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ONSEMI MMBT3904LT3G+bom


Onsemi MMBT3904LT3G是一种广泛使用的NPN硅晶体管。它是ROHS-兼容和AEC -Q101资格,适用于汽车和一般 - 目的电子产品。它以紧凑的SOT -23套件安装,它具有40 V收集器 - 发射器电压等级和200 Ma连续的收集器电流。它是在电路中放大和切换的理想选择,可实现有效的信号处理和电流控制。


Onsemi MMBT3904LT3G的功能

Onsemi的MMBT3904LT3G是一般 - 目的NPN硅晶体管,具有几个显着特征。它是PB-不含卤素/不含卤素/BFR的PB,并且符合ROHS,满足电子产品的环境要求。 “ S”前缀表示其适用于具有独特站点和控制变更要求的汽车和其他应用程序的适用性,并且它具有AEC -Q101合格且PPAP,可确保汽车和相关领域的高可靠性性能。

它包装在SOT -23(至-236)的情况下,它提供了一个紧凑的外形,这对空间有益 - 受约束的电路设计。在电性能方面,它具有40 VDC的收集器 - 发射器电压(VCEO),收集器 - 基本电压(VCBO)为60 VDC,以及Emitter -Base Toltage(VEBO)6.0 VDC。连续的收集器电流(IC)为200 MADC,峰值收集器电流(ICM)可以达到900 MADC,使其适用于各种低至中的电流应用。这些功能使MMBT3904LT3G成为不同电子电路的通用和可靠的选择。


ONSEMI MMBT3904LT3G的应用程序

onemi MMBT3904LT3G是一种用途广泛的NPN硅晶体管,在广泛的应用中发现了广泛使用。在汽车电子产品领域中,其AEC -Q101资格和PPAP功能使其成为理想的选择。它可以用于发动机控制单元,以管理调节发动机功能的电信号。此外,它在汽车照明系统中很有用,它可以控制当前的流动,以确保大灯,尾灯和室内灯的稳定,高效的操作。对于一般 - 目的电子电路,它是一个基本的构建块。在音频放大电路中,MMBT3904LT3G可以增强音频信号。它的小信号特性,例如300 MHz的电流 - 增益 - 带宽产品(FT),使其能够有效处理高频率音频信号。它也用于切换电路。随着切换T相对较低的T,例如延迟T为35 ns,上升T高达35 ns,它可以迅速打开和关闭,使其适用于需要快速信号过渡的应用,例如数字逻辑电路和电源 - 管理系统。

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Onsemi MMBT3904LT3G的属性

地位积极的遵守PBAHP
软件包类型SOT-23-3案例大纲318-08
MSL类型1MSL温度(°C)260
容器类型卷轴集装箱数量。10000
在目标上n极性NPN
类型通用目的vce(sat)max(v)0.3
IC CONT。 (一个)0.2VCEO最小(V)40
VCBO(V)60vebo(v)6
vbe(sat)(v)0.95Hfe Min100
Hfe Max300英尺最小(MHz)300
ptm max(w)0.225定价($/单位)$ 0.0113


Onsemi MMBT3904LT3G的数据表

ONSEMI MMBT3904LT3G's Datasheet.png


Onsemi MMBT3904LT3G的类别单两个双极晶体管

单双极晶体管,也称为田间效应晶体管(FET),是电压控制的设备,其中只有一种类型的电荷载体(多数载体)参与了传导过程。这与使用电子和孔的双极连接晶体管(BJT)相反。
FET根据电场效应的原理运行。例如,在N-通道增强 - 模式MOSFET中,栅极和源之间应用正电压会产生电场。该场在P型基材中排斥大多数载体(孔),并吸引少数载体(电子),形成N-类型的反转层或源和排水管之间的导电通道。通过控制栅极源电压,可以调整此通道的宽度,从而控制排水源电流。
这些晶体管提供了几个优势。它们具有很高的输入阻抗,这意味着它们从输入信号源中吸取了很少的电流。该属性在最小化输入信号的负载效应至关重要的应用中是有益的。他们还消耗了低功率,具有良好的热稳定性,并且对辐射具有高度抗性。此外,在集成电路中,它们占据更少的面积,并且与其他组件相比,它们的制造过程更简单。
单双极晶体管可以分为两种主要类型:绝缘 - 栅场 - 效应晶体管(IGFET),通常称为金属 - O化物 - 半导体场 - 效应晶体管(MOSFET)和结场 - 效应效果晶体管(JFETS)。 MOSFET可以进一步分为N-通道和P-通道类型,以及增强模式和耗尽模式。

在可用的众多单双极晶体管中,Onsemi MMBT3904LT3G是一般的 - 目的NPN硅晶体管。由于其合适的电气特性,包括最大收集器 - 发射器电压为40 V,最大收集器电流为200 Ma,并且过渡频率为300 MHz,因此广泛用于各种应用中,例如信号扩增和开关电路。


MMBT3904LT3G与MMBTA06LT1G

图片         MMBT3904LT3G.pngSMMBTA06LT1G.png
型号MMBT3904LT3G+bomMMBTA06LT1G+bom
制造商OnmiOnmi
包裹SOT23-3SOT23-3
描述200mA NPN双极晶体管
能够处理高达60V
小信号双极晶体管NPN,
硅,TO-236,0.5AI(C),80V V(BR)首席执行官
库存46816076
零件状态积极的积极的
遵守PBAHPPBAHP
案例大纲318-08318-08
MSL类型11
MSL温度(°C)260260
容器类型卷轴卷轴
集装箱数量。100003000
在目标上nn
极性NPNNPN
制造商类型通用目的通用目的
vce(sat)max(v)0.30.25
IC CONT。 (一个)0.20.5
VCEO最小(V)4080
VCBO(V)6080
vebo(v)64
Hfe Min100100
英尺最小(MHz)300100
ptm max(w)0.2250.225
定价($/单位)$ 0.0113$ 0.0165Smamp
vbe(on)(v)1.2
vbe(sat)(v)0.95
Hfe Max300


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