分立半导体产品(736)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	速度	场效应管类型	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	电压 - 反向 (Vr)（最大）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	电压 - 测试
CPMF-1200-S080B	-	询价	3269	沃尔夫斯皮德公司	Z-FET™	大部分	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	死			SiCFET（碳化硅）		死	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	1			N沟道					1200伏	50A（Tj）	20V	110毫欧@20A，20V	4V@1mA	90.8nC@20V	+25V，-5V	800V时为1915pF	-	313毫W（Tj）
CAS300M12BM2	891.5100	询价	1816	沃尔夫斯皮德公司	Z-FET™	大部分	不适合新设计		150°C（太焦）	安装结构	，模块螺丝端子	CAS300		碳化硅（SiC）	1660W	模块	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	1	2个N沟道（半桥）							1200V（1.2kV）	423A（TC）		5.7毫欧@300A，20V	2.3V@15mA（典型值）	1025nC@20V		19500pF@800V	-
C3D08065E	5.5400	询价	第551章	沃尔夫斯皮德公司	Z-Rec®	管子	的积极			表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	C3D08065		SiC（碳化硅）肖特基		TO-252-2	下载	符合RoHS标准			EAR99	8541.10.0080	75		无恢复T>500mA(Io)																	650伏	1.8V@8A	0纳秒	50μA@650V	-55℃～175℃	25.5A	395pF @ 0V、1MHz
CGH27030S-AMP1	765.5400	询价	2	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	大部分	的积极	120V			12-VFDFN 裸露焊盘		6GHz	HEMT		12-DFN (4x3)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8543.70.9810	1				-	200毫安	30W	21.1分贝											-								28V
C3D10170H	-	询价	8881	沃尔夫斯皮德公司	Z-Rec®	管子	过时的			通孔	TO-247-2	C3D10170		SiC（碳化硅）肖特基		TO-247-2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	30		无恢复T>500mA(Io)																	1700伏	2V@10A	0纳秒	1700V时为60μA	-55℃～175℃	14.4A	827pF @ 0V、1MHz
PXAE213708NB-V1-R2	85.3006	询价	1835年	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极	65V		表面贴装	PG-HB2SOF-8-1	PXAE213708	2.11GHz～2.18GHz	LDMOS		PG-HB2SOF-8-1	下载			1697-PXAE213708NB-V1-R2TR	EAR99	8541.29.0075	250				10微安	750毫安	54W	16分贝											-								29伏
PTFA220121M-V4	-	询价	6416	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	SIC停产	65V		表面贴装	10-LDFN 裸露焊盘		2.14GHz	LDMOS		PG-SON-10	下载	符合RoHS标准	3（168小时）		EAR99	8541.29.0075	500				-	150毫安	9.3W	16.2分贝											-								28V
PTFC210202FC-V1-R250	52.1059	询价	2242	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	65V		安装结构	H-37248-4	PTFC210202	2.2GHz	LDMOS		H-37248-4	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	250	双重的			-	170毫安	5W	21分贝											-								28V
PXFC191507FC-V1-R250	74.3516	询价	4756	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计					PXFC191507					下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	250
PXAC261002FC-V1-R250	80.8964	询价	6152	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极	65V		安装结构	H-37248-4	PXAC261002	2.69GHz	LDMOS		H-37248-4	下载	符合RoHS标准	3（168小时）		EAR99	8541.29.0095	250				-	210毫安	18W	15.1分贝											-								26V
CGHV14500F	666.9400	询价	29	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	的积极	125V			440117	CGHV14500	1.2GHz～1.4GHz	HEMT		440117	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	50				36A	500毫安	500W	17分贝											-								50V
CGHV1J025D-GP4	62.1970	询价	50	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	的积极	100V			死	CGHV1	18GHz	HEMT		死	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		宣传册3A001B3	8541.29.0075	10				-	120毫安	25W	17分贝											-								40V
C3M0350120J	6.7300	询价	第1237章	沃尔夫斯皮德公司	C3M™	管子	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-8、D²Pak（7引脚+接片）、TO-263CA	C3M0350120		SiCFET（碳化硅）		TO-263-7	下载		3（168小时）	1697-C3M0350120J	EAR99	8541.29.0095	50			N沟道					1200伏	7.2A（温度）	15V	455毫欧@3.6A，15V	3.6V@1mA	13nC@15V	+15V，-4V	1000V时为345pF	-	40.8W（温度）
PTFA080551E-V4-R0	54.9642	询价	5872	沃尔夫斯皮德公司	-	条	不适合新设计	65V		安装结构	H-36265-2	PTFA080551	869MHz～960MHz	LDMOS		H-36265-2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50				10微安	450毫安	55W	18.5分贝											-								28V
PTFC261402FC-V1-R250	87.4276	询价	9099	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极	65V			-	PTFC261402	2.69GHz	LDMOS			下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	250				-	900毫安	28W	18分贝											-								28V
