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离散半导体产品（（4657）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
6a02-g	0.2312	RFQ	1892年	comchip技术	-	（TB）	积极的			通过洞	R-6，轴向		标准		R-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	500	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	200 v	1 V @ 6 A		10 µA @ 200 V	-55°C〜125°C	6a	100pf @ 4V，1MHz
ES1J-HF	0.4600	RFQ	6	comchip技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-214ac，SMA	ES1J	标准		DO-214AC（SMA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	5,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	600 v	1.7 V @ 1 A	35 ns	5 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	1a	15pf @ 4V，1MHz
MMBZ5260A-HF	0.0556	RFQ	1704年	comchip技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBZ5260		350兆	SOT-23-3	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		641-MMBZ5260A-HFTR	Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 100 ma		100 na @ 33 V						43 V	93欧姆
1N5238B-G	-	RFQ	3261	comchip技术	-	（TB）	过时的	-	175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		641-1N5238B-GTB	Ear99	8541.10.0050	5,000			1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 6.5 V						8.7 v	8欧姆
ABS05-G	-	RFQ	8564	comchip技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，鸥翼		标准		腹肌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		641-ABS05-GTR	Ear99	8541.10.0080	5,000			1.1 V @ 1 A		5 µA @ 50 V		1 a		单相	50 V
ABS1-HF	-	RFQ	6322	comchip技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，鸥翼		标准		腹肌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		641-ABS1-HFTR	Ear99	8541.10.0080	5,000			1.1 V @ 1 A		5 µA @ 100 V		1 a		单相	100 v
ABS4-HF	-	RFQ	1901年	comchip技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，鸥翼		标准		腹肌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		641-ABS4-HFTR	Ear99	8541.10.0080	5,000			1.1 V @ 1 A		5 µA @ 400 V		1 a		单相	400 v
BR1508-G	-	RFQ	3209	comchip技术	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	QC终端	4平方		标准		br	-				641-BR1508-G	Ear99	8541.10.0080	1			1.1 V @ 7.5 A		10 µA @ 800 V		15 a		单相	800 v
BR1010MSG-G	-	RFQ	6905	comchip技术	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，BR-6		标准		BR-6	下载				641-BR1010MSG-G	Ear99	8541.10.0080	1			1.1 V @ 5 A		10 µA @ 1000 V		10 a		单相	1 kV
BR1504-G	-	RFQ	5532	comchip技术	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	QC终端	4平方		标准		br	-				641-BR1504-G	Ear99	8541.10.0080	1			1.1 V @ 7.5 A		10 µA @ 400 V		15 a		单相	400 v
GBJ3502-G	-	RFQ	5698	comchip技术	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBJ		标准		GBJ	-				641-GBJ3502-G	Ear99	8541.10.0080	1			1.1 V @ 17.5 A		10 µA @ 200 V		35 a		单相	200 v
BR1506-G	-	RFQ	4771	comchip技术	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	QC终端	4平方		标准		br	-				641-BR1506-G	Ear99	8541.10.0080	1			1.1 V @ 7.5 A		10 µA @ 600 V		15 a		单相	600 v
W10mg-g	-	RFQ	4976	comchip技术	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4圆形，WOBM		标准		WOBM	-				641-W10MG-G	Ear99	8541.10.0080	1			1.1 V @ 1.5 A		10 µA @ 1000 V		1.5 a		单相	1 kV
DB104S-HF	-	RFQ	6356	comchip技术	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，鸥翼		标准		DBS	下载				641-DB104S-HF	Ear99	8541.10.0080	1			1.1 V @ 1 A		10 µA @ 400 V		1 a		单相	400 v
