分立半导体产品(736)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	速度	场效应管类型	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	电压 - 测试
PXAE183708NB-V1-R2	82.1413	询价	3678	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极	65V		表面贴装	PG-HB2SOF-8-1	PXAE183708	1.805GHz～1.88GHz	LDMOS	PG-HB2SOF-8-1	下载			1697-PXAE183708NB-V1-R2TR	EAR99	8541.29.0075	250				10微安	800毫安	320W	16分贝											-										28V
C3D06065A	4.1500	询价	1	沃尔夫斯皮德公司	Z-Rec®	管子	的积极			通孔	TO-220-2	C3D06065		SiC（碳化硅）肖特基	TO-220-2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	50		无恢复T>500mA(Io)																		650伏		1.8V@6A	0纳秒	60μA@650V	-55℃～175℃	19A	294pF @ 0V、1MHz
CGH55030F2	144.0100	询价	50	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	过时的	84V			440166	CGH55030	4.5GHz～6GHz	HEMT	440166	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	60				-	250毫安	30W	11分贝											-										28V
C6D20065G	8.7000	询价	第1181章	沃尔夫斯皮德公司	-	管子	的积极			表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	C6D20065		SiC（碳化硅）肖特基	TO-263-2	-		不适用	1697-C6D20065G			50		无恢复T>500mA(Io)																		650伏		1.27V@20A	0纳秒		-55℃～175℃	20A	-
WAS110M12BM2	579.8560	询价	8351	沃尔夫斯皮德公司	-	大部分	不适合新设计					WAS110				-			1697-WAS110M12BM2			1
GTRA384802FC-V1-R2	214.0877	询价	第1483章	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	卷带式 (TR)	的积极	125V				GTRA384802	3.6GHz～3.8GHz	HEMT		下载			1697-GTRA384802FC-V1-R2TR	宣传册3A001B3	8541.29.0075	250				-	250毫安	63W	13.7分贝											-										48V
CGHV35400F	709.3400	询价	24	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	的积极	125V			440210	CGHV35400	2.9GHz～3.5GHz	HEMT	440210	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		宣传册3A001B3	8541.29.0095	50				24A	500毫安	455W	11分贝											-										45V
C4D10120D	11.9400	询价	第741章	沃尔夫斯皮德公司	Z-Rec®	管子	的积极			通孔	TO-247-3	C4D10120		SiC（碳化硅）肖特基	TO-247-3	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	30		无恢复T>500mA(Io)																	1对共轴线	1200伏	9A	1.8V@5A	0纳秒	150μA@1200V	-55℃～175℃
C3D10060G	6.4500	询价	6606	沃尔夫斯皮德公司	Z-Rec®	管子	的积极			表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	C3D10060		SiC（碳化硅）肖特基	TO-263-2	下载	符合RoHS标准	3（168小时）		EAR99	8541.10.0080	50		无恢复T>500mA(Io)																		600伏		1.8V@10A	0纳秒	50μA@600V	-55℃～175℃	29A	480pF @ 0V、1MHz
C3D25170H	-	询价	第1147章	沃尔夫斯皮德公司	Z-Rec®	管子	过时的			通孔	TO-247-2	C3D25170		SiC（碳化硅）肖特基	TO-247-2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	30		无恢复T>500mA(Io)																		1700伏		2.5V@25A	0纳秒	100μA@1700V	-55℃～175℃	26.3A	2079pF @ 0V、1MHz
CGHV27030S	65.4200	询价	3	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	卷带式 (TR)	的积极	125V			12-VFDFN 裸露焊盘	CGHV27030	6GHz	HEMT	12-DFN (4x3)	下载	符合RoHS标准	3（168小时）		EAR99	8541.29.0075	250				-	130毫安	30W	20.4分贝											-										50V
CGH60015D-GP4	61.3680	询价	2508	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	不适合新设计	84V			死	CGH60015	6GHz	HEMT	死	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	10				-	200毫安	15W	15分贝											-										28V
C4D02120E	3.0200	询价	3871	沃尔夫斯皮德公司	Z-Rec®	管子	的积极			表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	C4D02120		SiC（碳化硅）肖特基	TO-252-2	下载	符合RoHS标准	3（168小时）		EAR99	8541.10.0080	75		无恢复T>500mA(Io)																		1200伏		1.8V@2A	0纳秒	1200V时为50μA	-55℃～175℃	10A	167pF @ 0V、1MHz
C6D08065E-TR	2.2299	询价	6350	沃尔夫斯皮德公司	Z-Rec®	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	C6D08065		SiC（碳化硅）肖特基	TO-252-2	-			1697-C6D08065E-TR			800		无恢复T>500mA(Io)																		650伏		1.5V@8A	0纳秒	40μA@650V	-55℃～175℃	29A	518pF @ 0V、1MHz
CPMF-1200-S160B	-	询价	5223	沃尔夫斯皮德公司	Z-FET™	大部分	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	死			SiCFET（碳化硅）	死	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0040	1			N沟道					1200伏	28A（天）	20V	220毫欧@10A，20V	4V@1mA	47.1nC@20V	+25V，-5V	928 pF @ 800 V	-	202W（Tj）
