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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 额定电压 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 频率 | 技术 | 功率-最大 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 配置 | 速度 | 额定电流(安培) | 当前-测试 | 功率-输出 | 获得 | 漏源电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | Rds On(最大)@Id、Vgs | Vgs(th)(顶部)@Id | 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs | 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds | 场效应管特性 | 噪声系数 | 分散配置 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr, F | 电压 - 测试 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | GTVA212701FA-V2-R2 | 138.2003 | ![]() | 1037 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | N化镓 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 125V | 表面贴装 | H-87265J-2 | GTVA212701 | 2.11GHz~2.2GHz | HEMT | H-87265J-2 | 下载 | 1697-GTVA212701FA-V2-R2 | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 320毫安 | 270W | 19分贝 | - | 48V | ||||||||||||||||||||||||
![]() | PTFB212503EL-V1-R250 | - | ![]() | 2339 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 65V | 安装结构 | H-33288-6 | 2.17GHz | LDMOS | H-33288-6 | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | - | 1.85安 | 55W | 18.1分贝 | - | 30V | |||||||||||||||||||||||||
| C3D10065I | 6.4700 | ![]() | 9173 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | Z-Rec® | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2隔离片 | C3D10065 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220-2隔离片 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 0纳秒 | 50μA@650V | -55℃~175℃ | 19A | 480pF @ 0V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | C5D25170H | - | ![]() | 3366 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | Z-Rec® | 管子 | 过时的 | 通孔 | TO-247-2 | C5D25170 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-2 | 下载 | 不适用 | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 无恢复T>500mA(Io) | 1700伏 | 1.8V@25A | 0纳秒 | 1700V时为200μA | -55℃~175℃ | 70A | 1950pF @ 0V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | CSD08060A | - | ![]() | 3932 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | 零恢复™ | 管子 | 过时的 | 通孔 | TO-220-2 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220-2 | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 无恢复T>500mA(Io) | 600伏 | 1.8V@8A | 0纳秒 | 600V时为200μA | -55℃~175℃ | 12.5A | 470pF @ 0V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | C6D20065A | 7.9500 | ![]() | 8161 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220-2 | 下载 | 3(168小时) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.5V@20A | 0纳秒 | 650V时为80μA | -55℃~175℃ | 66A | 1153pF @ 0V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | PXAC243502FV-V1 | - | ![]() | 3710 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 托盘 | SIC停产 | 65V | 表面贴装 | H-37275-4 | 2.4GHz | LDMOS | H-37275-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 3(168小时) | EAR99 | 8541.29.0095 | 35 | - | 850毫安 | 68W | 15分贝 | - | 28V | ||||||||||||||||||||||||
![]() | C6D10065E-TR | 2.7999 | ![]() | 3711 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | Z-Rec® | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | C6D10065 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-252-2 | - | 1697-C6D10065E-TR | 800 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.5V@10A | 0纳秒 | 50μA@650V | -55℃~175℃ | 35A | 611pF @ 0V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | CGH27030S | 74.5800 | ![]() | 599 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | N化镓 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 84V | 12-VFDFN 裸露焊盘 | CGH27030 | 6GHz | HEMT | 12-DFN (4x3) | 下载 | 符合RoHS标准 | 3(168小时) | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 200毫安 | 30W | 18.3分贝 | - | 28V | ||||||||||||||||||||||||
![]() | GTVA355001EC-V1-R0 | 734.1100 | ![]() | 48 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | N化镓 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 125V | 安装结构 | H-36248-2 | 2.9GHz~3.5GHz | HEMT | H-36248-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 宣传册3A001B3 | 8541.29.0075 | 50 | - | 200毫安 | 500W | 13.5分贝 | - | 50V | ||||||||||||||||||||||||
![]() | C3D04065A | 2.7600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | Z-Rec® | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2 | C3D04065 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.8V@4A | 0纳秒 | 60μA@650V | -55℃~175℃ | 13.5A | 251pF @ 0V、1MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | C6D16065D | 6.4200 | ![]() | 328 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | Z-Rec® | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-247-3 | C6D16065 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-3 | 下载 | 1697-C6D16065D | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 无恢复T>500mA(Io) | 1对共轴线 | 650伏 | 76A | 1.5V@8A | 0纳秒 | 40μA@650V | -55℃~175℃ | ||||||||||||||||||||||||
![]() | CGHV40180F-AMP3 | 1.0000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | N化镓 | 大部分 | 的积极 | 150伏 | 安装结构 | 440223 | 2GHz | HEMT | 440223 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8543.70.9810 | 1 | - | 1A | 180W | 25.6分贝 | - | 50V | ||||||||||||||||||||||||
