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离散半导体产品（（4657）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 fet （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） （（dc）（vr）（vr）（最大） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 二极管类型 电压 -峰值反向（最大） 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） （（ZZT））
CDBVFHT160-HF Comchip Technology CDBVFHT160-HF -
RFQ
 ECAD 9660 0.00000000 comchip技术 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 2-SMD，平坦的铅 肖特基 SOD-323st - rohs3符合条件 （1 （无限） 641-CDBVFHT160-HFTR Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 60 V 680 mv @ 1 a 200 µA @ 60 V -55°C〜150°C 1a -
ABS1-G Comchip Technology ABS1-G -
RFQ
 ECAD 9238 0.00000000 comchip技术 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 4-SMD，鸥翼 标准 腹肌 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 641-ABS1-GTR Ear99 8541.10.0080 5,000 1.1 V @ 1 A 5 µA @ 100 V 1 a 单相 100 v
ABS2-G Comchip Technology ABS2-G -
RFQ
 ECAD 7432 0.00000000 comchip技术 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 4-SMD，鸥翼 标准 腹肌 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 641-ABS2-GTR Ear99 8541.10.0080 5,000 1.1 V @ 1 A 5 µA @ 200 V 1 a 单相 200 v
CZRL55C18-G Comchip Technology CZRL55C18-G -
RFQ
 ECAD 6672 0.00000000 comchip技术 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 ±6.39％ 175°C（TJ） 表面安装 DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80 500兆 SOD-80最小 - rohs3符合条件 （1 （无限） 641-CZRL55C18-GTR Ear99 8541.10.0050 2,500 1.5 V @ 200 ma 100 na @ 13 V 18 V 50欧姆
CZRL55C75-G Comchip Technology CZRL55C75-G -
RFQ
 ECAD 8663 0.00000000 comchip技术 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 ±6％ 175°C（TJ） 表面安装 DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80 500兆 SOD-80最小 - rohs3符合条件 （1 （无限） 641-CZRL55C75-GTR Ear99 8541.10.0050 2,500 1.5 V @ 200 ma 100 na @ 56 V 75 v 200欧姆
CZRL55C11-G Comchip Technology CZRL55C11-G -
RFQ
 ECAD 8013 0.00000000 comchip技术 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 ±5.45％ 175°C（TJ） 表面安装 DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80 500兆 SOD-80最小 - rohs3符合条件 （1 （无限） 641-CZRL55C11-GTR Ear99 8541.10.0050 2,500 1.5 V @ 200 ma 100 na @ 8.2 V 11 V 20欧姆
CZRL55C68-G Comchip Technology CZRL55C68-G -
RFQ
 ECAD 9950 0.00000000 comchip技术 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 ±5.88％ 175°C（TJ） 表面安装 DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80 500兆 SOD-80最小 - rohs3符合条件 （1 （无限） 641-CZRL55C68-GTR Ear99 8541.10.0050 2,500 1.5 V @ 200 ma 100 na @ 51 V 68 v 200欧姆
CZRL55C3V9-G Comchip Technology CZRL55C3V9-G -
RFQ
 ECAD 6186 0.00000000 comchip技术 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 ±5.13％ 175°C（TJ） 表面安装 DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80 500兆 SOD-80最小 - rohs3符合条件 （1 （无限） 641-CZRL55C3V9-GTR Ear99 8541.10.0050 2,500 1.5 V @ 200 ma 2 µA @ 1 V 3.9 v 90欧姆
GBJ3508-G Comchip Technology GBJ3508-G -
RFQ
 ECAD 2486 0.00000000 comchip技术 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，GBJ 标准 GBJ - 641-GBJ3508-G Ear99 8541.10.0080 1 1.1 V @ 17.5 A 10 µA @ 800 V 35 a 单相 800 v
W005MG-G Comchip Technology W005mg-g -
RFQ
 ECAD 8466 0.00000000 comchip技术 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4圆形，WOBM 标准 WOBM - 641-W005MG-G Ear99 8541.10.0080 1 1.1 V @ 1.5 A 10 µA @ 50 V 1.5 a 单相 50 V
W06MG-G Comchip Technology W06mg-g -
RFQ
 ECAD 8315 0.00000000 comchip技术 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4圆形，WOBM 标准 WOBM - 641-W06mg-g Ear99 8541.10.0080 1 1.1 V @ 1.5 A 10 µA @ 600 V 1.5 a 单相 600 v
GBJ1506-G Comchip Technology GBJ1506-G -
RFQ
 ECAD 8633 0.00000000 comchip技术 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，GBJ 标准 GBJ - 641-GBJ1506-G Ear99 8541.10.0080 1 1 V @ 7.5 A 10 µA @ 600 V 15 a 单相 600 v
KBU806-G Comchip Technology KBU806-G -
RFQ
 ECAD 3726 0.00000000 comchip技术 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-sip，kbu 标准 KBU - 641-KBU806-G Ear99 8541.10.0080 1 1 V @ 4 A 10 µA @ 600 V 8 a 单相 600 v
BR1008MSG-G Comchip Technology BR1008msg-g -
RFQ
 ECAD 8821 0.00000000 comchip技术 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4平方英尺，BR-6 BR1008 标准 BR-6 下载 641-BR1008MSG-G Ear99 8541.10.0080 1 1.1 V @ 5 A 10 µA @ 800 V 10 a 单相 800 v
GBJ1504-G Comchip Technology GBJ1504-G -
RFQ
 ECAD 9427 0.00000000 comchip技术 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，GBJ 标准 GBJ - 641-GBJ1504-G Ear99 8541.10.0080 1 1 V @ 7.5 A 10 µA @ 400 V 15 a 单相 400 v
