分立半导体产品(736)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	速度	场效应管类型	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	电压 - 反向 (Vr)（最大）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	电压 - 测试
CGH40010F	76.0700	询价	2	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	不适合新设计	84V			440166	CGH40	0Hz～6GHz	HEMT		440166	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		CGH40010FE	EAR99	8541.29.0075	250				3.5A	200毫安	12.5W	14.5分贝											-								28V
PTFB201402FC-V1-R0	-	询价	8385	沃尔夫斯皮德公司	-	托盘	过时的	65V		表面贴装	H-37248-4		2.01GHz～2.025GHz	LDMOS		H-37248-4	-				1697-PTFB201402FC-V1-R0	EAR99	8541.29.0075	50	双重、共同来源			10微安	650毫安	140W	16分贝											-								28V
GTRA362002FC-V1-R0	171.5300	询价	50	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	卷带式 (TR)	的积极	125V		表面贴装	H-37248C-4	GTRA362002	3.4GHz～3.6GHz	HEMT		H-37248C-4	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			宣传册3A001B3	8541.29.0075	50				-	140毫安	200W	13.5分贝											-								48V
C2M1000170J	10.0700	询价	880	沃尔夫斯皮德公司	C2M™	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-7（直读）	C2M1000170		SiCFET（碳化硅）		D2PAK（7导联）	下载	符合RoHS标准	3（168小时）			EAR99	8541.29.0095	50			N沟道					1700伏	5.3A（温度）	20V	1.4欧姆@2A，20V	3.1V@500μA（典型值）	13nC@20V	+25V，-10V	200 pF @ 1000 V	-	78W（温度）
CAR600M12HN6	2.0000	询价	8176	沃尔夫斯皮德公司	-	大部分	的积极		-40°C ~ 175°C (TJ)	安装结构	模块	车600		碳化硅（SiC）	50毫W	模块	下载		不适用			EAR99	8541.21.0095	1	2个N沟道（半桥）							1200V（1.2kV）	908A（TC）		-	-	-		45300pF @ 0V	-
CGH40045F	201.5300	询价	第387章	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	不适合新设计	84V			440193	CGH40	0Hz～4GHz	HEMT		440193	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		CGH40045FE	EAR99	8541.29.0075	120				14A	400毫安	55W	14分贝											-								28V
E3M0045065K	12.2872	询价	5692	沃尔夫斯皮德公司	汽车、AEC-Q101、E	管子	的积极		-40°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-4			SiC（碳化硅结晶体管）		TO-247-4L	-				1697-E3M0045065K			30			N沟道					650伏	46A（温度）	15V	60毫欧@17.6A，15V	3.6V@4.84mA	64nC@15V	+19V，-8V	122 pF @ 400 V		150W（温度）
CGH60008D-GP4	32.9900	询价	10	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	的积极	84V			死	CGH60008	6GHz	HEMT		死	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		CGH60008D	EAR99	8541.29.0075	10				-	100毫安	8W	15分贝											-								28V
PXAC260602FC-V1-R250	71.8701	询价	6450	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极	65V		安装结构	H-37248-4	PXAC260602	2.69GHz	LDMOS		H-37248-4	下载	符合RoHS标准	3（168小时）			EAR99	8541.29.0095	250				-	85毫安	5W	15.7分贝											-								28V
CAS325M12HM2	-	询价	2308	沃尔夫斯皮德公司	Z-REC™	大部分	过时的		175°C（太焦）		模块	CAS325		碳化硅（SiC）	3000W	模块	下载	符合RoHS标准	不适用			EAR99	8541.29.0095	1	2个N沟道（半桥）							1200V（1.2kV）	444A（TC）		4.3毫欧@400A，20V	4V@105mA	1127nC@20V		19500pF@1000V	-
PTGA090304MD-V1-R5	36.4840	询价	2389	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极	105V		表面贴装	14-PowerSMD模块	PTGA090304	960兆赫	LDMOS		PG-HB1DSO-14-1	下载				1697-PTGA090304MD-V1-R5TR	EAR99	8541.29.0075	500				1微安	144毫安	30W	32分贝											-								50V
PXAC210552FC-V1-R0	68.3892	询价	9508	沃尔夫斯皮德公司	*	卷带式 (TR)	不适合新设计					PXAC210552					下载	符合RoHS标准	1（无限制）					50
CGH60030D-GP4	89.0266	询价	9959	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	不适合新设计	84V			死	CGH60030	6GHz	HEMT		死	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		CGH60030D	EAR99	8541.29.0075	10				-	250毫安	30W	15分贝											-								28V
CGH55015F1	-	询价	3113	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	过时的	84V			440196	CGH55015	5.5GHz～5.8GHz	HEMT		440196	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0075	60				1.5A	115毫安	15W	11分贝											-								28V
WS1A3940-V1-R1	42.1310	询价	1864年	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极	125V		表面贴装	20-TFLGA 裸露焊盘	WS1A3940	3.7GHz～3.98GHz	-		20-LGA (6x6)	-				1697-WS1A3940-V1-R1TR			100	-			-	45毫安	10W	11.7分贝											-								48V