PTVA120501EA-V1-R250	49.0092	询价	4259	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极					PTVA120501					下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	250
PXFE181507FC-V1-R0	66.3392	询价	3136	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	65V		表面贴装	H-37248G-4/2	PXFE181507	1.805GHz～1.88GHz	LDMOS		H-37248G-4/2	下载			1697-PXFE181507FC-V1-R0TR	EAR99	8541.29.0075	50				10微安	900毫安	175W	20分贝											-								28V
CG2H40045P	179.5527	询价	6314	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	的积极	120V		表面贴装	440206	CG2H40045	4GHz	HEMT		440206	下载			1697-CG2H40045P	EAR99	8541.29.0075	120				-	400毫安	45W	16分贝											-								28V
E4D02120E-TR	2.4100	询价	4	沃尔夫斯皮德公司	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	TO-252-2			SiC（碳化硅）肖特基		TO-252-2	下载		3（168小时）		EAR99	8541.10.0080	2,500人		无恢复T>500mA(Io)																	1200伏	1.8V@2A		1200V时为50μA	-55℃～175℃	8A	153pF @ 0V、1MHz
C6D08065G-TR	1.7866	询价	9108	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	C6D08065		SiC（碳化硅）肖特基		TO-263-2	-			1697-C6D08065G-TR			800		无恢复T>500mA(Io)																	650伏	1.4V@8A	0纳秒	650V时为20μA	-55℃～175℃	30A	518pF @ 0V、1MHz
PTFB092707FH-V1-R0	-	询价	8760	沃尔夫斯皮德公司	-	条	过时的	65V		表面贴装	H-37288L-4/2		960兆赫	LDMOS		H-37288L-4/2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8542.33.0001	50				-	2.15安	60W	19分贝											-								28V
PXFE211507FC-V1-R0	66.3392	询价	2594	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	65V		表面贴装	H-37248G-4/2	PXFE211507	2.11GHz～2.17GHz	LDMOS		H-37248G-4/2	下载			1697-PXFE211507FC-V1-R0TR	EAR99	8541.29.0075	50				10微安	900毫安	170W	18分贝											-								28V
C3M0060065L-TR	12.5800	询价	220	沃尔夫斯皮德公司	C3M™	卷带式 (TR)	的积极		-40°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerSFN			SiCFET（碳化硅）		收费	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）		EAR99	8541.29.0095	500			N沟道					650伏	39A（温度）	15V	79毫欧@13.2A，15V	3.6V@3.64mA	46nC@15V	+19V，-8V	1170 pF @ 400 V	-	131W（温度）
C3M0075120D-A	17.9000	询价	9415	沃尔夫斯皮德公司	C3M™	管子	的积极		-40°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	C3M0075120		SiCFET（碳化硅）		TO-247-3	下载		1（无限制）	1697-C3M0075120D-A	EAR99	8541.29.0095	30			N沟道					1200伏	32A（温度）	15V	90毫欧@20A，15V	3.6V@5mA	54nC@15V	+15V，-4V	1390 pF @ 1000 V	-	136W（温度）
GTRA360502M-V1-R3K	23.5558	询价	9037	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极	125V		表面贴装	6-VDFN 裸露焊盘	GTRA360502	3.4GHz～3.8GHz	HEMT		6-DFN (6.5x7)	-			1697-GTRA360502M-V1-R3KTR			3,000	-			-	25毫安	50W	13分贝											-								48V
GTVA101K42EV-V1-R0	1.0000	询价	129	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	卷带式 (TR)	的积极	125V		安装结构	H-36275-4	GTVA101	960MHz～1.4GHz	HEMT		H-36275-4	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	1697-GTVA101K42EV-V1-R0TR	EAR99	8541.29.0075	50				-	83.6毫安	1400W	17分贝											-								50V
CBB021M12FM3	175.5500	询价	7290	沃尔夫斯皮德公司	-	托盘	的积极		-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	模块	CBB021		碳化硅（SiC）	10毫W	-	下载		1（无限制）	1697-CBB021M12FM3	EAR99	8541.29.0095	18	4 个 N 沟道（全桥）							1200V	105A（Tj）		14毫欧@100A，15V	3.6V@35mA	324nC@15V		10300pF@800V	-
PXAC241702FC-V1-R250	80.8964	询价	8009	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极	65V		安装结构	H-37248-4	PXAC241702	2.4GHz	LDMOS		H-37248-4	下载	符合RoHS标准	3（168小时）		EAR99	8541.29.0095	250				-	360毫安	28W	16.5分贝											-								28V
GTVA262711FA-V2-R2	99.4894	询价	7521	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	卷带式 (TR)	的积极	125V		表面贴装	H-87265J-2	GTVA262711	2.62GHz～2.69GHz	HEMT		H-87265J-2	下载			1697-GTVA262711FA-V2-R2TR	EAR99	8541.29.0075	250				-	320毫安	70W	18分贝											-								48V
CAB016M12FM3T	149.4500	询价	5667	沃尔夫斯皮德公司	-	盒子	的积极		-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	模块	CAB016		碳化硅（SiC）	10毫W	模块	下载		不适用	1697-CAB016M12FM3T			18	2个N沟道（半桥）							1200V	78A（天）		21.3毫欧@80A，15V	3.6V@23mA	236nC@15V		6600pF@800V	碳化硅（SiC）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(736)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²