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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 额定电压 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 频率 | 技术 | 功率-最大 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 配置 | 速度 | 场效应管类型 | 额定电流(安培) | 当前-测试 | 功率-输出 | 获得 | 漏源电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | Rds On(最大)@Id、Vgs | Vgs(th)(顶部)@Id | 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs | Vgs(最大) | 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds | 场效应管特性 | 消耗(最大) | 噪声系数 | 分散配置 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr, F | 电压 - 测试 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CGH27030F | 119.4200 | ![]() | 48 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | N化镓 | 托盘 | 的积极 | 84V | 440166 | CGH27030 | 3GHz | HEMT | 440166 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 150毫安 | 30W | 14.5分贝 | - | 28V | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PTFB183404E-V1-R0 | 182.9142 | ![]() | 4535 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 条 | 不适合新设计 | 65V | 安装结构 | H-36275-8 | PTFB183404 | 1.88GHz | LDMOS | H-36275-8 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.33.0001 | 50 | - | 2.6安 | 80W | 17分贝 | - | 30V | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | C4D30120D | 32.9000 | ![]() | 第382章 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | Z-Rec® | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-247-3 | C4D30120 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-3 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 无恢复T>500mA(Io) | 1对共轴线 | 1200伏 | 21.5A | 1.8V@15A | 0纳秒 | 1200V时为200μA | -55℃~175℃ | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | PTVA043502EC-V1-R0 | 146.7984 | ![]() | 8236 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | * | 卷带式 (TR) | 的积极 | PTVA043502 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PTFB213208FV-V1-R250 | 139.4367 | ![]() | 8078 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 65V | H-37275G-6/2 | PTFB213208 | 2.11GHz~2.17GHz | LDMOS | H-37275G-6/2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | 10微安 | 2.6安 | 320W | 17分贝 | - | 28V | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | CG2H80060D-GP4 | 110.5810 | ![]() | 6090 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | N化镓 | 托盘 | 的积极 | 120V | 死 | CG2H80060 | 8GHz | HEMT | 死 | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.21.0040 | 10 | 14A | 60W | 12分贝 | - | 28V | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GTRB384608FC-V1-R0 | 178.2560 | ![]() | 第1335章 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 48V | 表面贴装 | H-37248KC-6/2 | GTRB384608 | 3.3GHz~3.8GHz | HEMT | H-37248KC-6/2 | - | 1697-GTRB384608FC-V1-R0TR | 50 | - | - | 440W | 12.3分贝 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMPA2560025D | 750.6400 | ![]() | 3965 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 托盘 | 的积极 | 84V | 表面贴装 | 死 | 2.5GHz~6GHz | N化晶体管高电子迁移率晶体管 | 死 | - | 1697-CMPA2560025D | 1 | - | - | 1.2A | 25W | 23.1分贝 | - | 26V | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CAB450M12XM3 | 857.1600 | ![]() | 第474章 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 盒子 | 的积极 | -40°C ~ 175°C (TJ) | 安装结构 | 模块 | CAB450 | 碳化硅(SiC) | 850W | 模块 | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2个N沟道(半桥) | 1200V(1.2kV) | 450A | 3.7毫欧@450A,15V | 3.6V@132mA | 1330nC@15V | 38000pF@800V | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | C3M0030090K | 39.7700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | C3M™ | 管子 | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 通孔 | TO-247-4 | C3M0030090 | SiCFET(碳化硅) | TO-247-4L | 下载 | 不适用 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N沟道 | 900伏 | 73A(温度) | 15V | 39毫欧@35A,15V | 3.5V@11mA | 74nC@15V | +15V,-4V | 1503 pF @ 600 V | - | 240W(温度) | |||||||||||||||||||||||
![]() | CGHV14250P | 394.6790 | ![]() | 4118 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | N化镓 | 托盘 | 的积极 | 150伏 | 表面贴装 | 440161 | CGHV14250 | 1.2GHz~1.4GHz | HEMT | 440161 | 下载 | 1697-CGHV14250P | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 500毫安 | 250W | 17.8分贝 | - | 50V | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | C3M0040120K-MVF | 20.3617 | ![]() | 2020年 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 管子 | 的积极 | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CGHV35150F | 402.9000 | ![]() | 175 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | N化镓 | 托盘 | 的积极 | 125V | 440193 | CGHV35150 | 2.9GHz~3.5GHz | HEMT | 440193 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 宣传册3A001B3 | 8541.29.0095 | 50 | 12A | 500毫安 | 170W | 13.3分贝 | - | 50V | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PTRA095908NB-V1-R2 | 112.0494 | ![]() | 5157 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | HB2SOF-6-1 | PTRA095908 | 925MHz~960MHz | LDMOS | PG-HB2SOF-6-1 | - | 1697-PTRA095908NB-V1-R2TR | 250 | - | - | - | 17.5分贝 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PXFC192207NF-V1-R500 | 74.3158 | ![]() | 7227 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | PXFC192207 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| C3M0160120J | 10.1000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | C3M™ | 管子 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-263-8、D²Pak(7引脚+接片)、TO-263CA | C3M0160120 | SiCFET(碳化硅) | TO-263-7 | 下载 | 3(168小时) | 1697-C3M0160120J | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N沟道 | 1200伏 | 17A(温度) | 15V | 208毫欧@8.5A,15V | 3.6V@2.33mA | 24nC@15V | +15V,-4V | 632 pF @ 1000 V | - | 90W(温度) | |||||||||||||||||||||||
