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230）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	控制器类型
SMJ4161-15JD	14.6700	RFQ	1	Texas Instruments	*	大部分	积极的								下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.32.0071	1
BQ2024DBZR	0.9234	RFQ	3625	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-20°C〜70°C（TA）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BQ2024	EPROM -OTP	2.65V〜5.5V	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0061	3,000	非易失性	1.5kbit		EPROM	32字节x 6页	单线	-
SMJ68CE16S-55JDM	20.1000	RFQ	1	Texas Instruments	*	大部分	积极的								-	不适用	3（168））	供应商不确定			0000.00.0000	1
SMJ68CE16L-45JDM	31.0400	RFQ	808	Texas Instruments	*	大部分	积极的								-	不适用	3（168））	供应商不确定			0000.00.0000	1
BQ2022DBZRG4	-	RFQ	7869	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BQ2022	EPROM -OTP	2.65V〜5.5V	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0061	3,000	非易失性	1kbit		EPROM	32个字节x 4页	单线	-
BQ4014MB-85	-	RFQ	3200	Texas Instruments	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	32 浸模块（0.61英寸，15.49毫米）	BQ4014	NVSRAM（SRAM）	4.75V〜5.5V	32 DIP 模块（ 18.42x52.96）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	1	非易失性	2Mbit	85 ns	NVSRAM	256K x 8	平行线	85ns
BQ4016MC-70	-	RFQ	9990	Texas Instruments	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	36 DIP 模块（0.610英寸，15.49毫米）	BQ4016	NVSRAM（SRAM）	4.75V〜5.5V	36浸模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	10	非易失性	8mbit	70 ns	NVSRAM	1m x 8	平行线	70NS
BQ2204ASNTR	5.1630	RFQ	3692	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	BQ2204		4.5V〜5.5V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500								sram
BQ4015MA-70	-	RFQ	8318	Texas Instruments	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	32 滴模块（0.610英寸，15.49毫米）	BQ4015	NVSRAM（SRAM）	4.75V〜5.5V	32 DIP 模块（ 18.42x42.8）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	12	非易失性	4Mbit	70 ns	NVSRAM	512k x 8	平行线	70NS
TMS48C121-10DZ	8.0000	RFQ	276	Texas Instruments	*	大部分	积极的								下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.32.0071	1
TMS4044-45NL	2.6400	RFQ	4	Texas Instruments	*	大部分	积极的								下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.32.0041	1
TMS44460-70DJ	2.3300	RFQ	2	Texas Instruments	*	大部分	积极的								下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.32.0002	1
BQ2022LPRE3	-	RFQ	7539	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-20°C〜70°C（TA）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BQ2022	EPROM -OTP	2.65V〜5.5V	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0061	2,000	非易失性	1kbit		EPROM	32个字节x 4页	单线	-
BQ2204ASN-NTR	-	RFQ	4289	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	BQ2204		4.5V〜5.5V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500								sram
JBP28S42MJ	-	RFQ	9593	Texas Instruments	*	管子	积极的								-	rohs3符合条件	不适用		296-JBP28S42MJ			1
SMJ61CD16LA-35JDM	33.7900	RFQ	195	Texas Instruments	*	大部分	积极的								-	不适用	3（168））	供应商不确定		3A001A2C	8542.32.0041	1
V62/12602-01XE	3.6690	RFQ	4143	Texas Instruments	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-	rohs3符合条件			296-V62/12602-01Xetr			2,000
SMJ27C512-45JM	14.1800	RFQ	609	Texas Instruments	-	大部分	积极的	-55°C〜125°C	表面安装	32-lcc（j-lead）	SMJ27C512	EPROM -OTP	4.75V〜5.25V	32-PLCC （11.43x13.97）	-	不适用	3（168））	供应商不确定			0000.00.0000	1	非易失性	512kbit	45 ns	EPROM	64k x 8	平行线	-
JBP28L42MJ	-	RFQ	3043	Texas Instruments	*	管子	积极的								-	rohs3符合条件	不适用		296-JBP28L42MJ			1
SMJ64C16S-25JDM	47.3300	RFQ	575	Texas Instruments	*	大部分	积极的								-	不适用	3（168））	供应商不确定			0000.00.0000	1
BQ4011LYMA-70N	-	RFQ	2473	Texas Instruments	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	28 DIP 模块（ 0.61英寸，15.49毫米）	BQ4011	NVSRAM（SRAM）	3v〜3.6V	28 DIP 模块（ 18.42x37.72）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8473.30.1180	12	非易失性	256kbit	70 ns	NVSRAM	32K x 8	平行线	70NS
SMJ64C16L-25JDM	55.3300	RFQ	647	Texas Instruments	*	大部分	积极的								-	不适用	3（168））	供应商不确定			0000.00.0000	1
SMJ61CD16SA-70JDM	15.3400	RFQ	81	Texas Instruments	*	大部分	积极的								-	不适用	3（168））	供应商不确定		3A001A2C	8542.32.0041	1
DP8421AV-25	-	RFQ	9001	Texas Instruments	-	管子	过时的	0°C〜70°C	表面安装	68-LCC（j-lead）	DP8421		4.5V〜5.5V	68-PLCC （25.13x25.13）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*DP8421AV-25	Ear99	8542.39.0001	18								动态ram（dram）
TMS6787-20N	6.0600	RFQ	4	Texas Instruments	*	大部分	积极的								下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.32.0041	1
TMS55161-60DGH	7.0000	RFQ	4	Texas Instruments	*	大部分	积极的								下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.32.0071	1
TM4100GAD8-80	30.7600	RFQ	93	Texas Instruments	*	大部分	积极的								下载	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8473.30.1140	1
TMS418160-70DZ	3.6700	RFQ	8704	Texas Instruments	*	大部分	积极的								下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.32.0002	1
TMS48C128-10DJ	4.1400	RFQ	3	Texas Instruments	*	大部分	积极的								下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.32.0002	1
SMV512K32HFG	-	RFQ	3104	Texas Instruments	-	托盘	过时的	-55°C〜125°C（TC）	表面安装	76-CBQFP碰撞	SMV512	SRAM	1.7v〜3.6V	76-CFP （45.72x51.31）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		过时的	8542.32.0041	1	易挥发的	16mbit	20 ns	SRAM	512K x 32	平行线	20NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

230）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²