FDD850N10L ONSEMI / FAIRCHILD |低 /中电压MOSFET：N-MOSFET |单极

Onmi/Fairchild FDD850N10L+bom

这Onmi/Fairchild FDD850N10L是专为低/中型电压应用而设计的N通道MOSFET。它具有高级沟渠技术，可用于低阻力，减少传导损失。凭借快速的开关速度和良好的雪崩坚固度，它可以很好地处理电压飙升。它的标准化软件包简化了电路设计，适用于各种电源管理任务。

Onmi / FairchildFDD850N10L的功能

1。设备结构与操作

增强模式N通道MOSFET，可在电路中可靠的开关和放大。

针对低门电荷和快速开关速度进行了优化，从而在高频应用中有效地传递了能量转移。

2。性能和效率

低抗性（RDS（ON））以最大程度地减少传导损失并提高整体系统效率。

在瞬态负载条件下，高潮电流能力可鲁棒的操作。

3。可靠性和鲁棒性

采用先进的沟渠技术建造，以增强热稳定性并承受严酷的操作环境。

防止常见故障模式，例如热失控和雪崩故障，以实现长期可靠性。

4。应用和设计灵活性

适用于DC-DC转换器，电动机，电池管理系统和一般电源交换申请。

标准软件包（例如，TO-220或类似），以便于集成到现有电路布局中。

5。环境与合规性

遵守国际环境标准，不含铅和ROHS。

无卤素包装（如果适用）适合环保设计要求。

6。门驱动要求

低门电压驱动能力，简化了使用常见的微控制器或驱动程序IC输出的接口。

Onmi / Fairchild FDD850N10L的应用程序

在消费器具领域：在诸如空调，洗衣机和微波炉等产品的电源管理电路中，FDD850N10L可以利用其低耐性特征来减少功耗，提高电器的能源效率并实现节能效应。它的快速开关特性还有助于优化电源转换效率，稳定电源并确保设备的稳定操作。
在LED电视和监视器的领域：它用于这些设备的电路中，将输入电压转换为适合LED背光和主板的稳定电压。低门充电和快速切换特性可以减少切换过程中的能源损失，提高功率转换效率并降低功耗。低抗性可以降低传导过程中的电压下降，减少热量产生并增强设备的稳定性。
在同步整流领域：FDD850N10L可以在开关电源的同步整流阶段发挥至关重要的作用。由于其抗性低，它可以显着降低整流过程中的功率损失并提高功率效率。快速开关能力使其能够快速响应电路中的信号变化，准确控制电流的传导和截止，并确保同步整流的有效操作。
在不间断电源（UPS）的领域：在UPS的电源转换电路中，FDD850N10L的雪崩测试特性使其在面向突然的电压变化时可以保持稳定的操作，从而避免了由于电压波动而损坏。快速开关特性有助于实现有效的功率转换，确保当电源中断时，它可以快速切换到备份功率模式，以连续为设备提供电源。
在微太阳能逆变器领域：在微太阳逆变器中，FDD850N10L用于将太阳能电池板生成的直流电流转换为交替电流。它的低抗性可以降低能源损失，提高逆变器的转化效率，并使更多太阳能转换为可用的电能。良好的DV/DT功能可以有效地处理太阳能发电期间的电压波动，确保逆变器的稳定运行，并提高光伏发电系统的可靠性。

Onsemi / Fairchild FDD850N10L的属性

系列	PowerTrench®	产品状态	积极的
FET类型	N通道	技术	MOSFET（金属O化物）
排出源电压（VDSS）	100 v	电流 - 连续排水（ID） @ 25°C	15.7a（TC）
驱动电压（最大RDS，最小RDS打开）	5V，10V	rds on（max） @ id，vgs	75MOHM @ 12A，10V
VGS（th）（Max） @ ID	2.5V @ 250µA	门充电（QG）（Max） @ VGS	28.9 NC @ 10 V
VGS（最大）	±20V	输入电容（CISS）（最大） @ vds	1465 PF @ 25 V
功率耗散（最大）	50W（TC）	工作温度	-55°C〜175°C（TJ）
安装类型	表面安装	供应商设备包	TO-252AA
包装 /案例	TO-252-3，DPAK（2 Leads + Tab），SC-63	基本产品编号	FDD850

