分立半导体产品(736)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	速度	场效应管类型	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	电压 - 测试
C3D02065E-TR	0.6954	询价	2879	沃尔夫斯皮德公司	Z-Rec®	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	C3D02065		SiC（碳化硅）肖特基		TO-252-2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	2,500人		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）																		650伏		1.8V@2A		50μA@650V	-55℃～175℃	8A	120pF @ 0V、1MHz
C3D16060D	8.8500	询价	1	沃尔夫斯皮德公司	Z-Rec®	管子	的积极			通孔	TO-247-3	C3D16060		SiC（碳化硅）肖特基		TO-247-3	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	30		无恢复T>500mA(Io)																	1对共轴线	600伏	8A（室外）	1.8V@8A	0纳秒	50μA@600V	-55℃～175℃
CGHV60040D-GP4	51.4890	询价	140	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	的积极	150伏			死	CGHV60040	6GHz	HEMT		死	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0075	10				-	65毫安	40W	17分贝											-										50V
GTRB266502FC-V1-R0	158.3080	询价	7873	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极	48V		表面贴装	H-37248C-4	GTRB266502	2.62GHz～2.69GHz	HEMT		H-37248C-4	-				1697-GTRB266502FC-V1-R0TR			50	-			-		630W	14分贝											-
CPW3-1700-S025B-WP	65.3798	询价	7684	沃尔夫斯皮德公司	Z-Rec®	托盘	的积极			表面贴装	死	CPW3-1700		SiC（碳化硅）肖特基		锯片在铝箔上	-	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	10		无恢复T>500mA(Io)																		1700伏		2V@25A	0纳秒	100μA@1700V	-55℃～175℃	25A	2250pF @ 0V、1MHz
GTRA262802FC-V2-R2	119.8668	询价	1689	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	卷带式 (TR)	的积极	125V		表面贴装	H-37248C-4	GTRA262802	2.49GHz～2.69GHz	HEMT		H-37248C-4	下载				1697-GTRA262802FC-V2-R2TR	EAR99	8541.29.0075	250				-	200毫安	250W	14分贝											-										48V
E3M0120090J-TR	8.1573	询价	5147	沃尔夫斯皮德公司	B	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-8、D²Pak（7引脚+接片）、TO-263CA			SiC（碳化硅结晶体管）		TO-263-7	-				1697-E3M0120090J-TR			800			N沟道					900伏	22A（温度）	15V	155毫欧@15A，15V	3.5V@3mA	18nC@15V	+15V，-4V	414pF@600V		83W（温度）
CGH60008D-GP4	32.9900	询价	10	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	的积极	84V			死	CGH60008	6GHz	HEMT		死	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		CGH60008D	EAR99	8541.29.0075	10				-	100毫安	8W	15分贝											-										28V
PTGA090304MD-V1-R5	36.4840	询价	2389	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极	105V		表面贴装	14-PowerSMD模块	PTGA090304	960兆赫	LDMOS		PG-HB1DSO-14-1	下载				1697-PTGA090304MD-V1-R5TR	EAR99	8541.29.0075	500				1微安	144毫安	30W	32分贝											-										50V
CAS325M12HM2	-	询价	2308	沃尔夫斯皮德公司	Z-REC™	大部分	过时的		175°C（太焦）		模块	CAS325		碳化硅（SiC）	3000W	模块	下载	符合RoHS标准	不适用			EAR99	8541.29.0095	1	2个N沟道（半桥）							1200V（1.2kV）	444A（TC）		4.3毫欧@400A，20V	4V@105mA	1127nC@20V		19500pF@1000V	-
WS1A3940-V1-R1	42.1310	询价	1864年	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极	125V		表面贴装	20-TFLGA 裸露焊盘	WS1A3940	3.7GHz～3.98GHz	-		20-LGA (6x6)	-				1697-WS1A3940-V1-R1TR			100	-			-	45毫安	10W	11.7分贝											-										48V
PXAC260602FC-V1-R250	71.8701	询价	6450	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极	65V		安装结构	H-37248-4	PXAC260602	2.69GHz	LDMOS		H-37248-4	下载	符合RoHS标准	3（168小时）			EAR99	8541.29.0095	250				-	85毫安	5W	15.7分贝											-										28V
PXAE213708NB-V1-R0	55.8652	询价	7032	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极	65V		表面贴装	PG-HB2SOF-8-1	PXAE213708	2.11GHz～2.18GHz	LDMOS		PG-HB2SOF-8-1	-				1697-PXAE213708NB-V1-R0TR	EAR99	8541.29.0075	50				10微安	750毫安	54W	16分贝											-										29伏
GTVA263202FC-V1-R0	178.5784	询价	9988	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	卷带式 (TR)	的积极	125V		表面贴装	H-37248-4	GTVA263202	2.62GHz～2.69GHz	HEMT		H-37248-4	下载	符合RoHS标准				EAR99	8541.29.0075	50				-	200毫安	340W	17分贝											-										48V
E4D10120G	5.4676	询价	4861	沃尔夫斯皮德公司	-	管子	的积极					E4D10120					-				1697-E4D10120G			50
