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逻辑（（2760）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 特征 | 基本产品编号 | 输入类型 | 输出类型 | 电路数 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | 逻辑类型 | 元素数量 | 每个元素的位数 | 电流 -输出高，低，低 | 功能 | 电流 -静止（最大） | 位数 | 输入数量 | 时钟频率 | 电压源 | 触发类型 | 最大传播延迟 @ v，max cl | 当前-iq（iq） | 输入逻辑级别 -低 | 输入逻辑级别 -高 | 施密特触发输入 | 电路 | 独立电路 | t -t -传播 | 传播延迟 | 电源电压 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | DM8124N | - |  | 3146 | 0.00000000 | 国家半导体 | * | 大部分 | 积极的 | DM8124 | - | 不适用 | 3（168）） | 供应商不确定 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 54S62FM | 6.9400 | | 102 | 0.00000000 | 国家半导体 | * | 大部分 | 积极的 | 54S62 | - | 不适用 | 3（168）） | 供应商不确定 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 54f20dm | 0.8700 | | 1 | 0.00000000 | 国家半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜125°C | 通过洞 | 14-CDIP （0.300英寸，7.62mm） | - | 54f20 | 2 | 4.5V〜5.5V | 14-Cerdip | 下载 | Rohs不合规 | 3（168）） | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | nand | 1mA，20mA | 5.1 MA | 4 | 7NS @ 5V，50pf | 0.8V | 2V | ||||||||||||||||||
| DM75L54J-mil | - | | 5014 | 0.00000000 | 国家半导体 | * | 大部分 | 积极的 | DM75L54 | - | 不适用 | 3（168）） | 供应商不确定 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DM8213N | - | | 9728 | 0.00000000 | 国家半导体 | * | 大部分 | 积极的 | DM8213 | - | 不适用 | 3（168）） | 供应商不确定 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DM8680N | - | | 9789 | 0.00000000 | 国家半导体 | * | 大部分 | 积极的 | DM8680 | - | 不适用 | 3（168）） | 供应商不确定 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JM38510/00203BCA | 17.6100 | | 43 | 0.00000000 | 国家半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜125°C（TA） | 通过洞 | 14-CDIP （0.300英寸，7.62mm） | JK类型 | JM38510 | 补充 | 4.5V〜5.5V | 14-CDIP | 下载 | Rohs不合规 | 3（168）） | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 2 | 1 | 400µA，16mA | 重置 | 20 MHz | 负边 | 40ns @ 5v，15pf | 20 ma | |||||||||||||||||
| JM38510/01501BFA | 13.2600 | | 756 | 0.00000000 | 国家半导体 | * | 大部分 | 积极的 | JM38510 | - | 不适用 | 3（168）） | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| JD54LS241BRA | 4.9100 | | 824 | 0.00000000 | 国家半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 下载 | 不适用 | 3（168）） | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74H40pc | 2.1400 | | 37 | 0.00000000 | 国家半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C | 通过洞 | 14 浸（0.300英寸，7.62mm） | - | 74H40 | 2 | 4.75V〜5.25V | 14-PDIP | 下载 | 不适用 | 3（168）） | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | nand | - | 40 MA | 4 | 12NS @ 5V，50pf | - | - | ||||||||||||||||||
| 7474DC | 0.3600 | | 9812 | 0.00000000 | 国家半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C（TA） | 通过洞 | 14-CDIP （0.300英寸，7.62mm） | D | 7474DC | 补充 | 4.75V〜5.25V | 14-Cerdip | 下载 | Rohs不合规 | 3（168）） | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 2 | 1 | - | （设置（预设）和重置 | 15 MHz | 正优势 | 40ns @ 5v，15pf | 30 ma | |||||||||||||||||
| JD54LS74BDA | - | | 8808 | 0.00000000 | 国家半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜125°C（TA） | 表面安装 | 14-clatpack | D | 54LS74 | 补充 | 4.5V〜5.5V | 14 CFP | 下载 | 不适用 | 3（168）） | 供应商不确定 | 0000.00.0000 | 1 | 2 | 1 | 4mA，400µA | （设置（预设）和重置 | 20 MHz | 正优势 | 35ns @ 5V，50pf | 8 ma | ||||||||||||||||||
 | 74LS279PC | 0.4100 | | 7 | 0.00000000 | 国家半导体 | 74LS | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C | 通过洞 | 16 浸（0.300英寸，7.62mm） | 74LS279 | 三态，无向世 | 4.75V〜5.25V | 16-PDIP | 下载 | 不适用 | 3（168）） | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | D | - | 1：1 | - | ||||||||||||||||||||||
| 100179w-mil | 19.3300 | | 754 | 0.00000000 | 国家半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜85°C | 通过洞 | 24-CDIP | 100179 | 24-CDIP | 下载 | 不适用 | 3（168）） | 供应商不确定 | 0000.00.0000 | 1 | 抬头携带发电机 | 4 | -4.2V〜 -5.7V | ||||||||||||||||||||||||||
