分立半导体产品(736)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	速度	场效应管类型	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	电压 - 反向 (Vr)（最大）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	电压 - 测试
CGHV31500F	716.4000	询价	7	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	的积极	125V			440217	CGHV31500	2.7GHz～3.1GHz	HEMT		440217	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		宣传册3A001B3	8541.29.0075	25				24A	500毫安	500W	13.5分贝											-								50V
PXAC261212FC-V1-R0	99.4876	询价	6756	沃尔夫斯皮德公司	-	条	的积极	65V		安装结构	H-37248-4	PXAC261212	2.69GHz	LDMOS		H-37248-4	下载	符合RoHS标准	3（168小时）		EAR99	8542.33.0001	50				-	280毫安	28W	15分贝											-								28V
PTFC260202FC-V1	-	询价	3307	沃尔夫斯皮德公司	-	托盘	SIC停产	65V		安装结构	H-37248-4		2.69GHz	LDMOS		H-37248-4	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50	双重的			-	170毫安	5W	20分贝											-								28V
E3M0160120D	7.5457	询价	1550	沃尔夫斯皮德公司	*	托盘	的积极										-			1697-E3M0160120D			450
PXAC201602FC-V1-R0	-	询价	7091	沃尔夫斯皮德公司	-	条	过时的	65V		安装结构	H-37248-4	PXAC201602	2.02GHz	LDMOS		H-37248-4	下载	符合RoHS标准	3（168小时）		EAR99	8542.33.0001	50				-	360毫安	22.5W	17.7分贝											-								28V
CGH40090PP	345.7600	询价	244	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	的积极	84V			440199	CGH40	0Hz～4GHz	HEMT		440199	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	CGH40090PPE	EAR99	8541.29.0075	100				28A	1A	100W	12.5分贝											-								28V
CCS050M12CM2	585.1400	询价	6930	沃尔夫斯皮德公司	Z-FET™ Z-Rec™	大部分	不适合新设计		150°C（太焦）	安装结构	模块	CCS050		碳化硅（SiC）	337W	模块	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	1	6 个 N 沟道（路面桥）							1200V（1.2kV）	87A（温度）		34mOhm@50A，20V	2.3V@2.5mA	180nC@20V		2810pF@800V	-
PTFB183404F-V2-R250	-	询价	9668	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V		表面贴装	H-37275-6/2		1.88GHz	LDMOS		H-37275-6/2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	250				-	2.6安	80W	17分贝											-								30V
PTFB192503FL-V2-R0	-	询价	3057	沃尔夫斯皮德公司	-	条	过时的	65V		表面贴装	2 箔封装、翅片安装、法兰式		1.99GHz	LDMOS		H-34288-4/2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8542.33.0001	50				-	1.9安	50W	19分贝											-								30V
PXAC192908FV-V1-R250	135.1208	询价	8997	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极					PXAC192908					下载	符合RoHS标准	3（168小时）		EAR99	8541.29.0095	250
CPM2-1200-0080B	-	询价	7168	沃尔夫斯皮德公司	*	大部分	的积极					每千次费用展示2					下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0040	1
C2D05120E-TR	-	询价	3433	沃尔夫斯皮德公司	零恢复™	卷带式 (TR)	过时的			表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			SiC（碳化硅）肖特基		TO-252-2	下载		3（168小时）		EAR99	8541.10.0080	2,500人		无恢复T>500mA(Io)																	1200伏	1.8V@5A	0纳秒	1200V时为200μA	-55℃～175℃	17.5A	455pF @ 0V、1MHz
C3D02060E-TR	0.6787	询价	6025	沃尔夫斯皮德公司	Z-Rec®	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	C3D02060		SiC（碳化硅）肖特基		TO-252-2	下载	符合RoHS标准	3（168小时）		EAR99	8541.10.0080	2,500人		无恢复T>500mA(Io)																	600伏	1.7V@2A		50μA@600V	-55℃～175℃	5A	11pF@400V，1MHz
C3M0045065K	17.7200	询价	第419章	沃尔夫斯皮德公司	C3M™	管子	的积极		-40°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-4	C3M0045065		SiCFET（碳化硅）		TO-247-4L	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	30			N沟道					650伏	49A（温度）	15V	60毫欧@17.6A，15V	3.6V@4.84mA	63nC@15V	+19V，-8V	1621 pF @ 600 V	-	176W（温度）
PC4D30120H	3.3200	询价	6974	沃尔夫斯皮德公司	*	管子	的积极										-						450
C6D04065E-TR	1.1842	询价	5398	沃尔夫斯皮德公司	Z-Rec®	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	C6D04065		SiC（碳化硅）肖特基		TO-252-2	-			1697-C6D04065E-TR			800		无恢复T>500mA(Io)																	650伏	1.5V@4A	0纳秒	650V时为20μA	-55℃～175℃	16A	256pF @ 0V、1MHz
