RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

离散半导体产品（（4657）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	电流 -io（io）	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
DF206ST-G	0.6400	RFQ	148	comchip技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，鸥翼	DF206	标准		DFS	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000	1.1 V @ 2 A	10 µA @ 600 V	2 a	单相	600 v
GBJ1010-G	1.2737	RFQ	3593	comchip技术	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBJ	GBJ1010	标准		GBJ	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	15	1.05 V @ 5 A	10 µA @ 1000 V	10 a	单相	1 kV
KBPC5010W-G	2000年11月11日	RFQ	99	comchip技术	-	托盘	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，KBPC-W	KBPC5010	标准		KBPC-W	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	100	1.1 V @ 25 A	10 µA @ 1000 V	50 a	单相	1 kV
MB05M-G	-	RFQ	9974	comchip技术	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4- 浸（ 0.200英寸，5.08mm）		标准		MBM	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	100	1.1 V @ 800 mA	5 µA @ 50 V	800 MA	单相	50 V
BR10005-G	-	RFQ	5290	comchip技术	-	托盘	过时的		-55°C〜125°C（TJ）	QC终端	4平方	BR10005	标准		br	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50	1.1 V @ 10 A	10 µA @ 50 V	10 a	单相	50 V
BR35005-G	-	RFQ	3069	comchip技术	-	托盘	过时的		-55°C〜125°C（TJ）	QC终端	4平方	BR35005	标准		br	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50	1.1 V @ 12.5 A	10 µA @ 50 V	35 a	单相	50 V
BR3510-G	-	RFQ	6616	comchip技术	-	托盘	过时的		-55°C〜125°C（TJ）	QC终端	4平方	BR3510	标准		br	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50	1.1 V @ 12.5 A	10 µA @ 1000 V	35 a	单相	1 kV
BR50005-G	3.7732	RFQ	7265	comchip技术	-	托盘	积极的		-55°C〜125°C（TJ）	QC终端	4平方	BR50005	标准		br	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50	1.1 V @ 25 A	10 µA @ 50 V	50 a	单相	50 V
BR2504W-G	-	RFQ	1537年	comchip技术	-	托盘	过时的		-55°C〜125°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，br-w		标准		br-w	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50	1.1 V @ 25 A	10 µA @ 400 V	25 a	单相	400 v
BR3510W-G	-	RFQ	2618	comchip技术	-	托盘	过时的		-55°C〜125°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，br-w		标准		br-w	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50	1.1 V @ 12.5 A	10 µA @ 1000 V	35 a	单相	1 kV
DF10-G	0.6100	RFQ	1	comchip技术	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-Edip（0.321英寸，8.15mm）	DF10	标准		4-DF	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50	1.1 V @ 1 A	10 µA @ 1000 V	1 a	单相	1 kV
DF204-G	0.6000	RFQ	594	comchip技术	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-Edip（0.321英寸，8.15mm）	DF204	标准		4-DF	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	641-1341-5	Ear99	8541.10.0080	50	1.1 V @ 2 A	10 µA @ 400 V	2 a	单相	400 v
DF206-G	0.6000	RFQ	1	comchip技术	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-Edip（0.321英寸，8.15mm）	DF206	标准		4-DF	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50	1.1 V @ 2 A	10 µA @ 600 V	2 a	单相	600 v
DF005S-G	0.6200	RFQ	11	comchip技术	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，鸥翼	DF005	标准		DFS	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50	1.1 V @ 1 A	10 µA @ 50 V	1 a	单相	50 V
KBU1010-G	2.0600	RFQ	22	comchip技术	-	托盘	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbu	KBU1010	标准		KBU	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	400	1 V @ 5 A	10 µA @ 1000 V	10 a	单相	1 kV
KBU2504-G	2.5400	RFQ	69	comchip技术	-	托盘	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbu	KBU2504	标准		KBU	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	400	1.1 V @ 12.5 A	10 µA @ 400 V	3.6 a	单相	400 v
KBU3510-G	-	RFQ	9525	comchip技术	-	托盘	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbu	KBU3510	标准		KBU	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	400	1.1 V @ 17.5 A	10 µA @ 1000 V	35 a	单相	1 kV
GBU1004-G	1.4400	RFQ	1	comchip技术	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBU	GBU1004	标准		gbu	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	20	1 V @ 5 A	10 µA @ 400 V	10 a	单相	400 v
GBU15005-G	1.1023	RFQ	3417	comchip技术	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBU	GBU15005	标准		gbu	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	641-1369-5	Ear99	8541.10.0080	20	1 V @ 7.5 A	10 µA @ 50 V	15 a	单相	50 V
GBU1510-G	1.5300	RFQ	96	comchip技术	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBU	GBU1510	标准		gbu	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	20	1 V @ 7.5 A	10 µA @ 1000 V	15 a	单相	1 kV
GBU25005-G	1.3472	RFQ	6808	comchip技术	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBU	GBU25005	标准		gbu	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	641-1372-5	Ear99	8541.10.0080	20	1 V @ 12.5 A	10 µA @ 50 V	25 a	单相	50 V
CDBHD240-G	1.4000	RFQ	57	comchip技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜125°C（TJ）	表面安装	TO-269AA，4-Besop	CDBHD240	肖特基		迷你浸（（TO-269AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500	500 mv @ 1 A	500 µA @ 40 V	2 a	单相	40 V
Z4DGP410L-HF	1.4800	RFQ	42	comchip技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	Z4-D	Z4DGP410	标准		Z4-D	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	950 MV @ 4 A	5 µA @ 1000 V	4 a	单相	1 kV
CZRZ6V8B-HF	0.3500	RFQ	16	comchip技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±4.93％	-55°C〜125°C	表面安装	0201（0603公制）	CZRZ6V8		100兆	0201/dfn0603	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	10,000	900 mv @ 10 ma	500 NA @ 3.5 V				6.8 v	40欧姆
ACZRA4756-HF	0.1711	RFQ	4371	comchip技术	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-214ac，SMA	ACZRA4756		1 w	DO-214AC（SMA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	2,000	1.2 V @ 200 ma	5 µA @ 35.8 V				47 V	80欧姆
ACZRC5361B-G	0.9000	RFQ	21	comchip技术	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	DO-214AB，SMC	ACZRC5361		5 w	DO-214AB（SMC）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000	1.2 V @ 1 A	500 NA @ 20.6 V				27 V	5欧姆
ACZRC5384B-G	0.3480	RFQ	7351	comchip技术	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	DO-214AB，SMC	ACZRC5384		5 w	DO-214AB（SMC）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000	1.2 V @ 1 A	500 NA @ 122 V				160 v	335欧姆
ACZRM5226B-HF	0.0610	RFQ	1188	comchip技术	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123F	ACZRM5226		500兆	SOD-123F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000		25 µA @ 1 V				3.3 v	28欧姆
ACZRM5232B-HF	0.0610	RFQ	9662	comchip技术	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123F	ACZRM5232		500兆	SOD-123F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000		5 µA @ 3 V				5.6 v	11欧姆
ACZRM5259B-HF	0.3300	RFQ	2	comchip技术	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	SOD-123F	ACZRM5259		500兆	SOD-123F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000		100 na @ 30 V				39 v	80欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（4657）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²