![]() | PTRA082808NF-V1-R5 | 57.6142 | ![]() | 5298 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 105V | 表面贴装 | HBSOF-6-2 | PTRA082808 | 790MHz~820MHz | LDMOS | PG-HBSOF-6-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | 双重、共同来源 | 10微安 | 200毫安 | 280W | 15.5分贝 | - | 48V | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | PTVA047002EV-V1-R0 | 468.7308 | ![]() | 8165 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | PTVA047002 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CPW2-1200-S010B | - | ![]() | 1002 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | Z-Rec® | 管子 | 过时的 | 表面贴装 | 死 | SiC(碳化硅)肖特基 | 死 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 1.8V@10A | 0纳秒 | 1200V时为200μA | -55℃~175℃ | 31A | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PTFA041501E-V4-R0 | 118.9330 | ![]() | 5762 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 条 | 不适合新设计 | 65V | 2 纸张封装,鳍片底部 | PTFA041501 | 420MHz~500MHz | LDMOS | H-36248-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 1微安 | 900毫安 | 150W | 21分贝 | - | 28V | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | CAB650M17HM3 | 4.0000 | ![]() | 8816 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 175°C (TJ) | 安装结构 | 模块 | CAB650 | 碳化硅(SiC) | 50毫W | 模块 | 下载 | 不适用 | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 2 个 N 沟道(双) | 1700V(1.7kV) | 916A(TC) | 1.86毫欧@650A,15V | 3.6V@305mA | 2988nC@15V | 97300pF@1200V | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | C3D20060D | 11.6100 | ![]() | 4604 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | Z-Rec® | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-247-3 | C3D20060 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-3 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 无恢复T>500mA(Io) | 1对共轴线 | 600伏 | 10A | 1.8V@10A | 0纳秒 | 50μA@600V | -55℃~175℃ | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | CGH40180PP | 482.6600 | ![]() | 69 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | N化镓 | 托盘 | 的积极 | 84V | 440199 | CGH40 | 0Hz~2.5GHz | HEMT | 440199 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.29.0075 | 100 | 56A | 2A | 220W | 19分贝 | - | 28V | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | C3M0120100J | 13.9100 | ![]() | 4332 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | C3M™ | 管子 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-263-8、D²Pak(7引脚+接片)、TO-263CA | C3M0120100 | SiCFET(碳化硅) | D2PAK-7 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N沟道 | 1000伏 | 22A(温度) | 15V | 155毫欧@15A,15V | 3.5V@3mA | 15V时为21.5nC | +15V,-4V | 350 pF @ 600 V | - | 83W(温度) | ||||||||||||||||||||||
![]() | CGHV40200PP | 378.0900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 托盘 | 的积极 | 125V | 440199 | CGHV40200 | 3GHz | HEMT | 440199 | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | 18.7A | 218W | 20.1分贝 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CPW2-1200-S005B | - | ![]() | 9742 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | Z-Rec® | 管子 | 过时的 | 表面贴装 | 死 | SiC(碳化硅)肖特基 | 死 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 1.8V@5A | 0纳秒 | 1200V时为200μA | -55℃~175℃ | 17.5A | 455pF @ 0V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PTFB210801FA-V1-R0 | - | ![]() | 5523 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 条 | 过时的 | 65V | 表面贴装 | H-37265-2 | 2.17GHz | LDMOS | H-37265-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.33.0001 | 50 | - | 750毫安 | 20W | 18.5分贝 | - | 28V | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | PXFE211507FC-V1-R2 | 59.6156 | ![]() | 4723 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 卷带式 (TR) | 不适合新设计 | 65V | 表面贴装 | H-37248G-4/2 | PXFE211507 | 2.11GHz~2.17GHz | LDMOS | H-37248G-4/2 | 下载 | 1697-PXFE211507FC-V1-R2TR | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | 10微安 | 900毫安 | 170W | 18分贝 | - | 28V | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | C3D06065E-TR | 2.0821 | ![]() | 8446 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | Z-Rec® | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | C3D06065 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-252-2 | 下载 | 1(无限制) | 1697-C3D06065E-TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,500人 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.7V@6A | 0纳秒 | 40μA@650V | -55℃~175℃ | 20A | 295pF @ 0V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | PTFA080551E-V4-R250 | 49.4678 | ![]() | 9190 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 卷带式 (TR) | 不适合新设计 | 65V | 安装结构 | H-36265-2 | PTFA080551 | 960兆赫 | LDMOS | H-36265-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | 10微安 | 600毫安 | 55W | 18.5分贝 | - | 28V |

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