DB101S-HF	-	RFQ	3710	comchip技术	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，鸥翼		标准		DBS	下载				641-DB101S-HF	Ear99	8541.10.0080	1			1.1 V @ 1 A		10 µA @ 50 V		1 a		单相	50 V
DF005S-HF	-	RFQ	5245	comchip技术	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，鸥翼		标准		DFS	下载				641-DF005S-HF	Ear99	8541.10.0080	1			1.1 V @ 1 A		10 µA @ 50 V		1 a		单相	50 V
BR3501-G	-	RFQ	5935	comchip技术	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	16-UFBGA，WLCSP	BR3501	标准		16-WLCSP（1.41x1.41）	-	rohs3符合条件			641-BR3501-G	Ear99	8541.10.0080	1			1.1 V @ 17.5 A		10 µA @ 100 V		35 a		单相	100 v
W08G-G	-	RFQ	2721	comchip技术	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	4平方	W08G	标准		br	-	rohs3符合条件			641-W08G-G	Ear99	8541.10.0080	1			1.1 V @ 1.5 A		10 µA @ 800 V		1.5 a		单相	800 v
BR3502-G	-	RFQ	4230	comchip技术	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	16-UFBGA，WLCSP	BR3502	标准		16-WLCSP（1.41x1.41）	-	rohs3符合条件			641-BR3502-G	Ear99	8541.10.0080	1			1.1 V @ 17.5 A		10 µA @ 200 V		35 a		单相	200 v
W06G-G	-	RFQ	4299	comchip技术	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	4平方	W06G	标准		br	-	rohs3符合条件			641-W06G-G	Ear99	8541.10.0080	1			1.1 V @ 1.5 A		10 µA @ 600 V		1.5 a		单相	600 v
BR3508-G	-	RFQ	9524	comchip技术	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	16-UFBGA，WLCSP	BR3508	标准		16-WLCSP（1.41x1.41）	-	rohs3符合条件			641-BR3508-G	Ear99	8541.10.0080	1			1.1 V @ 17.5 A		10 µA @ 800 V		35 a		单相	800 v
W10G-G	-	RFQ	7210	comchip技术	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	4平方	W10G	标准		br	-	rohs3符合条件			641-W10G-G	Ear99	8541.10.0080	1			1.1 V @ 1.5 A		10 µA @ 1000 V		1.5 a		单相	1 kV
W01G-G	-	RFQ	6277	comchip技术	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	4平方	W01G	标准		br	-	rohs3符合条件			641-W01G-G	Ear99	8541.10.0080	1			1.1 V @ 1.5 A		10 µA @ 100 V		1.5 a		单相	100 v
HBS504-HF	0.3393	RFQ	7930	comchip技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，鸥翼		标准		HBS	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		641-HBS504-HFTR	Ear99	8541.10.0080	2,500			970 mv @ 5 a		5 µA @ 400 V		5 a		单相	400 v
CZRC5356B-HF	-	RFQ	2113	comchip技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	DO-214AB，SMC			5 w	DO-214AB（SMC）	下载				641-CZRC5356B-HFTR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 14.4 V						19 v	3欧姆
DB103SP-HF	-	RFQ	4673	comchip技术	-	管子	过时的		-55°C〜150°C	表面安装	4-SMD，鸥翼		标准		DBS	下载				641-DB103SP-HF	Ear99	8541.10.0080	1			1.1 V @ 1 A		10 µA @ 200 V		1 a		单相	200 v
DF1506SP-G	-	RFQ	4724	comchip技术	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，鸥翼		标准		DFS	下载				641-DF1506SP-G	Ear99	8541.10.0080	1			1.1 V @ 1.5 A		5 µA @ 600 V		1.5 a		单相	600 v
DB105SP-HF	-	RFQ	4015	comchip技术	-	管子	过时的		-55°C〜150°C	表面安装	4-SMD，鸥翼		标准		DBS	下载				641-DB105SP-HF	Ear99	8541.10.0080	1			1.1 V @ 1 A		10 µA @ 600 V		1 a		单相	600 v
DF202SP-G	-	RFQ	6873	comchip技术	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，鸥翼		标准		DFS	-				641-DF202SP-G	Ear99	8541.10.0080	1			1.1 V @ 2 A		10 µA @ 200 V		2 a		单相	200 v
DF10ST-HF	-	RFQ	9227	comchip技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，鸥翼		标准		DFS	下载				641-DF10ST-HFTR	Ear99	8541.10.0080	1			1.1 V @ 1 A		10 µA @ 1000 V		1 a		单相	1 kV

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（4657）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²