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离散半导体产品（（4657）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	电流 -io（io）	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）
GBU806-G	1.0304	RFQ	6015	comchip技术	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBU	GBU806	标准	gbu	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	20	1 V @ 4 A	10 µA @ 600 V	8 a	单相	600 v
GBU408-G	0.8510	RFQ	5008	comchip技术	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBU	GBU408	标准	gbu	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	20	1 V @ 2 A	10 µA @ 800 V	4 a	单相	800 v
GBJ25005-03-G	1.5677	RFQ	5332	comchip技术	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBJ	GBJ25005	标准	GBJ	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	15	1 V @ 12.5 A	10 µA @ 50 V	25 a	单相	50 V
GBJ2502-04-G	1.5677	RFQ	3794	comchip技术	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBJ	GBJ2502	标准	GBJ	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	15	1 V @ 12.5 A	10 µA @ 200 V	25 a	单相	200 v
GBU2510-G	1.8700	RFQ	25	comchip技术	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBU	GBU2510	标准	gbu	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	20	1 V @ 12.5 A	10 µA @ 1000 V	25 a	单相	1 kV
GBJ2501-04-G	1.5677	RFQ	2839	comchip技术	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBJ	GBJ2501	标准	GBJ	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	15	1 V @ 12.5 A	10 µA @ 100 V	4.2 a	单相	100 v
GBJ2504-03-G	1.5677	RFQ	8424	comchip技术	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBJ	GBJ2504	标准	GBJ	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	15	1 V @ 12.5 A	10 µA @ 400 V	25 a	单相	400 v
GBJ2506-06-G	1.1023	RFQ	6707	comchip技术	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBJ	GBJ2506	标准	GBJ	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	15	1 V @ 12.5 A	10 µA @ 600 V	25 a	单相	600 v
KBPC2510W-G	6.4852	RFQ	2206	comchip技术	-	托盘	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，KBPC-W	KBPC2510	标准	KBPC-W	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	100	1.1 V @ 12.5 A	10 µA @ 1000 V	25 a	单相	1 kV
KBU1002-G	1.2250	RFQ	8838	comchip技术	-	大部分	积极的	-55°C〜125°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbu	KBU1002	标准	KBU	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	400	1 V @ 5 A	10 µA @ 200 V	10 a	单相	200 v
KBPC3508-G	10.5800	RFQ	97	comchip技术	-	托盘	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	QC终端	4平方，KBPC	KBPC3508	标准	KBPC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	50	1.1 V @ 17.5 A	10 µA @ 800 V	35 a	单相	800 v
KBPC5010-G	2000年11月11日	RFQ	2	comchip技术	-	托盘	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	QC终端	4平方，KBPC	KBPC5010	标准	KBPC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	50	1.1 V @ 25 A	5 µA @ 1000 V	50 a	单相	1 kV
GBJ2510-05-G	1.5922	RFQ	6509	comchip技术	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBJ	GBJ2510	标准	GBJ	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	15	1 V @ 12.5 A	10 µA @ 1000 V	25 a	单相	1 kV
KBPC1002W-G	6.0791	RFQ	5640	comchip技术	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，KBPC-W	KBPC1002	标准	KBPC-W	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	100	1.1 V @ 5 A	10 µA @ 200 V	10 a	单相	200 v
KBPC10005W-G	6.0791	RFQ	7224	comchip技术	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，KBPC-W	KBPC10005	标准	KBPC-W	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	100	1.1 V @ 5 A	10 µA @ 50 V	10 a	单相	50 V
GBPC1504W-G	-	RFQ	1609年	comchip技术	-	托盘	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，GBPC-W	GBPC1504	标准	GBPC-W	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	100	1.1 V @ 7.5 A	10 µA @ 400 V	15 a	单相	400 v
GBU4005-G	0.8510	RFQ	7116	comchip技术	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBU	GBU4005	标准	gbu	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	20	1 V @ 2 A	10 µA @ 50 V	4 a	单相	50 V
GBPC2504-G	2.9250	RFQ	9535	comchip技术	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	QC终端	4平方英尺，GBPC	GBPC2504	标准	GBPC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	50	1.1 V @ 12.5 A	5 µA @ 400 V	25 a	单相	400 v
KBPC1006W-G	9.3300	RFQ	114	comchip技术	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，KBPC-W	KBPC1006	标准	KBPC-W	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	100	1.1 V @ 5 A	10 µA @ 600 V	10 a	单相	600 v
KBPC1004-G	9.3300	RFQ	23	comchip技术	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	QC终端	4平方，KBPC	KBPC1004	标准	KBPC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	50	1.1 V @ 5 A	10 µA @ 400 V	10 a	单相	400 v
KBL4005-G	0.5124	RFQ	5778	comchip技术	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，KBL	KBL4005	标准	KBL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	500	1.1 V @ 4 A	10 µA @ 50 V	4 a	单相	50 V
KBPC1501W-G	6.2806	RFQ	4018	comchip技术	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，KBPC-W	KBPC1501	标准	KBPC-W	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	100	1.1 V @ 7.5 A	5 µA @ 1000 V	15 a	单相	100 v
GBU2508-G	1.1684	RFQ	3897	comchip技术	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBU	GBU2508	标准	gbu	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	20	1 V @ 12.5 A	10 µA @ 800 V	4.2 a	单相	800 v
GBJ2506-04-G	1.1023	RFQ	7387	comchip技术	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBJ	GBJ2506	标准	GBJ	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	15	1 V @ 12.5 A	10 µA @ 600 V	25 a	单相	600 v
GBPC2501-G	2.9250	RFQ	4078	comchip技术	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	QC终端	4平方英尺，GBPC	GBPC2501	标准	GBPC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	50	1.1 V @ 12.5 A	10 µA @ 100 V	25 a	单相	100 v
GBPC1508W-G	-	RFQ	6426	comchip技术	-	托盘	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，GBPC-W	GBPC1508	标准	GBPC-W	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	100	1.1 V @ 7.5 A	10 µA @ 800 V	15 a	单相	800 v
GBPC1502W-G	-	RFQ	8449	comchip技术	-	托盘	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，GBPC-W	GBPC1502	标准	GBPC-W	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	100	1.1 V @ 7.5 A	10 µA @ 200 V	15 a	单相	200 v
KBU1008-G	1.2250	RFQ	2081	comchip技术	-	大部分	积极的	-55°C〜125°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbu	KBU1008	标准	KBU	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	400	1 V @ 5 A	10 µA @ 600 V	10 a	单相	800 v
KBPC3502-G	10.5800	RFQ	171	comchip技术	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	QC终端	4平方，KBPC	KBPC3502	标准	KBPC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	50	1.1 V @ 17.5 A	10 µA @ 200 V	35 a	单相	200 v
KBPC15005W-G	6.2806	RFQ	8913	comchip技术	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，KBPC-W	KBPC15005	标准	KBPC-W	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	100	1.1 V @ 7.5 A	5 µA @ 50 V	15 a	单相	50 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（4657）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²