分立半导体产品(736)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	速度	场效应管类型	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	电压 - 反向 (Vr)（最大）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	电压 - 测试
PTVA043502EC-V1-R0	146.7984	询价	8236	沃尔夫斯皮德公司	*	卷带式 (TR)	的积极					PTVA043502					下载	符合RoHS标准	1（无限制）					50
CAB450M12XM3	857.1600	询价	第474章	沃尔夫斯皮德公司	-	盒子	的积极		-40°C ~ 175°C (TJ)	安装结构	模块	CAB450		碳化硅（SiC）	850W	模块	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	1	2个N沟道（半桥）							1200V（1.2kV）	450A		3.7毫欧@450A，15V	3.6V@132mA	1330nC@15V		38000pF@800V	-
C3M0030090K	39.7700	询价	4	沃尔夫斯皮德公司	C3M™	管子	的积极		-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	TO-247-4	C3M0030090		SiCFET（碳化硅）		TO-247-4L	下载		不适用			EAR99	8541.29.0095	30			N沟道					900伏	73A（温度）	15V	39毫欧@35A，15V	3.5V@11mA	74nC@15V	+15V，-4V	1503 pF @ 600 V	-	240W（温度）
CGHV35150F	402.9000	询价	175	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	的积极	125V			440193	CGHV35150	2.9GHz～3.5GHz	HEMT		440193	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			宣传册3A001B3	8541.29.0095	50				12A	500毫安	170W	13.3分贝											-								50V
CGH27030F	119.4200	询价	48	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	的积极	84V			440166	CGH27030	3GHz	HEMT		440166	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0075	50				-	150毫安	30W	14.5分贝											-								28V
PTFB183404E-V1-R0	182.9142	询价	4535	沃尔夫斯皮德公司	-	条	不适合新设计	65V		安装结构	H-36275-8	PTFB183404	1.88GHz	LDMOS		H-36275-8	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8542.33.0001	50				-	2.6安	80W	17分贝											-								30V
CGHV14250P	394.6790	询价	4118	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	的积极	150伏		表面贴装	440161	CGHV14250	1.2GHz～1.4GHz	HEMT		440161	下载				1697-CGHV14250P	EAR99	8541.29.0075	50				-	500毫安	250W	17.8分贝											-								50V
CSD10060A	-	询价	9853	沃尔夫斯皮德公司	-	管子	过时的			通孔	TO-220-2			SiC（碳化硅）肖特基		TO-220-2	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0080	1,000		无恢复T>500mA(Io)																	600伏	1.8V@10A	0纳秒	600V时为200μA	-55℃～175℃	16.5A	550pF @ 0V、1MHz
PTRA087008NB-V1-R5	117.0792	询价	5343	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极	105V		表面贴装	HB2SOF-6-1	PTRA087008	755MHz～805MHz	LDMOS		PG-HB2SOF-6-1	下载	符合RoHS标准				EAR99	8541.29.0075	500	双重、共同来源			10微安	第540章	650W	18.5分贝											-								48V
GTRA374902FC-V1-R2	214.0877	询价	2916	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极	125V		表面贴装	H-37248C-4	GTRA374902	3.6GHz～3.7GHz	HEMT		H-37248C-4	-				1697-GTRA374902FC-V1-R2TR			250	-			-	250毫安	450W	12分贝											-								48V
CG2H40035P	144.7807	询价	3625	沃尔夫斯皮德公司	-	托盘	的积极					CG2H40035	-	-			下载				1697-CG2H40035P			250	-			-		-	-											-
C3M0040120J1-TR	24.3200	询价	1	沃尔夫斯皮德公司	C3M™	卷带式 (TR)	的积极		-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	TO-263-8、D²Pak（7引脚+接片）、TO-263CA			SiCFET（碳化硅）		TO-263-7	下载		3（168小时）			EAR99	8541.29.0095	800			N沟道					1200伏	64A（温度）	15V	53.5毫欧@33.3A，15V	3.6V@9.2mA	94nC@15V	+15V，-4V	1000V时为2900pF	-	272W（温度）
CG2H80045D-GP4	103.7000	询价	50	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	的积极	120V			死	CG2H80045	8GHz	HEMT		死	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		1697-CG2H80045D-GP4	EAR99	8541.29.0075	50				-	500毫安	45W	15分贝											-								28V
PXAC182002FC-V1-R0	-	询价	2440	沃尔夫斯皮德公司	*	卷带式 (TR)	过时的					PXAC182002					下载	符合RoHS标准	1（无限制）			过时的		50
PTFC270101M-V1-R1K	15.7400	询价	2	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	65V		表面贴装	10-LDFN 裸露焊盘	PTFC270101	2.17GHz	LDMOS		PG-SON-10	下载	符合RoHS标准	3（168小时）			EAR99	8541.29.0075	1,000				-	120毫安	2.4W	20.5分贝											-								28V
