分立半导体产品(736)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	速度	场效应管类型	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	电压 - 测试
GTVA311801FA-V1-R250	404.3900	询价	250	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	卷带式 (TR)	的积极	125V		表面贴装	H-37265J-2	GTVA311801	2.7GHz～3.1GHz	HEMT		H-37265J-2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			宣传册3A001B3	8541.29.0075	250				-	20毫安	180W	15分贝											-										50V
C6D05170H	8.3400	询价	262	沃尔夫斯皮德公司	-	管子	的积极			通孔	TO-247-2	C6D05170		SiC（碳化硅）肖特基		TO-247-2	下载		3（168小时）		1697-C6D05170H	EAR99	8541.10.0080	450		无恢复T>500mA(Io)																		1700伏		1.7V@5A	0纳秒	1700V时为9μA	-55℃～175℃	21A	638pF @ 0V、1MHz
PTFA220121M-V4-R1K	-	询价	4888	沃尔夫斯皮德公司	*	卷带式 (TR)	过时的										下载	符合RoHS标准	3（168小时）			EAR99	8541.29.0075	1,000
CPW2-1200-S005B	-	询价	9742	沃尔夫斯皮德公司	Z-Rec®	管子	过时的			表面贴装	死			SiC（碳化硅）肖特基		死	-		1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	50		无恢复T>500mA(Io)																		1200伏		1.8V@5A	0纳秒	1200V时为200μA	-55℃～175℃	17.5A	455pF @ 0V、1MHz
PXFE211507FC-V1-R2	59.6156	询价	4723	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	65V		表面贴装	H-37248G-4/2	PXFE211507	2.11GHz～2.17GHz	LDMOS		H-37248G-4/2	下载				1697-PXFE211507FC-V1-R2TR	EAR99	8541.29.0075	250				10微安	900毫安	170W	18分贝											-										28V
CGHV40200PP	378.0900	询价	1	沃尔夫斯皮德公司	-	托盘	的积极	125V			440199	CGHV40200	3GHz	HEMT		440199	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0075	50				18.7A		218W	20.1分贝											-
PTFB210801FA-V1-R0	-	询价	5523	沃尔夫斯皮德公司	-	条	过时的	65V		表面贴装	H-37265-2		2.17GHz	LDMOS		H-37265-2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8542.33.0001	50				-	750毫安	20W	18.5分贝											-										28V
PTFB093608FV-V3-R0	-	询价	8190	沃尔夫斯皮德公司	-	条	过时的	65V		安装结构	H-34275G-6/2		960兆赫	LDMOS		H-34275G-6/2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0075	50	双重、共同来源			-	2.8安	315W	20分贝											-										28V
PTFA080551E-V4-R250	49.4678	询价	9190	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	65V		安装结构	H-36265-2	PTFA080551	960兆赫	LDMOS		H-36265-2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	250				10微安	600毫安	55W	18.5分贝											-										28V
PXAC213308FV-V1-R0	-	询价	8231	沃尔夫斯皮德公司	*	卷带式 (TR)	过时的					PXAC213308					下载	符合RoHS标准	1（无限制）			过时的		50
PTFA092201E-V4-R250	-	询价	8228	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V		安装结构	H-36260-2	PTFA092201	960兆赫	LDMOS		H-36260-2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	250				10微安	1.85安	220W	18.5分贝											-										30V
PTVA127002EV-V1-R0	538.4700	询价	50	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极	105V		安装结构	H-36275-4	PTVA127002	1.2GHz～1.4GHz	LDMOS		H-36275-4	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0075	50				10微安	150毫安	700W	16分贝											-										50V
PTFB213208FV-V2-R2	-	询价	7449	沃尔夫斯皮德公司	*	卷带式 (TR)	过时的										下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0075	250
PTFC262157FH-V1-R250	126.1224	询价	4716	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极					PTFC262157					下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0075	250
PTFA091201E-V4-R250	-	询价	8660	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V		表面贴装	2 纸张封装，鳍片底部	PTFA091201	960兆赫	LDMOS		H-36248-2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	250				10微安	750毫安	110W	19分贝											-										28V
PXAC261002FC-V1-R0	92.8812	询价	2646	沃尔夫斯皮德公司	-	条	的积极	65V		安装结构	H-37248-4	PXAC261002	2.69GHz	LDMOS		H-37248-4	下载	符合RoHS标准	3（168小时）			EAR99	8542.33.0001	50				-	210毫安	18W	15.1分贝											-										26V
