这Onmi/Fairchild FDD850N10L是专为低/中型电压应用而设计的N通道MOSFET。它具有高级沟渠技术，可用于低阻力，减少传导损失。凭借快速的开关速度和良好的雪崩坚固度，它可以很好地处理电压飙升。它的标准化软件包简化了电路设计，适用于各种电源管理任务。
Onmi / FairchildFDD850N10L的功能
1。设备结构与操作
- 增强模式N通道MOSFET，可在电路中可靠的开关和放大。
- 针对低门电荷和快速开关速度进行了优化，从而在高频应用中有效地传递了能量转移。
2。性能和效率
- 低抗性（RDS（ON））以最大程度地减少传导损失并提高整体系统效率。
- 在瞬态负载条件下，高潮电流能力可鲁棒的操作。
3。可靠性和鲁棒性
- 采用先进的沟渠技术建造，以增强热稳定性并承受严酷的操作环境。
- 防止常见故障模式，例如热失控和雪崩故障，以实现长期可靠性。
4。应用和设计灵活性
- 适用于DC-DC转换器，电动机，电池管理系统和一般电源交换申请。
- 标准软件包（例如，TO-220或类似），以便于集成到现有电路布局中。
5。环境与合规性
- 遵守国际环境标准，不含铅和ROHS。
- 无卤素包装（如果适用）适合环保设计要求。
6。门驱动要求
- 低门电压驱动能力，简化了使用常见的微控制器或驱动程序IC输出的接口。
Onmi / Fairchild FDD850N10L的应用程序
在消费电器领域：在诸如空调，洗衣机和微波炉等产品的电源管理电路中，FDD850N10L可以利用其低抗性特征来降低功耗，提高电器的能源效率，并实现节能效应。它的快速开关特性还有助于优化电源转换效率，稳定电源并确保设备的稳定操作。
在LED电视和监视器的领域中：用于这些设备的电路中，将输入电压转换为适合LED背光和主板的稳定电压。低门充电和快速切换特性可以减少切换过程中的能源损失，提高功率转换效率并降低功耗。低抗性可以降低传导过程中的电压下降，减少热量产生并增强设备的稳定性。
在同步整流的领域中：FDD850N10L可以在开关电源的同步整流阶段中起着至关重要的作用。由于其抗性低，它可以显着降低整流过程中的功率损失并提高功率效率。快速开关能力使其能够快速响应电路中的信号变化，准确控制电流的传导和截止，并确保同步整流的有效操作。
在不间断的电源（UPS）的领域：在UPS的电源转换电路中，FDD850N10L的雪崩测试特性使其在面对突然的电压变化时可以保持稳定的操作，从而避免了由于电压波动而导致的损坏。快速开关特性有助于实现有效的功率转换，确保当电源中断时，它可以快速切换到备份功率模式，以连续为设备提供电源。
在微太阳逆变器的领域：在微太阳逆变器中，FDD850N10L用于将太阳能电池板生成的直流电流转换为交替的电流。它的低抗性可以降低能源损失，提高逆变器的转化效率，并使更多太阳能转换为可用的电能。良好的DV/DT功能可以有效地处理太阳能发电期间的电压波动，确保逆变器的稳定运行，并提高光伏发电系统的可靠性。
Onsemi / Fairchild FDD850N10L的属性
| 系列 | PowerTrench® | 产品状态 | 积极的 |
| FET类型 | N通道 | 技术 | MOSFET（金属O化物） |
| 排出源电压（VDSS） | 100 v | 电流 - 连续排水（ID） @ 25°C | 15.7a（TC） |
| 驱动电压（最大RDS，最小RDS打开） | 5V，10V | rds on（max） @ id，vgs | 75MOHM @ 12A，10V |
| VGS（th）（Max） @ ID | 2.5V @ 250µA | 门充电（QG）（Max） @ VGS | 28.9 NC @ 10 V |
| VGS（最大） | ±20V | 输入电容（CISS）（最大） @ vds | 1465 PF @ 25 V |
| 功率耗散（最大） | 50W（TC） | 工作温度 | -55°C〜175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面安装 | 供应商设备包 | TO-252AA |
| 包装 /案例 | TO-252-3，DPAK（2 Leads + Tab），SC-63 | 基本产品编号 | FDD850 |