![]() | WAS350M12BM3 | 913.5300 | ![]() | 3860 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 盒子 | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 安装结构 | 模块 | WAS350 | 碳化硅(SiC) | - | - | 下载 | 不适用 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2个N沟道(半桥) | 1200V(1.2kV) | 417A(TC) | 5.2毫欧@350A,15V | 3.6V@85mA | 844nC@15V | 25700pF@800V | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | WSGPA01-V1-R1 | 21.4928 | ![]() | 第1452章 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 卷带式 (TR) | 不适合新设计 | 125V | 表面贴装 | 12-VFDFN 裸露焊盘 | WSGPA01 | 5GHz | - | 12-DFN (3x4) | - | 1697-WSGPA01-V1-R1TR | 100 | - | - | 25毫安 | 10W | 16.3分贝 | - | 48V | |||||||||||||||||||||||||
![]() | PTFB181702FC-V1-R250 | - | ![]() | 9388 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GTVA107001EC-V1-R0 | 948.0900 | ![]() | 16 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | N化镓 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 125V | 安装结构 | H-36248-2 | GTVA107001 | 960MHz~1.215GHz | HEMT | H-36248-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 100毫安 | 890W | 20分贝 | - | 50V | |||||||||||||||||||||||
![]() | CGHV1J070D-GP4 | 106.8540 | ![]() | 110 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | N化镓 | 托盘 | 的积极 | 100V | 死 | CGHV1 | 18GHz | HEMT | 死 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | CGHV1J070D | 宣传册3A001B3 | 8541.29.0075 | 10 | - | 360毫安 | 70W | 17分贝 | - | 40V | |||||||||||||||||||||||
![]() | CGH27015P | 87.5968 | ![]() | 3229 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | N化镓 | 托盘 | 的积极 | 84V | 表面贴装 | 440196 | CGH27015 | 2.3GHz~2.9GHz | HEMT | 440196 | 下载 | 1697-CGH27015P | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 100毫安 | 15W | 15分贝 | - | 28V | ||||||||||||||||||||||||
![]() | PXAC260622SC-V1-R250 | 62.2118 | ![]() | 7414 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | * | 卷带式 (TR) | 不适合新设计 | PXAC260622 | 下载 | 符合RoHS标准 | 3(168小时) | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PTFB192503FL-V2-R250 | - | ![]() | 6129 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 65V | 表面贴装 | H-34288-4/2 | 1.99GHz | LDMOS | H-34288-4/2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | - | 1.9安 | 50W | 19分贝 | - | 30V | ||||||||||||||||||||||||
![]() | GTVA311801FA-V1 | 459.0800 | ![]() | 1911年 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | N化镓 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 50V | 表面贴装 | H-37265J-2 | 2.7GHz~3.1GHz | HEMT | H-37265J-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 宣传册3A001B3 | 8541.29.0075 | 50 | - | 180W | 15分贝 | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | WAB300M12BM3 | 910.6100 | ![]() | 20 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 175°C (TJ) | 安装结构 | 模块 | WAB300 | 碳化硅(SiC) | - | 模块 | 下载 | 不适用 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2个N沟道(半桥) | 1200V(1.2kV) | 382A(TC) | 5.2毫欧@300A,15V | 3.6V@92mA | 908nC@15V | 24500pF@1000V | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | C3D03060E | 2.1800 | ![]() | 20 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | Z-Rec® | 管子 | 的积极 | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | C3D03060 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-252-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 3(168小时) | EAR99 | 8541.10.0080 | 75 | 无恢复T>500mA(Io) | 600伏 | 1.7V@3A | 0纳秒 | 50μA@600V | -55℃~175℃ | 11A | 155pF @ 0V、1MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | C2D05120E | - | ![]() | 5500 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | 零恢复™ | 管子 | 过时的 | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-252-2 | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 75 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 1.8V@5A | 0纳秒 | 1200V时为200μA | -55℃~175℃ | 17.5A | 455pF @ 0V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | CMPA901A035F1 | 496.2282 | ![]() | 3160 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 托盘 | 的积极 | 84V | 安装结构 | 440219 | 9GHz~10GHz | HEMT | 440219 | - | 1697-CMPA901A035F1 | 50 | - | - | 1.5A | 35W | 34.9分贝 | - | 28V | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | PXAC200902FC-V1-R2 | - | ![]() | 8529 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | * | 卷带式 (TR) | 过时的 | PXAC200902 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 过时的 | 250 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | E3D20065D | 12.7900 | ![]() | 第414章 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | E系列,汽车 | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-247-3 | E3D20065 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-3 | 下载 | 1697-E3D20065D | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.8V@10A | 0纳秒 | 60μA@650V | -55℃~175℃ | 56A | 459pF @ 0V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | C3M0025065L-TR | 20.8960 | ![]() | 5309 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | * | 卷带式 (TR) | 的积极 | - | 1697-C3M0025065L-TR | 2,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PTFA211801E-V5-R0 | 156.1586 | ![]() | 2457 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 条 | 不适合新设计 | 65V | 2 箔封装、翅片安装、法兰式 | PTFA211801 | 2.11GHz~2.17GHz | LDMOS | H-36260-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 10微安 | 1.2A | 180W | 15.5分贝 | - | 28V |

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