PXAC201602FC-V1	-	询价	2786	沃尔夫斯皮德公司	-	托盘	SIC停产	65V		安装结构	H-37248-4		2.02GHz	LDMOS		H-37248-4	下载	符合RoHS标准	3（168小时）			EAR99	8541.29.0095	50				-	360毫安	22.5W	17.7分贝											-										28V
C3D06065A	4.1500	询价	1	沃尔夫斯皮德公司	Z-Rec®	管子	的积极			通孔	TO-220-2	C3D06065		SiC（碳化硅）肖特基		TO-220-2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	50		无恢复T>500mA(Io)																		650伏		1.8V@6A	0纳秒	60μA@650V	-55℃～175℃	19A	294pF @ 0V、1MHz
PTRA087008NB-V1-R2	113.7041	询价	1964年	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极	105V		表面贴装	HB2SOF-6-1	PTRA087008	755MHz～805MHz	LDMOS		PG-HB2SOF-6-1	下载				1697-PTRA087008NB-V1-R2TR	EAR99	8541.29.0075	250	双重的			10微安	第510章	650W	18.5分贝											-										48V
PXAE183708NB-V1-R2	82.1413	询价	3678	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极	65V		表面贴装	PG-HB2SOF-8-1	PXAE183708	1.805GHz～1.88GHz	LDMOS		PG-HB2SOF-8-1	下载				1697-PXAE183708NB-V1-R2TR	EAR99	8541.29.0075	250				10微安	800毫安	320W	16分贝											-										28V
C3D03065E	2.2900	询价	4	沃尔夫斯皮德公司	Z-Rec®	管子	的积极			表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	C3D03065		SiC（碳化硅）肖特基		TO-252-2	下载	符合RoHS标准	3（168小时）			EAR99	8541.10.0080	75		无恢复T>500mA(Io)																		650伏		1.8V@3A	0纳秒	50μA@650V	-55℃～175℃	11A	155pF @ 0V、1MHz
C3M0065090J-TR	16.4400	询价	2	沃尔夫斯皮德公司	C3M™	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-8、D²Pak（7引脚+接片）、TO-263CA	C3M0065090		SiCFET（碳化硅）		TO-263-7	下载	符合RoHS标准	3（168小时）			EAR99	8541.29.0095	800			N沟道					900伏	35A（温度）	15V	78毫欧@20A，15V	2.1V@5mA	30nC@15V	+19V，-8V	660 pF @ 600 V	-	113W（温度）
PTRA094808NF-V1-R5	98.1384	询价	4710	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极	105V		表面贴装	HBSOF-6-2	PTRA094808	859MHz～960MHz	LDMOS		PG-HBSOF-6-2	下载	符合RoHS标准	3（168小时）			EAR99	8541.29.0075	500				10微安	450毫安	300W	17.5分贝											-										48V
CGHV35120F	350.3800	询价	34	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	的积极	125V		安装结构	440162	CGHV35120	3.1GHz～3.5GHz	HEMT		440162	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			宣传册3A001B3	8541.29.0075	50				-	220毫安	120W	13分贝											-										48V
CSD20030D	-	询价	7351	沃尔夫斯皮德公司	零恢复™	管子	过时的			通孔	TO-247-3			SiC（碳化硅）肖特基		TO-247-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0080	30		无恢复T>500mA(Io)																	1对共轴线	300伏	10A	1.4V@10A	0纳秒	300V时为200μA	-55℃～175℃
CGH35060P2	185.1202	询价	7457	沃尔夫斯皮德公司	-	托盘	不适合新设计	120V		表面贴装	440206		3.1GHz～3.5GHz	N化晶体管高电子迁移率晶体管		440206	-				1697-CGH35060P2			50	N沟道			-	200毫安	60W	11.5分贝											-										28V
C3D10065E	6.2000	询价	7360	沃尔夫斯皮德公司	Z-Rec®	管子	的积极			表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	C3D10065		SiC（碳化硅）肖特基		TO-252-2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	75		无恢复T>500mA(Io)																		650伏		1.8V@10A	0纳秒	50μA@650V	-55℃～175℃	32A	460.5pF @ 0V、1MHz
PTVA042502FC-V1-R250	133.9214	询价	9259	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极					PTVA042502					下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	250
CGHV27200F	-	询价	3265	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	管子	过时的	50V			440162		2.5GHz～2.7GHz	HEMT		440162	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	1				12A	1A	200W	15分贝～16分贝											-										50V
CAS175M12BM3	515.3000	询价	2	沃尔夫斯皮德公司	-	盒子	的积极		-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	模块	CAS175		碳化硅（SiC）	-	-	下载		不适用			EAR99	8541.29.0095	1	2 N 沟道（双）公共源							1200V（1.2kV）	228A（温度）		10.4毫欧@175A，15V	3.6V@43mA	422nC@15V		12900pF@800V	-

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(736)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²