BR15005-G Comchip Technology BR15005-G -
RFQ
 ECAD 1676年 0.00000000 comchip技术 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） QC终端 4平方 标准 br - 641-BR15005-G Ear99 8541.10.0080 1 1.1 V @ 7.5 A 10 µA @ 50 V 15 a 单相 50 V
BR1006MSG-G Comchip Technology BR1006MSG-G -
RFQ
 ECAD 6019 0.00000000 comchip技术 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4平方英尺，BR-6 BR1006 标准 BR-6 下载 641-BR1006MSG-G Ear99 8541.10.0080 1 1.1 V @ 5 A 10 µA @ 600 V 10 a 单相 600 v
GBJ35005-G Comchip Technology GBJ35005-g -
RFQ
 ECAD 4927 0.00000000 comchip技术 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，GBJ 标准 GBJ - 641 GBJ35005-G Ear99 8541.10.0080 1 1.1 V @ 17.5 A 10 µA @ 50 V 35 a 单相 50 V
KBU810-G Comchip Technology KBU810-G -
RFQ
 ECAD 7273 0.00000000 comchip技术 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-sip，kbu 标准 KBU - 641-KBU810-G Ear99 8541.10.0080 1 1 V @ 4 A 10 µA @ 1000 V 8 a 单相 1 kV
W08MG-G Comchip Technology W08mg-g -
RFQ
 ECAD 9832 0.00000000 comchip技术 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4圆形，WOBM 标准 WOBM - 641-W08mg-g Ear99 8541.10.0080 1 1.1 V @ 1.5 A 10 µA @ 800 V 1.5 a 单相 800 v
CMS03P06T6-HF Comchip Technology CMS03P06T6-HF 0.2077
RFQ
 ECAD 5296 0.00000000 comchip技术 * 大部分 积极的 - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000
W01MG-G Comchip Technology W01mg-g -
RFQ
 ECAD 7654 0.00000000 comchip技术 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4圆形，WOBM 标准 WOBM - 641-W01MG-G Ear99 8541.10.0080 1 1.1 V @ 1.5 A 10 µA @ 100 V 1.5 a 单相 100 v
CMS42N06V8-HF Comchip Technology CMS42N06V8-HF -
RFQ
 ECAD 9043 0.00000000 comchip技术 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn MOSFET （金属 o化物） 8-pdfn（Spr-pak）（3.3x3.3） - rohs3符合条件 （1 （无限） 641-CMS42N06V8-HFTR Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 60 V 42A（TC） 4.5V，10V 12mohm @ 10a，10v 2.2V @ 250µA 39.2 NC @ 10 V ±20V 2100 PF @ 25 V - 2W（2），52W（52W）TC）
CMS25N10D-HF Comchip Technology CMS25N10D-HF -
RFQ
 ECAD 8972 0.00000000 comchip技术 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 CMS25 MOSFET （金属 o化物） D-pak（TO-252） - rohs3符合条件 （1 （无限） 641-CMS25N10D-HFTR Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 100 v 25A（TC） 4.5V，10V 48mohm @ 25a，10v 2.5V @ 250µA 60 NC @ 10 V ±20V 3848 PF @ 15 V - 2W（TA），60W（60w）TC）
CMS23P04D-HF Comchip Technology CMS23P04D-HF -
RFQ
 ECAD 2360 0.00000000 comchip技术 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） D-pak（TO-252） - rohs3符合条件 （1 （无限） 641-CMS23P04D-HFTR Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 40 V 23A（TC） 4.5V，10V 40mohm @ 18a，10v 2.5V @ 250µA 9 NC @ 4.5 V ±20V 1004 pf @ 15 V - 2W（ta），31.3w（tc）
CMS11N10Q8-HF Comchip Technology CMS11N10Q8-HF -
RFQ
 ECAD 7891 0.00000000 comchip技术 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 8-sop - rohs3符合条件 （1 （无限） 641-CMS11N10Q8-HFTR Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 100 v 11a（11a） 4.5V，10V 14mohm @ 10a，10v 2.4V @ 250µA 75 NC @ 10 V ±20V 4708 PF @ 25 V - 3.1W（TA）
FR107T-G Comchip Technology FR107T-G 0.0420
RFQ
 ECAD 3109 0.00000000 comchip技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 通过洞 do-204al，do-41，轴向 标准 do-41 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 641-FR107T-GTR Ear99 8541.10.0080 5,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1000 v 1.3 V @ 1 A 500 ns 5 µA @ 1000 V -55°C〜150°C 1a 15pf @ 4V，1MHz
CDBMS1150-HF Comchip Technology CDBMS1150-HF 0.3800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 comchip技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOD-123F 肖特基 SOD-123F 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 150 v 870 mv @ 1 a 200 µA @ 150 V -50°C〜150°C 1a 25pf @ 4V，1MHz
FR106B-G Comchip Technology FR106B-G 0.0536
RFQ
 ECAD 1279 0.00000000 comchip技术 - 大部分 积极的 通过洞 do-204al，do-41，轴向 标准 do-41 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 641-FR106B-G Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 800 v 1.3 V @ 1 A 500 ns 5 µA @ 800 V -55°C〜150°C 1a 15pf @ 4V，1MHz
FR104B-G Comchip Technology FR104B-G 0.0536
RFQ
 ECAD 3459 0.00000000 comchip技术 - 大部分 积极的 通过洞 do-204al，do-41，轴向 标准 do-41 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 641-FR104B-G Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 400 v 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 400 V -55°C〜150°C 1a 25pf @ 4V，1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

数量：1

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