 | JD54LS83BEA | 8.2700 | | 165 | 0.00000000 | 国家半导体 | * | 大部分 | 积极的 | 54LS83 | - | 不适用 | 3（168）） | 供应商不确定 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | JM54AC299BRA | 21.1300 | | 27 | 0.00000000 | 国家半导体 | 54AC | 大部分 | 积极的 | -55°C〜125°C | 通过洞 | 20-CDIP （0.300英寸，7.62mm） | 54AC299 | 三州 | 2v〜6V | 20-Cerdip | 下载 | 不适用 | 3（168）） | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 换档 | 1 | 8 | 普遍的 | ||||||||||||||||||||||
 | 54LS160AFM | 1.4900 | | 1 | 0.00000000 | 国家半导体 | * | 大部分 | 积极的 | 54LS160 | - | 不适用 | 3（168）） | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| DM74164N | - | | 3021 | 0.00000000 | 国家半导体 | 7400 | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C | 通过洞 | 14 浸（0.300英寸，7.62mm） | DM74164 | 推扣 | 4.75V〜5.25V | 14-PDIP | 下载 | Rohs不合规 | 3（168）） | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 换档 | 1 | 8 | 串行到平行 | ||||||||||||||||||||||
 | 96L02DC | 4.0000 | | 2 | 0.00000000 | 国家半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C | 通过洞 | 16-CDIP （0.300英寸，7.62mm） | 4.75 v〜5.25 v | 16-CDIP | 下载 | 不适用 | 3（168）） | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 单个 | 4.8mA，360µa | 不 | 2 | 80 ns | |||||||||||||||||||||||
| DM7417N | 0.1500 | | 4 | 0.00000000 | 国家半导体 | 7400 | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C（TA） | 通过洞 | 14 浸（0.300英寸，7.62mm） | DM7417 | - | 打开收藏首页 | 4.75V〜5.25V | 14-PDIP | 下载 | Rohs不合规 | 3（168）） | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 缓冲，无变形 | 6 | 1 | - ，40mA | |||||||||||||||||||||
 | 54LS377LM | 4.4600 | | 274 | 0.00000000 | 国家半导体 | * | 大部分 | 积极的 | 54LS377 | - | 不适用 | 3（168）） | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| DM7842J/883 | - | | 9645 | 0.00000000 | 国家半导体 | * | 大部分 | 积极的 | DM7842 | - | 不适用 | 3（168）） | 供应商不确定 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | JM38510/34106B2A | - | | 1509 | 0.00000000 | 国家半导体 | 54f | 大部分 | 积极的 | -55°C〜125°C（TA） | 表面安装 | 20-CLCC | D | JM38510 | 三态，倒置 | 4.5V〜5.5V | 20-LCCC（8.89x8.89） | 下载 | 不适用 | 3（168）） | 供应商不确定 | 0000.00.0000 | 1 | 1 | 8 | 3mA，20mA | 标准 | 60 MHz | 正优势 | 11NS @ 5V，50pf | 86 MA | ||||||||||||||||||
| DM7414N | 0.3400 | | 20 | 0.00000000 | 国家半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C | 通过洞 | 14 浸（0.300英寸，7.62mm） | 施密特触发输入 | DM7414 | 6 | 4.75V〜5.25V | 14-PDIP | 下载 | Rohs不合规 | 3（168）） | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 逆变器 | 800µA，16mA | 60 ma | 1 | 22ns @ 5v，15pf | 1.1V | 2V | ||||||||||||||||||
| 93S46L1M | 16.3400 | | 3 | 0.00000000 | 国家半导体 | * | 大部分 | 积极的 | 93S46 | - | 不适用 | 3（168）） | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| JM38510/34603BSA | 25.7900 | | 637 | 0.00000000 | 国家半导体 | * | 大部分 | 积极的 | JM38510 | - | 不适用 | 3（168）） | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 54LS112LM | 1.6600 | | 1543年 | 0.00000000 | 国家半导体 | * | 大部分 | 积极的 | 54LS112 | - | 不适用 | 3（168）） | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DS10CP154TSQ/NOPB | 3.0200 | | 176 | 0.00000000 | 国家半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C | 表面安装 | 40-WFQFN暴露垫 | 跨点开关 | DS10CP154 | 3v〜3.6V | 40-wqfn（6x6） | - | 不适用 | 3（168）） | 供应商不确定 | 0000.00.0000 | 1 | - | 单供应 | 1 x 4：4 | 1 | |||||||||||||||||||||||
| JD54LS86B2A | 7.4700 | | 1724年 | 0.00000000 | 国家半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 54LS86 | 下载 | 不适用 | 3（168）） | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| DM7216J/883 | - | | 8569 | 0.00000000 | 国家半导体 | * | 大部分 | 积极的 | DM7216 | - | 不适用 | 3（168）） | 供应商不确定 | 1 |
2000+
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