Onemi / Fairchild FDD850N10L的数据表

Onemi / Fairchild FDD850N10L'SSYMBOL，足迹和3D模型

ECAD Model Of FDD850N10L onsemi.png

Onmi / Fairchild FDD850N10L的类别 - 低 /中电压MOSFET

低/中电压MOSFET是现代电子中的关键组件。在电压频谱中运行通常从20V到200V左R，它们处理了有效的功率开关和信号放大等任务。这些MOSFET在低功耗和高开关速度至关重要的应用中闪耀。它们的低抗性特性可最大程度地减少功率损失，使其非常适合电池操作的小工具，例如智能手机和平板电脑。它们在DC-DC转换器中也至关重要，可确保稳定的电压转换。在电动机控制系统中，低/中型电压MOSFET可实现精确的速度和扭矩调节。在工业环境中，它们用于可编程逻辑控制器中，以进行平滑操作。
在此类别中值得注意的选项之一是Onmi / Fairchild FDD850N10L。它是一种N通道MOSFET，旨在在低压，高效的情况下表现出色。在25°C下的100V排水量电压额定值和85A连续的排水电流时，它脱颖而出。它的超低抗性仅为3.2MΩ（典型）10V门驱动器下的传导损失。该装置以热增强的TO-220-3封装，可有效散发热量。它的快速开关速度和低门充电使其成为DC-DC转换器和电动机驱动器等应用的首选，可提供高性能和可靠性。

FDD850N10L的制造商 - Onmi / Fairchild

Onsemi和Fairchild在该领域取得了非凡的成就低/中电压MOSFET（金属 - O化物 - O化型晶体管晶体管）。
技术创新：他们不断地探索新的过程和架构，利用先进的战theky技术大大降低了现场抗性，从而提高了功率转换效率并最大程度地减少了能源损失。他们的产品具有极低的门电荷和反向传输电容，从而实现了支持高频操作的纳秒开关速度，同时有效地抑制了电磁干扰（EMI）。
产品应用：它们的MOSFET广泛用于消费电子，工业控制和新能源领域。在消费电子产品中，它们促进了智能手机快速充电器的小型化，并延长了可穿戴设备中的电池寿命。在工业控制中，它们可以实现精确的电机控制和稳定的信号传输。在新的能源应用中，他们优化了分布式储能系统和电动汽车（EV）电池管理的效率。
市场领导：以客户高度认可性能和可靠性而闻名，Onsemi/Fairchild产品是全球工程师的首选选择。例如，经典的FDD850N10L以低传导损失，强大的雪崩坚固性和易于设计集成设定了性能基准，从而巩固了他们作为低/中电压MOSFET解决方案中行业领导者的地位。

NVD6416ANT4G替代零件：FDD850N10L

属性
型号	NVD6416ANT4G+bom	FDD850N10L+bom
制造商：	在半导体上	在半导体上
描述：	MOSFET N-CH 100V 17A DPAK	MOSFET 100V N通道强力沟MOSFET
生命周期状态：	终生（最后更新：1周前）	活跃（最后更新：1天前）
工厂交货T：	10周	8周
安装类型：	表面安装	表面安装
软件包 /案例：	TO-252-3，DPAK（2 Leads + Tab），SC-63	TO-252-3，DPAK（2 Leads + Tab），SC-63
表面安装：	是的	-
引脚数：	4	3
晶体管元素材料：	硅	硅
电流 - 连续排水（ID） @ 25℃：	17a TC	15.7A TC
驱动电压（最大rds on，min rds打开）：	10V	5V 10V
元素数：	1	1
功率耗散（最大）：	71W TC	50W TC
关闭延迟T：	24 ns	27 NS
工作温度：	-55°C〜175°C TJ	-55°C〜175°C TJ
包装：	胶带和卷轴（TR）	胶带和卷轴（TR）
发布：	2012	2010
JESD-609代码：	E3	E3
PBFree代码：	是的	是的
零件状态：	过时的	积极的
水分灵敏度水平（MSL）：	1（无限）	1（无限）
终止数：	2	2
ECCN代码：	Ear99	Ear99
终端完成：	锡（SN）	锡（SN）
终端形式：	鸥翼	鸥翼
引脚计数：	4	-
参考标准：	AEC-Q101	-
JESD-30代码：	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2
元素配置：	单身的	单身的
操作模式：	增强模式	增强模式
功率耗散：	71W	50W
案例连接：	流走