Onemi / Fairchild FDD850N10L的数据表
Onemi / Fairchild FDD850N10L'SSYMBOL，足迹和3D模型
Onmi / Fairchild FDD850N10L的类别 - 低 /中电压MOSFET
在追求效率，紧凑性和可靠性的电子系统的现代趋势中，低/中型电压MOSFET（金属 - O化物 - O化型野外效应晶体管）已成为连接功率源和负载的关键枢纽，这要归功于它们的出色伏特控制能力和能源管理的优势。这些电力设备在低压（<50V）到中型电压（50V至400V）的电压范围内，通过低损失，高频响应和灵活的适应性，全球电子行业促进更大的效率和情报，可以促进消费电子，工业控制和新能源领域的技术创新。
I.低/中电压MOSFET的核心技术优势
低/中电压MOSFET的技术值源于设备结构和材料过程的深入优化：
1。精确的电压控制和低传导损耗
绝缘栅极设计最大程度地将门驱动功率最小化至接近零，从而仅使用微弱电压信号来实现大电流开关。先进的沟槽技术（例如电力沟槽体系结构）大大降低了现场抗性，最大程度地减少了转化为热量的能量损失，并显着提高了功率转换效率，这是对能量敏感的便携式设备和高密度功率模块的理想。
2。高频切换和稳定的性能
极低的门电荷和反向传输电容授予纳秒级开关速度，支持高频操作。结合客户高度认可DV/DT公差，它们抑制了电压尖峰和电磁干扰（EMI），为精确电路提供了稳定的信号环境。这对于高频应用等高频充电和LED照明驱动器至关重要。
3。适应环境改编的强大设计
增强的雪崩故障可承受能力和温度稳定性，使这些MOSFET可以通过电感载荷开关（例如，电动机开始/停止，继电器，继电器操作）和广泛的波动（-40°C至 +125°C）处理电感载荷的电压，在HARSH条件下可确保长期的长期可靠性。
ii。各行业的多种应用
低/中电压MOSFET的灵活性使它们成为跨部门的核心组件：
1。消费电子和移动设备
在用于智能手机和笔记本电脑电源适配器的快速充电器中，它们的高频切换使较小的电感器和电容器可驱动小型化。在诸如TWS耳塞和智能手表之类的可穿戴设备中，低静态功率可以延长电池寿命，并与“轻巧且便携式”的设计目标保持一致。
2。工业控制和自动化
作为电动机驱动器中的核心组件，精确的脉冲宽度调制（PWM）支持对伺服和步进运动速度和扭矩的细粒控制，从而减少了机械振动。在PLC（可编程逻辑控制器）和传感器界面中，可靠的开关可确保信号传输稳定，并提高工业自动化水平。
3。新能量和绿色技术
在分布式储能系统和微太阳逆变器中，它们有效地处理直流达DC转换以减少能量传输损耗。在电动汽车电池管理系统（BMS）中，它们实时监视电池状态，并控制电荷/放电循环，以确保安全有效的电池操作以增强电动汽车范围。
iii。 OnMi/Fairchild FDD850N10L：低/中电压MOSFET的基准
作为Onsemi的Fairchild制造商的经典产品，FDD850N10L N通道MOSFET整合了低/中电压设备的核心优势，使其成为有效电源管理的理想选择：
1。能源效率优化的顶峰
先进的沟槽技术实现了极低的传导损失，快速开关提高了DC-DC转换器和同步整流电路的效率，减少了系统的热量 - 最关键的能源消费电器和工业电力设计的完美。
2。在所有情况下的可靠性
为复杂的电气环境而设计的雪崩抗性结构可承受电感载荷的电压飙升，从而确保在不间断的电源（UPS）和电动机驱动器等应用中稳定的长期操作。符合ROHS的无铅技术符合全球绿色设计标准。
3。简化的设计集成
标准化包装（例如，TO-220）可以通过现有电路布局进行无缝集成，低门驱动电压要求与主流微控制器和驱动程序IC兼容，简化外围电路设计，缩短研发循环以及降低总体成本。
从消费电子产品的小型化到工业设备的高可靠性需求，低/中型电压MOSFET继续通过技术突破来满足全球对“效率，可靠性和可持续性”的需求。 Onemi/Fairchild FDD850N10L具有卓越的损失控制，可靠性和易用性平衡，不仅为传统部门提供了可靠的效率解决方案，而且还表现出在物联网和新能源车辆等新兴领域的强大适应性。由于全球电子行业需要更高的性能设备，因此这些组件将是核心的构建基础，赋予工程师能力，以创造更智能，更有效的未来电子系统。
FDD850N10L的制造商 - Onmi / Fairchild