C6D20065H	8.3400	询价	9598	沃尔夫斯皮德公司	-	管子	的积极			通孔	TO-247-2	C6D20065		SiC（碳化硅）肖特基		TO-247-2	-		不适用	1697-C6D20065H			30		无恢复T>500mA(Io)																	650伏	1.27V@20A	0纳秒		-55℃～175℃	20A	-
C2M0025120D	81.9500	询价	7	沃尔夫斯皮德公司	Z-FET™	管子	不适合新设计		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	C2M0025120		SiCFET（碳化硅）		TO-247-3	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	30			N沟道					1200伏	90A（温度）	20V	34mOhm@50A，20V	2.4V@10mA	161nC@20V	+25V，-10V	1000V时为2788pF	-	463W（温度）
C2D10120A	-	询价	9155	沃尔夫斯皮德公司	零恢复™	管子	过时的			通孔	TO-220-2			SiC（碳化硅）肖特基		TO-220-2	下载		1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	50		无恢复T>500mA(Io)																	1200伏	1.8V@10A	0纳秒	1200V时为200μA	-55℃～175℃	31A	1000pF @ 0V、1MHz
C3M0065090J	16.4400	询价	4	沃尔夫斯皮德公司	C3M™	管子	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-8、D²Pak（7引脚+接片）、TO-263CA	C3M0065090		SiCFET（碳化硅）		TO-263-7	下载	符合RoHS标准	3（168小时）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道					900伏	35A（温度）	15V	78毫欧@20A，15V	2.1V@5mA	30nC@15V	+19V，-8V	660 pF @ 600 V	-	113W（温度）
PXAC192908FV-V1	-	询价	7408	沃尔夫斯皮德公司	*	托盘	过时的					PXAC192908					下载	符合RoHS标准	1（无限制）		过时的		35
CGH55030F2	144.0100	询价	50	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	过时的	84V			440166	CGH55030	4.5GHz～6GHz	HEMT		440166	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	60				-	250毫安	30W	11分贝											-								28V
C6D10065G	4.4700	询价	264	沃尔夫斯皮德公司	-	管子	的积极			表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			SiC（碳化硅）肖特基		TO-263-2	下载		3（168小时）	1697-C6D10065G	EAR99	8541.10.0080	50		无恢复T>500mA(Io)																	650伏	1.4V@10A	0纳秒	650V时为20μA	-55℃～175℃	36A	611pF @ 0V、1MHz
C3M0120090D	11.5900	询价	1	沃尔夫斯皮德公司	C3M™	管子	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	C3M0120090		SiCFET（碳化硅）		TO-247-3	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	30			N沟道					900伏	23A（温度）	15V	155毫欧@15A，15V	3.5V@3mA	17.3nC@15V	+18V、-8V	414pF@600V	-	97W（温度）
PTVA082407NF-V2-R5	63.1646	询价	3189	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极	105V		表面贴装	HBSOF-4-1	PTVA082407	746MHz～821MHz	LDMOS		PG-HBSOF-4-1	-			1697-PTVA082407NF-V2-R5TR			500	-			10微安	900毫安	240W	22.5分贝											-								48V
PXAE1837078NB-V1-R2	90.3182	询价	2306	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极					PXAE1837078	-	-			-			1697-PXAE1837078NB-V1-R2TR			250	-			-		-	-											-
PXAD214218FV-V1-R2	150.9819	询价	8244	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	65V		表面贴装	H-37275G-6/2	PXAD214218	2.11GHz～2.17GHz	LDMOS		H-37275G-6/2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	250				10微安	720毫安	290W	13.5分贝											-								28V
CGHV40100F	323.5600	询价	55	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	的积极	125V			440193	CGHV40100	0Hz～3GHz	HEMT		440193	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	100				8.7A	600毫安	116W	11分贝											-								50V
C2M0080120D	24.3700	询价	2831	沃尔夫斯皮德公司	C2M™	大部分	不适合新设计		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	C2M0080120		SiCFET（碳化硅）		TO-247-3	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	30			N沟道					1200伏	36A（温度）	20V	98毫欧@20A，20V	4V@5mA	62nC@5V	+25V，-10V	950 pF @ 1000 V	-	192W（温度）
PTRA094252FC-V1-R2	-	询价	6071	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	过时的	105V			H-37248-4	PTRA094252	746MHz～960MHz	LDMOS		H-37248-4	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	250	双重、共同来源			10微安		351.5W	23分贝											-

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(736)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²