PXAC210552MD-V1-R5	31.2924	询价	6208	沃尔夫斯皮德公司	*	卷带式 (TR)	的积极					PXAC210552					下载	符合RoHS标准	1（无限制）					500
PXAC201602FC-V1-R250	-	询价	4719	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V		安装结构	H-37248-4	PXAC201602	2.02GHz	LDMOS		H-37248-4	下载	符合RoHS标准	3（168小时）			EAR99	8541.29.0095	250				-	360毫安	22.5W	17.7分贝											-								28V
CSD01060E-TR	1.5700	询价	15	沃尔夫斯皮德公司	零恢复™	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	CSD01060		SiC（碳化硅）肖特基		TO-252-2	下载	符合RoHS标准	3（168小时）			EAR99	8541.10.0080	2,500人		无恢复T>500mA(Io)																	600伏	1.8V@1A	0纳秒	100 µA @ 600 V	-55℃～175℃	4A	80pF @ 0V、1MHz
PC3M0045065L	13.1704	询价	1315	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极		-	表面贴装	8-PowerSFN	PC3M00450		SiCFET（碳化硅）		收费	-				1697-PC3M0045065LTR	EAR99	8541.29.0095	200			-					650伏	51A	-	-	-		-		-	160W
CG2H40010F	76.0700	询价	22	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	的积极	120V		安装结构	440166	CG2H40010	8GHz	HEMT		440166	下载	符合RoHS标准	不适用			EAR99	8541.29.0075	250				-	100毫安	-	16.5分贝											-								28V
CAB500M17HM3	3.0000	询价	8486	沃尔夫斯皮德公司	-	大部分	的积极		-40°C ~ 175°C (TJ)	安装结构	模块	CAB500		碳化硅（SiC）	50毫W	模块	下载		不适用		-3312-CAB500M17HM3	EAR99	8541.21.0095	1	2 个 N 沟道（双）							1700V（1.7kV）	653A（TC）		2.6毫欧@500A，15V	3.6V@203mA	1992nC@15V		64900pF@1200V	-
PTVA092407NF-V2-R5	63.1646	询价	9200	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极	105V		表面贴装	HBSOF-4-2	PTVA092407	869MHz～960MHz	LDMOS		PG-HBSOF-4-2	下载				1697-PTVA092407NF-V2-R5TR	EAR99	8541.29.0075	500				10微安	900毫安	240W	22.5分贝											-								48V
CGH25120F	430.6100	询价	16	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	不适合新设计	84V		安装结构	440162	CGH25120	2.3GHz～2.7GHz	HEMT		440162	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0075	25				-	500毫安	130W	12.5分贝											-								28V
PTFB093608FV-V3-R2	-	询价	5420	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V		安装结构	H-34275G-6/2		960兆赫	LDMOS		H-34275G-6/2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0075	250	双重、共同来源			-	2.8安	315W	20分贝											-								28V
CAB006M12GM3T	329.7700	询价	8205	沃尔夫斯皮德公司	-	盒子	的积极		-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	模块	CAB006		碳化硅（SiC）	10毫W	模块	下载		不适用		1697-CAB006M12GM3T			18	2个N沟道（半桥）							1200V	200A（Tj）		6.9毫欧@200A，15V	3.6V@69mA	708nC@15V		20400pF@800V	碳化硅（SiC）
CGH35060F1	-	询价	第1471章	沃尔夫斯皮德公司	-	大部分	过时的	120V		安装结构	440193	CGH35060	3.3GHz～3.6GHz			440193	-				1697-CGH35060F1	过时的		1	-			6A	250毫安	60W	11.5分贝											-								28V
PTFA041501F-V4-R250	111.1764	询价	第1429章	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	65V		表面贴装	2 箔封装、翅片安装、法兰式	PTFA041501	470兆赫	LDMOS		H-37248-2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0075	250				-	900毫安	150W	21分贝											-								28V
GTRA184602FC-V1-R0	188.4650	询价	2098	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极	125V		表面贴装	H-37248C-4	GTRA184602	1.805GHz～1.88GHz	HEMT		H-37248C-4	-				1697-GTRA184602FC-V1-R0TR			50	-			-	150毫安	460W	15.5分贝											-								48V
C3M0040120K-MVF	20.3617	询价	2020年	沃尔夫斯皮德公司	-	管子	的积极										-	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	1
C3M0160120J	10.1000	询价	2	沃尔夫斯皮德公司	C3M™	管子	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-8、D²Pak（7引脚+接片）、TO-263CA	C3M0160120		SiCFET（碳化硅）		TO-263-7	下载		3（168小时）		1697-C3M0160120J	EAR99	8541.29.0095	50			N沟道					1200伏	17A（温度）	15V	208毫欧@8.5A，15V	3.6V@2.33mA	24nC@15V	+15V，-4V	632 pF @ 1000 V	-	90W（温度）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(736)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²