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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 额定电压 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 频率 | 技术 | 功率-最大 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 配置 | 速度 | 场效应管类型 | 额定电流(安培) | 当前-测试 | 功率-输出 | 获得 | 漏源电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | Rds On(最大)@Id、Vgs | Vgs(th)(顶部)@Id | 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs | Vgs(最大) | 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds | 场效应管特性 | 消耗(最大) | 噪声系数 | 分散配置 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr, F | 电压 - 测试 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | PTFB092707FH-V1-R250 | - | ![]() | 2276 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | * | 卷带式 (TR) | 过时的 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | X3M0120065L | 5.3934 | ![]() | 7394 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | * | 卷带式 (TR) | 的积极 | - | 1697-X3M0120065LTR | 200 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PTVA102001EA-V1-R2 | 156.9692 | ![]() | 8897 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | * | 卷带式 (TR) | 的积极 | PTVA102001 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 250 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CGHV38375F | 932.3300 | ![]() | 26 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 托盘 | 的积极 | 150伏 | 440226 | 2.75GHz~3.75GHz | N化镓 | 440226 | 下载 | 3(168小时) | 1697-CGHV38375F | 宣传册3A001B3 | 8541.29.0095 | 50 | - | - | 500毫安 | 400W | 12.5分贝 | - | 50V | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GTRB204402FC/1-V1-R2 | 117.2610 | ![]() | 4152 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 48V | 表面贴装 | H-37248C-4 | GTRB204402 | 1.93GHz~2.02GHz | HEMT | H-37248C-4 | - | 1697-GTRB204402FC/1-V1-R2TR | 250 | - | - | 350W | 16.3分贝 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GTRA364002FC-V1-R0 | 230.9100 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | N化镓 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 125V | 表面贴装 | H-37248C-4 | GTRA364002 | 3.4GHz~3.6GHz | HEMT | H-37248C-4 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 宣传册3A001B3 | 8541.29.0075 | 50 | - | 220毫安 | 400W | 13分贝 | - | 48V | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | PTFC210202FC-V1-R0 | 68.8500 | ![]() | 30 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 条 | 不适合新设计 | 65V | 安装结构 | H-37248-4 | PTFC210202 | 2.2GHz | LDMOS | H-37248-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 3(168小时) | EAR99 | 8542.33.0001 | 50 | 双重的 | - | 170毫安 | 5W | 21分贝 | - | 28V | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | WAS310M17BM3 | 1.0000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 盒子 | 的积极 | - | 安装结构 | 模块 | WAS310 | MOSFET(金属O化物) | - | - | 下载 | 不适用 | 1697-WAS310M17BM3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | - | 1700V | 310A | - | - | - | - | 标准 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | CAS110M12BM2 | 521.4210 | ![]() | 第1559章 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 大部分 | 不适合新设计 | - | 安装结构 | 模块 | CAS110 | 碳化硅(SiC) | - | - | - | 1697-CAS110M12BM2 | 1 | - | 1200V | 110A | - | - | - | - | 碳化硅(SiC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CSD06060A | - | ![]() | 2382 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | 零恢复™ | 管子 | 过时的 | 通孔 | TO-220-2 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220-2 | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 无恢复T>500mA(Io) | 600伏 | 1.8V@6A | 0纳秒 | 600V时为200μA | -55℃~175℃ | 10A | 340pF @ 0V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CAB320M17XM3 | 1.0000 | ![]() | 8481 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 盒子 | 的积极 | - | 安装结构 | 模块 | CAB320 | 碳化硅(SiC) | - | - | 下载 | 不适用 | 1697-CAB320M17XM3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | - | 1700V | 320A(温度) | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | PXAD184218FV-V1-R0 | 165.4994 | ![]() | 3405 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 卷带式 (TR) | 不适合新设计 | 65V | 表面贴装 | H-37275G-6/2 | PXAD184218 | 1.805GHz~1.88GHz | LDMOS | H-37275G-6/2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | 10微安 | 720毫安 | 130W | 14分贝 | - | 28V | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | CG2H40120P | 322.2202 | ![]() | 3542 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | N化镓 | 托盘 | 的积极 | 120V | 表面贴装 | 440206 | CG2H40120 | 2.5GHz | HEMT | 440206 | 下载 | 1697-CG2H40120P | EAR99 | 8541.29.0075 | 100 | - | 1A | 120W | 20分贝 | - | 28V | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | C6D04065E-TR | 1.1842 | ![]() | 5398 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | Z-Rec® | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | C6D04065 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-252-2 | - | 1697-C6D04065E-TR | 800 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.5V@4A | 0纳秒 | 650V时为20μA | -55℃~175℃ | 16A | 256pF @ 0V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PXAC201202FC-V2-R0 | - | ![]() | 6055 