Onmi和Fairchild在低/中电压MOSFET（金属 - O化物 - O化物 - 磁导体场效应晶体管）领域取得了显着成就。
技术创新：他们不断地探索新的过程和架构，利用先进的战theky技术大大降低了现场抗性，从而提高了功率转换效率并最大程度地减少了能源损失。他们的产品具有极低的门电荷和反向传输电容，从而实现了支持高频操作的纳秒开关速度，同时有效地抑制了电磁干扰（EMI）。
产品应用：它们的MOSFET广泛用于消费电子，工业控制和新能源领域。在消费电子产品中，它们促进了智能手机快速充电器的小型化，并延长了可穿戴设备中的电池寿命。在工业控制中，它们可以实现精确的电机控制和稳定的信号传输。在新的能源应用中，他们优化了分布式储能系统和电动汽车（EV）电池管理的效率。
市场领导：以客户高度认可性能和可靠性而闻名，Onsemi/Fairchild产品是全球工程师的首选选择。例如，经典的FDD850N10L以低传导损失，强大的雪崩坚固性和易于设计集成设定了性能基准，从而巩固了他们作为低/中电压MOSFET解决方案中行业领导者的地位。
NVD6416ANT4G替代零件：FDD850N10L
| 隐藏共享属性 |  |  |
| 型号 | NVD6416ANT4G+bom | FDD850N10L+bom |
| 制造商： | 在半导体上 | 在半导体上 |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 17A DPAK | MOSFET 100V N通道强力沟MOSFET |
| 生命周期状态： | 终生（最后更新：1周前） | 活跃（最后更新：1天前） |
| 工厂交货T： | 10周 | 8周 |
| 安装类型： | 表面安装 | 表面安装 |
| 软件包 /案例： | TO-252-3，DPAK（2 Leads + Tab），SC-63 | TO-252-3，DPAK（2 Leads + Tab），SC-63 |
| 表面安装： | 是的 | - |
| 引脚数： | 4 | 3 |
| 晶体管元素材料： | 硅 | 硅 |
| 电流 - 连续排水（ID） @ 25℃： | 17a TC | 15.7A TC |
| 驱动电压（最大rds on，min rds打开）： | 10V | 5V 10V |
| 元素数： | 1 | 1 |
| 功率耗散（最大）： | 71W TC | 50W TC |
| 关闭延迟T： | 24 ns | 27 NS |
| 工作温度： | -55°C〜175°C TJ | -55°C〜175°C TJ |
| 包装： | 胶带和卷轴（TR） | 胶带和卷轴（TR） |
| 发布： | 2012 | 2010 |
| JESD-609代码： | E3 | E3 |
| PBFree代码： | 是的 | 是的 |
| 零件状态： | 过时的 | 积极的 |
| 水分灵敏度水平（MSL）： | 1（无限） | 1（无限） |
| 终止数： | 2 | 2 |
| ECCN代码： | Ear99 | Ear99 |
| 终端完成： | 锡（SN） | 锡（SN） |
| 终端形式： | 鸥翼 | 鸥翼 |
| 引脚计数： | 4 | - |
| 参考标准： | AEC-Q101 | - |
| JESD-30代码： | R-PSSO-G2 | R-PSSO-G2 |
| 元素配置： | 单身的 | 单身的 |
| 操作模式： | 增强模式 | 增强模式 |
| 功率耗散： | 71W | 50W |
| 案例连接： | 流走 | 流走 |
| 打开延迟T： | 9.2 ns | 17 ns |
| FET类型： | N通道 | N通道 |
| rds on（max） @ id，vgs： | 81mω @ 17A，10V | 75mω @ 12A，10V |
| VGS（th）（max） @ ID： | 4V @250μA | 2.5V @250μa |
| 输入电容（CISS）（最大） @ vds： | 标签： FDD850N10L ONSEMI / FAIRCHILD
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