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230）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词，页面，页面 | 控制器类型 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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 | SMJ61CD16-45JDM | 26.9800 | | 50 | 0.00000000 | Texas Instruments | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | Rohs不合规 | 3（168）） | 到达受影响 | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||
 | BQ4015MA-85 | - | | 1278 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C（TA） | 通过洞 | 32 滴模块（0.610英寸，15.49毫米） | BQ4015 | NVSRAM（SRAM） | 4.75V〜5.5V | 32 DIP 模块（ 18.42x42.8） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 12 | 非易失性 | 4Mbit | 85 ns | NVSRAM | 512k x 8 | 平行线 | 85ns | ||
 | BQ4010YMA-85N | - | | 9712 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C（TA） | 通过洞 | 28 DIP 模块（ 0.61英寸，15.49毫米） | BQ4010 | NVSRAM（SRAM） | 4.5V〜5.5V | 28 DIP 模块（ 18.42x37.72） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 14 | 非易失性 | 64kbit | 85 ns | NVSRAM | 8k x 8 | 平行线 | 85ns | ||
 | TMS418169-60DZ | - | | 1434 | 0.00000000 | Texas Instruments | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | Rohs不合规 | 3（168）） | 到达受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 1 | ||||||||||||||||
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 | SMJ4256-20JD | - | | 8545 | 0.00000000 | Texas Instruments | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | Rohs不合规 | 3（168）） | 到达受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 1 | ||||||||||||||||
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| BQ4010MA-85 | - | | 6889 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C（TA） | 通过洞 | 28 DIP 模块（ 0.61英寸，15.49毫米） | BQ4010 | NVSRAM（SRAM） | 4.75V〜5.5V | 28 DIP 模块（ 18.42x37.72） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 14 | 非易失性 | 64kbit | 85 ns | NVSRAM | 8k x 8 | 平行线 | 85ns | ||
 | BQ2205LYPWG4 | - | | 9672 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 在sic中停产 | -20°C〜70°C | 表面安装 | 16-TSSOP （0.173“，4.40mm宽度） | BQ2205 | 3v〜3.6V | 16-TSSOP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 90 | sram | |||||||||
 | SMJ61CD16LA-55JDM | 20.5600 | | 185 | 0.00000000 | Texas Instruments | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3（168）） | 供应商不确定 | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||
| BQ4014YMB-1220 | - | | 4026 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C（TA） | 通过洞 | 32 浸模块（0.61英寸，15.49毫米） | BQ4014 | NVSRAM（SRAM） | 4.5V〜5.5V | 32 DIP 模块（ 18.42x52.96） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 15 | 非易失性 | 2Mbit | 120 ns | NVSRAM | 256K x 8 | 平行线 | 120ns | ||
 | TMS45169-60DZ | 3.6100 | | 7 | 0.00000000 | Texas Instruments | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | Rohs不合规 | 3（168）） | 到达受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 1 | ||||||||||||||||
 | SMJ44400-80HMM | 66.0000 | | 432 | 0.00000000 | Texas Instruments | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | Rohs不合规 | 3（168）） | 到达受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 1 | ||||||||||||||||
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 | BQ2022ADBZRG4 | - | | 2086 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 胶带和卷轴（（tr） | 在sic中停产 | -20°C〜70°C（TA） | 表面安装 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | BQ2022 | EPROM -OTP | 2.65V〜5.5V | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0061 | 3,000 | 非易失性 | 1kbit | EPROM | 32个字节x 4页 | 单线 | - | |||
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 | SMJ61CD16SA-45JDM | 22.6700 | | 84 | 0.00000000 | Texas Instruments | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3（168）） | 供应商不确定 | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||
 | SNJ54ALS870JT | 4.9000 | | 885 | 0.00000000 | Texas Instruments | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | Rohs不合规 | 3（168）） | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||
| BQ4013MA-85 | - | | 1485 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C（TA） | 通过洞 | 32 滴模块（0.610英寸，15.49毫米） | BQ4013 | NVSRAM（SRAM） | 4.75V〜5.5V | 32 DIP 模块（ 18.42x42.8） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 12 | 非易失性 | 1Mbit | 85 ns | NVSRAM | 128K x 8 | 平行线 | 85ns | ||
 | BQ2204ASN | 6.3724 | | 1769年 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 积极的 | 0°C〜70°C | 表面安装 | 16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm） | BQ2204 | 4.5V〜5.5V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 2（1年） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 40 | sram | |||||||||
 | TMS44C256-10DJ | 4.1100 | | 8 | 0.00000000 | Texas Instruments | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | Rohs不合规 | 3（168）） | 到达受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 1 | ||||||||||||||||
| BQ4011M-150N | - | | 2157 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C（TA） | 通过洞 | 28 DIP 模块（ 0.61英寸，15.49毫米） | BQ4011 | NVSRAM（SRAM） | 4.5V〜5.5V | 28 DIP 模块（ 18.42x37.72） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 42 | 非易失性 | 256kbit | 150 ns | NVSRAM | 32K x 8 | 平行线 | 150ns | ||
 | SMJ64C16S-70JDM | 15.3400 | | 71 | 0.00000000 | Texas Instruments | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3（168）） | 供应商不确定 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||
| BQ4010YM-85 | - | | 3214 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C（TA） | 通过洞 | 28 DIP 模块（ 0.61英寸，15.49毫米） | BQ4010 | NVSRAM（SRAM） | 4.5V〜5.5V | 28 DIP 模块（ 18.42x37.72） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 14 | 非易失性 | 64kbit | 85 ns | NVSRAM | 8k x 8 | 平行线 | 85ns | ||
| BQ4010MA-70 | - | | 7756 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C（TA） | 通过洞 | 28 DIP 模块（ 0.61英寸，15.49毫米） | BQ4010 | NVSRAM（SRAM） | 4.75V〜5.5V | 28 DIP 模块（ 18.42x37.72） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 14 | 非易失性 | 64kbit | 70 ns | NVSRAM | 8k x 8 | 平行线 | 70NS |
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