Instruments | * | 大部分 | 的积极 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 3(168小时) | REACH旅行 | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | BQ4017YMC-70 | - | ![]() | 3235 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 通孔 | 36-DIP模块(0.610",15.49mm) | BQ4017 | NVSRAM(非易失性SRAM) | 4.5V~5.5V | 36-DIP模块 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.32.0041 | 10 | 非活跃性 | 16兆比特 | 70纳秒 | 非静态随机仓库 | 2M×8 | 平行线 | 70纳秒 | |||
![]() | TMS6287-45N | 3.0700 | ![]() | 81 | 0.00000000 | Texas Instruments | * | 大部分 | 的积极 | - | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | BQ4011MA-150 | - | ![]() | 9968 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 通孔 | 28-DIP模块(0.61",15.49mm) | BQ4011 | NVSRAM(非易失性SRAM) | 4.75V~5.5V | 28-DIP模块(18.42x37.72) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.32.0041 | 14 | 非活跃性 | 256Kbit | 150纳秒 | 非静态随机仓库 | 32K×8 | 平行线 | 150纳秒 | |||
![]() | TMS55161-70ADGH | 7.0000 | ![]() | 184 | 0.00000000 | Texas Instruments | * | 大部分 | 的积极 | 下载 | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | TMS48C128-80DJ | 4.1400 | ![]() | 第633章 | 0.00000000 | Texas Instruments | * | 大部分 | 的积极 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 3(168小时) | REACH旅行 | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | BQ4011YMA-150 | - | ![]() | 1973年 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 通孔 | 28-DIP模块(0.61",15.49mm) | BQ4011 | NVSRAM(非易失性SRAM) | 4.5V~5.5V | 28-DIP模块(18.42x37.72) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.32.0041 | 14 | 非活跃性 | 256Kbit | 150纳秒 | 非静态随机仓库 | 32K×8 | 平行线 | 150纳秒 | |||
![]() | SMJ4416-15JDL | 14.6700 | ![]() | 第391章 | 0.00000000 | Texas Instruments | * | 大部分 | 的积极 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 3(168小时) | REACH旅行 | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | DP8422AVX-25 | - | ![]() | 5847 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 0℃~70℃ | 表面贴装 | 84-LCC(J导联) | DP8422 | 4.5V~5.5V | 84-PLCC (29.31x29.31) | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | *DP8422AVX-25 | EAR99 | 8542.39.0001 | 250 | 动态内存 (DRAM) | |||||||||
![]() | BQ2022LPR | - | ![]() | 2975 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 切带 (CT) | 过时的 | -20°C ~ 70°C (TA) | 通孔 | TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 | 2022年第二季度 | EPROM-OTP | 2.65V~5.5V | TO-92-3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2(1年) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.32.0061 | 2,000 | 非活跃性 | 1Kbit | EPROM | 32 字节 x 4 页 | 单线 | - | ||||
![]() | SMJ4464-15JDS | 22.9900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Texas Instruments | * | 大部分 | 的积极 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 3(168小时) | REACH旅行 | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | BQ4010LYMA-70N | 16.2100 | ![]() | 182 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 通孔 | 28-DIP模块(0.61",15.49mm) | BQ4010 | NVSRAM(非易失性SRAM) | 3V~3.6V | 28-DIP模块(18.42x37.72) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8473.30.1180 | 14 | 非活跃性 | 64Kbit | 70纳秒 | 非静态随机仓库 | 8K×8 | 平行线 | 70纳秒 | |||
![]() | SMJ61CD64L-45JDM | 12.6400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Texas Instruments | * | 大部分 | 的积极 | - | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | SMJ64C16S-45JDM | 34.4000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Texas Instruments | * | 大部分 | 的积极 | - | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | TMS45165-60DZ | 2.6600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Texas Instruments | * | 大部分 | 的积极 | 下载 | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | BQ4015YMA-85 | - | ![]() | 6006 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 通孔 | 32-DIP模块(0.610",15.49mm) | BQ4015 | NVSRAM(非易失性SRAM) | 4.5V~5.5V | 32-DIP模块(18.42x42.8) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.32.0041 | 12 | 非活跃性 | 4兆比特 | 85纳秒 | 非静态随机仓库 | 512K×8 | 平行线 | 85纳秒 | |||
![]() | TMS62828L-85NW | 38.9800 | ![]() | 301 | 0.00000000 | Texas Instruments | * | 大部分 | 的积极 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 3(168小时) | REACH旅行 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | SMJ61CD16SA-35JDM | 28.6600 | ![]() | 第281章 | 0.00000000 | Texas Instruments | * | 大部分 | 的积极 | - | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | V62/12602-01XE-T | 4.6931 | ![]() | 2948 | 0.00000000 | Texas Instruments | * | 卷带式 (TR) | 的积极 | - | 符合ROHS3标准 | 296-V62/12602-01XE-TTR | 70 | ||||||||||||||||||||
![]() | SNJ54LS170J | 1.2400 | ![]() | 第388章 | 0.00000000 | Texas Instruments | * | 大部分 | 的积极 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 3(168小时) | REACH旅行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 |

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