CGH60030D-GP4	89.0266	询价	9959	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	不适合新设计	84V			死	CGH60030	6GHz	HEMT		死	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		CGH60030D	EAR99	8541.29.0075	10				-	250毫安	30W	15分贝											-										28V
PXAC210552FC-V1-R0	68.3892	询价	9508	沃尔夫斯皮德公司	*	卷带式 (TR)	不适合新设计					PXAC210552					下载	符合RoHS标准	1（无限制）					50
CGH55015F1	-	询价	3113	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	过时的	84V			440196	CGH55015	5.5GHz～5.8GHz	HEMT		440196	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0075	60				1.5A	115毫安	15W	11分贝											-										28V
CGH55015F2	94.4000	询价	1	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	的积极	84V			440166	CGH55015	5.65GHz	HEMT		440166	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0075	60				-	200毫安	12.5W	12分贝											-										28V
C5D50065D	-	询价	9588	沃尔夫斯皮德公司	Z-Rec®	大部分	过时的			通孔	TO-247-3	C5D50065		SiC（碳化硅）肖特基		TO-247-3	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	30		无恢复T>500mA(Io)																		650伏		1.8V@50A	0纳秒	500 µA @ 650 V	-55℃～175℃	100A	1970pF @ 0V、1MHz
C3M0120090J-TR	11.9200	询价	3	沃尔夫斯皮德公司	C3M™	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-8、D²Pak（7引脚+接片）、TO-263CA	C3M0120090		SiCFET（碳化硅）		TO-263-7	下载	符合RoHS标准	3（168小时）			EAR99	8541.29.0095	800			N沟道					900伏	22A（温度）	15V	155毫欧@15A，15V	3.5V@3mA	17.3nC@15V	+18V、-8V	350 pF @ 600 V	-	83W（温度）
PTFB182503EL-V1-R0	106.9166	询价	9522	沃尔夫斯皮德公司	-	条	不适合新设计	65V		安装结构	H-33288-6	PTFB182503	1.88GHz	LDMOS		H-33288-6	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8542.33.0001	50				-	1.85安	50W	19分贝											-										30V
PTFB211503EL-V1-R250	-	询价	8779	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V		安装结构	H-33288-6		2.17GHz	LDMOS		H-33288-6	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	250				-	1.2A	32W	18分贝											-										30V
CSD04060A	-	询价	4538	沃尔夫斯皮德公司	零恢复™	管子	过时的			通孔	TO-220-2			SiC（碳化硅）肖特基		TO-220-2	下载		1（无限制）	REACH 不出行	Q3410083Z	EAR99	8541.10.0080	1,000		无恢复T>500mA(Io)																		600伏		1.8V@4A	0纳秒	600V时为200μA	-55℃～175℃	7A	220pF @ 0V、1MHz
C3M0032120K	32.9000	询价	9340	沃尔夫斯皮德公司	C3M™	管子	的积极		-40°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-4	C3M0032120		SiCFET（碳化硅）		TO-247-4L	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	30			N沟道					1200伏	63A（温度）	15V	43毫欧@40A，15V	3.6V@11.5mA	118nC@15V	+15V，-4V	1000V时为3357pF	-	283W（温度）
PTRA093818NF-V1-R5	85.6207	询价	8923	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极	105V		表面贴装	HBSOF-6-2	PTRA093818	925MHz～960MHz	LDMOS		PG-HBSOF-6-2	下载	符合RoHS标准	3（168小时）			EAR99	8541.29.0075	500				10微安	200毫安	250W	18分贝											-										48V
CGH09120F	266.5500	询价	225	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	的积极	84V			440095	CGH09120	2.5GHz	HEMT		440095	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0075	50				-	1.2A	120W	21.5分贝											-										28V
CAS530M12BM3	947.7000	询价	2946	沃尔夫斯皮德公司	-	盒子	的积极		-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	模块	CAS530		碳化硅（SiC）	-	-	下载		不适用			EAR99	8541.29.0095	1	2 N 沟道（双）公共源							1200V（1.2kV）	630A（温度）		3.47毫欧@530A，15V	3.6V@127mA	1362nC@15V		38900pF@800V	-
C6D25170H	36.4300	询价	113	沃尔夫斯皮德公司	-	管子	的积极			通孔	TO-247-2	C6D25170		SiC（碳化硅）肖特基		TO-247-2	下载		1（无限制）		1697-C6D25170H	EAR99	8541.10.0080	30		无恢复T>500mA(Io)																		1700伏		1.7V@25A	0纳秒	1700V时为45μA	-55℃～175℃	83A	3108pF @ 0V、1MHz
PTFB181702FC-V1-R0	-	询价	第1251章	沃尔夫斯皮德公司	-	条	过时的	65V		安装结构	H-37248-4		1.88GHz	LDMOS		H-37248-4	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8542.33.0001	50				-	1.3A	30W	19分贝											-										28V

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(736)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²