GTVA263202FC-V1-R0	178.5784	询价	9988	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	卷带式 (TR)	的积极	125V		表面贴装	H-37248-4	GTVA263202	2.62GHz～2.69GHz	HEMT		H-37248-4	下载	符合RoHS标准				EAR99	8541.29.0075	50				-	200毫安	340W	17分贝											-								48V
C3M0120090J-TR	11.9200	询价	3	沃尔夫斯皮德公司	C3M™	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-8、D²Pak（7引脚+接片）、TO-263CA	C3M0120090		SiCFET（碳化硅）		TO-263-7	下载	符合RoHS标准	3（168小时）			EAR99	8541.29.0095	800			N沟道					900伏	22A（温度）	15V	155毫欧@15A，15V	3.5V@3mA	17.3nC@15V	+18V、-8V	350 pF @ 600 V	-	83W（温度）
PXAE213708NB-V1-R0	55.8652	询价	7032	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极	65V		表面贴装	PG-HB2SOF-8-1	PXAE213708	2.11GHz～2.18GHz	LDMOS		PG-HB2SOF-8-1	-				1697-PXAE213708NB-V1-R0TR	EAR99	8541.29.0075	50				10微安	750毫安	54W	16分贝											-								29伏
CGHV59070P	297.2051	询价	2694	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	的积极	150伏		表面贴装	440170	CGHV59070	4.4GHz～5.9GHz	HEMT		440170	下载				1697-CGHV59070P	宣传册3A001B3	8541.29.0075	75				-	150毫安	70W	13.3分贝											-								50V
E4D10120G	5.4676	询价	4861	沃尔夫斯皮德公司	-	管子	的积极					E4D10120					-				1697-E4D10120G			50
CSD04060A	-	询价	4538	沃尔夫斯皮德公司	零恢复™	管子	过时的			通孔	TO-220-2			SiC（碳化硅）肖特基		TO-220-2	下载		1（无限制）	REACH 不出行	Q3410083Z	EAR99	8541.10.0080	1,000		无恢复T>500mA(Io)																	600伏	1.8V@4A	0纳秒	600V时为200μA	-55℃～175℃	7A	220pF @ 0V、1MHz
PTFB211503EL-V1-R250	-	询价	8779	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V		安装结构	H-33288-6		2.17GHz	LDMOS		H-33288-6	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	250				-	1.2A	32W	18分贝											-								30V
C5D50065D	-	询价	9588	沃尔夫斯皮德公司	Z-Rec®	大部分	过时的			通孔	TO-247-3	C5D50065		SiC（碳化硅）肖特基		TO-247-3	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	30		无恢复T>500mA(Io)																	650伏	1.8V@50A	0纳秒	500 µA @ 650 V	-55℃～175℃	100A	1970pF @ 0V、1MHz
CGH55015F2	94.4000	询价	1	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	的积极	84V			440166	CGH55015	5.65GHz	HEMT		440166	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0075	60				-	200毫安	12.5W	12分贝											-								28V
C3M0120065D	8.4700	询价	298	沃尔夫斯皮德公司	C3M™	管子	的积极		-40°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3			SiCFET（碳化硅）		TO-247-3	下载	符合RoHS标准	不适用			EAR99	8541.29.0095	30			N沟道					650伏	22A（温度）	15V	157毫欧@6.76A，15V	3.6V@1.86mA	28nC@15V	+19V，-8V	640 pF @ 400 V	-	98W（温度）
CSD02060A	-	询价	第1156章	沃尔夫斯皮德公司	零恢复™	管子	过时的			通孔	TO-220-2			SiC（碳化硅）肖特基		TO-220-2	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0080	1,000		无恢复T>500mA(Io)																	600伏	1.8V@2A	0纳秒	600V时为200μA	-55℃～175℃	3.5A	120pF @ 0V、1MHz
CSD01060E	1.5700	询价	1	沃尔夫斯皮德公司	零恢复™	管子	的积极			表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	CSD01060		SiC（碳化硅）肖特基		TO-252-2	下载	符合RoHS标准	3（168小时）			EAR99	8541.10.0080	75		无恢复T>500mA(Io)																	600伏	1.8V@1A	0纳秒	100 µA @ 600 V	-55℃～175℃	4A	80pF @ 0V、1MHz
CPW2-1200-S010B-SK	-	询价	4311	沃尔夫斯皮德公司	-	管子	过时的			-	-			-		-	-		1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	1		-																					-	-	-
CGH27030S	74.5800	询价	599	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	卷带式 (TR)	的积极	84V			12-VFDFN 裸露焊盘	CGH27030	6GHz	HEMT		12-DFN (4x3)	下载	符合RoHS标准	3（168小时）			EAR99	8541.29.0075	250				-	200毫安	30W	18.3分贝											-								28V
GTRA362802FC-V1-R0	197.9200	询价	50	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	卷带式 (TR)	的积极	125V		表面贴装	H-37248C-4	GTRA362802	3.4GHz～3.6GHz	HEMT		H-37248C-4	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			宣传册3A001B3	8541.29.0075	50				-	200毫安	280W	13.5分贝											-								48V

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(736)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²