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 条 | 过时的 | 65V | 安装结构 | H-37248-4 | PXAC201202 | 2.2GHz | LDMOS | H-37248-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 3(168小时) | EAR99 | 8542.33.0001 | 50 | - | 240毫安 | 16W | 17分贝 | - | 28V | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | PTFC270051M-V2-R0 | - | ![]() | 5811 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 65V | 表面贴装 | 10-LDFN 裸露焊盘 | 900MHz~2.7GHz | LDMOS | PG-SON-10 | - | 符合RoHS标准 | 3(168小时) | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 1微安 | 65毫安 | 5W | 19.5分贝 | - | 28V | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | C6D06065G | 2.6800 | ![]() | 5481 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 管子 | 的积极 | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-263-2 | 下载 | 3(168小时) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.4V@6A | 0纳秒 | 650V时为20μA | -55℃~175℃ | 23A | 393pF @ 0V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | EAB450M12XM3 | 1.0000 | ![]() | 8202 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 盒子 | 的积极 | -40°C ~ 175°C (TJ) | 安装结构 | 模块 | EAB450 | 碳化硅(SiC) | 50毫W | - | 下载 | 不适用 | 1697-EAB450M12XM3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2个N沟道(半桥) | 1200V(1.2kV) | 450A(温度) | 3.7毫欧@450A,15V | 3.6V@132mA | 1330nC@15V | 38000pF@800V | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | C3M0065100K | 19.3400 | ![]() | 第886章 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | C3M™ | 管子 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-247-4 | C3M0065100 | SiCFET(碳化硅) | TO-247-4L | 下载 | 符合RoHS标准 | 不适用 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N沟道 | 1000伏 | 35A(温度) | 15V | 78毫欧@20A,15V | 3.5V@5mA | 35nC@15V | +19V,-8V | 660 pF @ 600 V | - | 113.5W(温度) | |||||||||||||||||||||||
![]() | PTFB072707FH-V1-R250 | - | ![]() | 7172 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | C4D10120A | 11.9400 | ![]() | 8907 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | Z-Rec® | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2 | C4D10120 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 1.8V@10A | 0纳秒 | 1200V时为250μA | -55℃~175℃ | 33A | 754pF @ 0V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | CGHV35150P | 387.7496 | ![]() | 4163 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | N化镓 | 托盘 | 的积极 | 125V | 表面贴装 | 440206 | CGHV35150 | 2.9GHz~3.5GHz | HEMT | 440206 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1697-CGHV35150P | 宣传册3A001B3 | 8541.29.0075 | 50 | - | 500毫安 | 150W | 12.3分贝 | - | 50V | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | CPW2-1200-S005B-FR1 | - | ![]() | 3002 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | - | - | - | - | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CGH40006P | 66.0100 | ![]() | 62 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | N化镓 | 托盘 | 的积极 | 84V | 440109 | CGH40 | 0Hz~6GHz | HEMT | 440109 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | 3.5A | 100毫安 | 8W | 13分贝 | - | 28V | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | C4D10120H | 12.4700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | Z-Rec® | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-247-2 | C4D10120 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-2 | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 1.8V@10A | 0纳秒 | 1200V时为250μA | -55℃~175℃ | 31.5A | 754pF @ 0V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | C3M0065090D | 15.9100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | C3M™ | 管子 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-247-3 | C3M0065090 | SiCFET(碳化硅) | TO-247-3 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N沟道 | 900伏 | 36A(温度) | 15V | 78毫欧@20A,15V | 2.1V@5mA | 15V时为30.4nC | +18V、-8V | 660 pF @ 600 V | - | 125W(温度) | |||||||||||||||||||||||
![]() | PTRA082808NF-V1-R5 | 57.6142 | ![]() | 5298 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 105V | 表面贴装 | HBSOF-6-2 | PTRA082808 | 790MHz~820MHz | LDMOS | PG-HBSOF-6-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | 双重、共同来源 | 10微安 | 200毫安 | 280W | 15.5分贝 | - | 48V | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | PXFC192207NF-V1-R500 | 74.3158 | ![]() | 7227 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | PXFC192207 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PTRA095908NB-V1-R2 | 112.0494 | ![]() | 5157 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | HB2SOF-6-1 | PTRA095908 | 925MHz~960MHz | LDMOS | PG-HB2SOF-6-1 | - | 1697-PTRA095908NB-V1-R2TR | 250 | - | - | - | 17.5分贝 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | C4D30120D | 32.9000 | ![]() | 第382章 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | Z-Rec® | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-247-3 | C4D30120 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-3 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 无恢复T>500mA(Io) | 1对共轴线 | 1200伏 | 21.5A | 1.8V@15A | 0纳秒 | 1200V时为200μA | -55℃~175℃ |

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