C2D20120D	-	询价	6523	沃尔夫斯皮德公司	零恢复™	管子	过时的			通孔	TO-247-3	C2D20120		SiC（碳化硅）肖特基	TO-247-3	下载		1（无限制）	Q3940325	EAR99	8541.10.0080	30		无恢复T>500mA(Io)																	1对共轴线	1200伏	22A	1.8V@10A	0纳秒	1200V时为200μA	-55℃～175℃
PXAC261212FC-V1-R250	86.6504	询价	2743	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极	65V		安装结构	H-37248-4	PXAC261212	2.69GHz	LDMOS	H-37248-4	下载	符合RoHS标准	3（168小时）		EAR99	8541.29.0095	250				-	280毫安	28W	15分贝											-										28V
GTRB266502FC-V1-R2	152.3565	询价	5862	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极	48V		表面贴装	H-37248C-4	GTRB266502	2.62GHz～2.69GHz	HEMT	H-37248C-4	-			1697-GTRB266502FC-V1-R2TR			250	-			-		630W	14分贝											-
GTRB206002FC/1-V1-R2	148.6720	询价	2880	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极	48V		表面贴装	H-37248C-4	GTRB206002	1.93GHz～2.02GHz	HEMT	H-37248C-4	-			1697-GTRB206002FC/1-V1-R2TR			250	-			-		500W	14.8分贝											-
C6D20065H	8.3400	询价	9598	沃尔夫斯皮德公司	-	管子	的积极			通孔	TO-247-2	C6D20065		SiC（碳化硅）肖特基	TO-247-2	-		不适用	1697-C6D20065H			30		无恢复T>500mA(Io)																		650伏		1.27V@20A	0纳秒		-55℃～175℃	20A	-
C3D06060G-TR	2.4311	询价	6027	沃尔夫斯皮德公司	Z-Rec®	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	C3D06060		SiC（碳化硅）肖特基	TO-263-2	下载	符合RoHS标准	3（168小时）		EAR99	8541.10.0080	800		无恢复T>500mA(Io)																		600伏		1.7V@6A		50μA@600V	-55℃～175℃	19A	295pF @ 0V、1MHz
CMPA2735030D	219.8100	询价	5926	沃尔夫斯皮德公司	-	托盘	的积极	150伏		表面贴装	死		2.7GHz～3.5GHz	HEMT	死	-			1697-CMPA2735030D			1	-			-	135毫安	30W	36分贝											-										50V
C2M0280120D	9.1300	询价	18	沃尔夫斯皮德公司	Z-FET™	管子	不适合新设计		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	C2M0280120		SiCFET（碳化硅）	TO-247-3	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	30			N沟道					1200伏	10A（温度）	20V	370毫欧@6A，20V	2.8V@1.25mA（典型值）	20.4nC@20V	+25V，-10V	1000V时为259pF	-	62.5W（温度）
PTRA094252FC-V1-R2	-	询价	6071	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	过时的	105V			H-37248-4	PTRA094252	746MHz～960MHz	LDMOS	H-37248-4	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	250	双重、共同来源			10微安		351.5W	23分贝											-
PXAC182908FV-V1-R0	-	询价	4655	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	过时的					PXAC182908				下载	符合RoHS标准	3（168小时）		EAR99	8541.29.0095	50
E3M0120090J	11.8100	询价	1	沃尔夫斯皮德公司	E系列，汽车	管子	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-8、D²Pak（7引脚+接片）、TO-263CA	E3M0120090		SiCFET（碳化硅）	TO-263-7	下载		不适用	1697-E3M0120090J	EAR99	8541.29.0095	50			N沟道					900伏	22A（温度）	15V	155毫欧@15A，15V	3.5V@3mA	18nC@15V	+15V，-4V	414pF@600V	-	83W（温度）
C6D10065G	4.4700	询价	264	沃尔夫斯皮德公司	-	管子	的积极			表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			SiC（碳化硅）肖特基	TO-263-2	下载		3（168小时）	1697-C6D10065G	EAR99	8541.10.0080	50		无恢复T>500mA(Io)																		650伏		1.4V@10A	0纳秒	650V时为20μA	-55℃～175℃	36A	611pF @ 0V、1MHz
GTRA362802FC-V1-R2	178.4064	询价	8610	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	卷带式 (TR)	的积极	125V		表面贴装	H-37248C-4	GTRA362802	3.4GHz～3.6GHz	HEMT	H-37248C-4	下载			1697-GTRA362802FC-V1-R2TR	宣传册3A001B3	8541.29.0075	250				-	200毫安	280W	13.5分贝											-										48V
PTFB090901EA-V2-R0	-	询价	6198	沃尔夫斯皮德公司	-	条	过时的	65V		安装结构	H-36265-2		960兆赫	LDMOS	H-36265-2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8542.33.0001	50				-	650毫安	25W	19.5分贝											-										28V
C3D02060E-TR	0.6787	询价	6025	沃尔夫斯皮德公司	Z-Rec®	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	C3D02060		SiC（碳化硅）肖特基	TO-252-2	下载	符合RoHS标准	3（168小时）		EAR99	8541.10.0080	2,500人		无恢复T>500mA(Io)																		600伏		1.7V@2A		50μA@600V	-55℃～175℃	5A	11pF@400V，1MHz

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(736)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²